第五节计算机硬件内存.doc

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第五节、计算机内部硬件内存

一、 内存条的简介
计算机的存储器由两大部份组成内存和外存 ，外存主要有硬盘、光盘等。计算机硬盘(或者是软盘和CD–ROM）就像是个文件柜，桌面就相当于电脑的内存,桌面越大，可以摆放的文件数量就越多，使用者就不必经常打开文件柜抽取或存放文件，这样它的工作效率也就会提高。同理内存越大，计算机的速度也越快.
内存的主要作用是用来临时存放数据，再与CPU协调工作，从而提高整机性能。内存作为个人计算机硬件的必要组成部分之一，其地位越来越重要，内存的容量与性能已成为衡量计算机整体性能的一个决定性因素。
在内存中最小的物理单元是位，从本质上来讲，位是一个位于某种二值状态（通常是0和1)下的电气单元.八位组成一个字节，这样组合的可能有256种（2的8次方）.字节是内存可访问的最基本单元,每个这样的组合可代表单独的一个数据字符或指令。
二、 内存条的分类
内存（Memory)也称内部存储器或主存，按照内存的工作原理主要分为两类。
早期的主板使用的内存类型主要有FPM、EDO、SDRAM、RDRAM,目前主板常见的有DDR、DDR2内存。
当前,内存条的封装方式有184线、200线、240线等多种.168线、 184线已淘汰.下图：SD-168线内存条

DDR2-240线内存条

（一)、RAM（Random Access Memory）
随机存取存储器,用来暂时存放程序和数据，其特点是存储的数据在掉电后会丢失。系统运行时，首先将指令和数据从外部存储器（外存）中调入内存，CPU再从内存中读取指令和数据进行运算,并将运算结果存入内存中。它又分为两种。
1、动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic RAM）
DRAM主要应用在计算机中的主存储器中，如内存条由此构成
特点：集成度高，结构简单，功耗低,生产成本低.
2、静态随机存取存储器(SRAM，Static RAM)
SRAM主要应用在计算机中的高速小容量存储器，如CACHE则是由此构成
特点：结构相对复杂，造价高，速度快.
（二）、ROM(Read Only Memory）
只读存储器，特点：只能从中读取信息而不能任意写入信息。一般用于保存不可更改的数据，如BIOS.可分为以下三种：
⑴.EPROM :可擦可编程只读存储器，芯片上有一个透明窗口。
⑵。EEPROM：电可擦可编程只读存储器。
⑶。闪速存储器Flash Memory：可以将BIOS存储在其中,当需要时可以利用软件来自动升级和修改BIOS,较为方便。
三、 内存接口标准
内存条的接口类型有SIMM、DIMM和RIMM等3种.
SIMM（Single Inline Memory Module，单列直插内存模块）就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的FPM和EDD DRAM
DIMM(Dual Inline Memory Module,双列直插内存模块）与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要.
SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构 ； DDR2 DIMM为240pin DIMM结构。
RIMM（Rambus Inline Memory Module）是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型
四、 内存技术指标
1、存储速度
内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示，单位为纳秒，记为ns，1秒=10亿纳秒,即1纳秒=10ˉ9秒。
ns和MHz之间的换算关系如下：
1ns=1000MHz
6ns=166MHz
7ns=143MHz
10ns=100MHz
2、存储容量
目前常见的内存存储容量单条为128MB、256MB、512MB，当然也有单条1GB的，内存，不过其价格较高，普通用户少有使用.
3、CL
CL是CAS Lstency的缩写，即CAS延迟时间，是指内存纵向地址脉冲的反应时间，是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一.对于PC1600和PC2100的内存来说，其规定的CL应该为2，即他读取数据的延迟时间是两个时钟周期。
4、SPD芯片
SPD是一个8针256字节的EERROM（可电擦写可编程只读存储器）芯片。位置一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。当开机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息.
6、内存带宽
即内存数据传输速率。
内存带宽的确定方式为：
B表示带宽、F表于存储器时钟频率、D表示存储器数据总线位数,则带宽B=F＊D/8
如常见100MHz的SDRAM内存的带宽=100MHz*64bit/8=800MB/秒
常见133MHz的SDRAM内存的带宽=133MHz＊64bit/8=1064MB/秒
7内存电压
内存正常工作所需要的电压值,SDRAM内存一般工作电压都在3。3伏左右,上下浮动额度不超过0.3伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2。5伏左右，上下浮动额度不超过0。2伏;而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右.
五、 内存选配指南
1.不要贪高求贵,量力而行。
如果不考虑以后主板或CPU等系统的升级，最好是量体裁衣，不要一昧求高频率、高容量.
就目前水平，一般选择容量512M即可,如果要作图形图像处理或运行大型3D游戏，可选择更大一些的容量。
2。注意速度同FSB的搭配
目前CPU常见的FSB为533MHHZ、800MHZ、1000MHZ、1066MHZ。可参考下表.
FSB 内存
533MHZ DDR266，如主板支持双通道,则选两条正好匹配。
800MHZ DDR400，如主板支持双通道，则选两条正好匹配。
如板支持DDRII,可选DDRII400、DDRII533或更高
总之，在同FSB的搭配上,内存的总传输率同FSB要大致相当（同频内存传输率双通道为单通道的两倍）。
3）注意同主板搭配
在同主板的搭配上,要注意，当前不是所有主板都支持DDRII，例如Intel平台主板，915以前的芯片组系列是不支持DRRII的；而AMD平台主板比较好判定:754和939接口的主板都不支持DDRII,今年（06）开始流行AM2接口的主板都支持.
六。 内存芯片编号
以下分别列出了几种常见内存颗粒的编号，希望对您选购内存有所帮助。
1、 HYUNDAI （现代)

“HY"是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
·“5D"是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型.
·“U”代表处理工艺及电压为2。5V。(V:VDD=3。3V & VDDQ=2。5V；U:VDD=2。5V & VDDQ=2.5V；W:VDD=2.5V & VDDQ=1。8V；S：VDD=1。8V ＆ VDDQ=1。8V)
·“56"代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新.（64:64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新;56：256M 8K刷新;57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G:1G 8K刷新）

·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。（4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank（储蓄位)。（1=2 bank；2=4 bank;3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2。（1=SSTL_3;2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代;A=第2代；B=第3代;C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T"表示，即TSOP封装。（T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix;K=M＆T；J=其它;M=MCP（Hynix）；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈.
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素;R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。（D43=DDR400，3-3—3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2—2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作温度，一般被省略。I=工业常温(—40～85度)；E=扩展温度（-25～85度）
　　因此，通过编号“HY5DU56822BT—D43”的内存颗粒我们可以了解到,这是一款DDR SDRAM内存,容量为256MB，采用TSOP封装,速度为DDR400。

现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：个人收集整理，勿做商业用途本文为互联网收集，请勿用作商业用途
HY 5X X XXX XX X X X X XX –XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V， ”U”为2。5V.
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽,40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank.是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL(Low Voltage TTL)接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片.
第12、13个X代表封装形式，分别如下：
最后几位为速度：
注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片,57说明是SDRAM,65是64Mhbit和4K refresh　cycles/64ms,下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC—100。
2、LGS(LG Semicon Co。,Ltd.）
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM.
第1、2个X代表容量,类似现代，16为16Mbits ，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽,一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank ，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应.
第6个X表示是第几人版本的内核,现在至少已经排到”E"了。
第7个X如果是字母”L",就是低功耗，空白则为普通。
”T”为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I”.
最后的XX自然是代表速度：
注：例如GM72V661641CT7J，这是64Mbit，16 位输出，4个Bank，刚达到PC—100的要求（CL=3)SDRAM。
3、SAMSUNG（三星）
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式:
KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX
KM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S”代表普通的SDRAM，如为”H"，则为DDR SDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S”后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。
”0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank,3 为难个Bank。
"0"后的第2个X,代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。
”0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来.
"T”为TSOP封装。
速度前的”G"和”F"的区别在自刷新时的电流，”F”需要的电流较”G"小,相当于一般的低功耗版。
"G/F”后的X代表速度：
注：例如KM416S4031BT-GH，是64Mbit（16*4)，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。
4、Micron MT
Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式：
MT48 XX XX M XX AX TG—XX X
MT代表是Micron的产品。
48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM.46V为DDR SDRAM。
Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。
M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位.
AX代表Write Recovery（Twr）,如A2表示Twr=2clk.
TG为TSOPⅡ封装。LG为TGFP封装。
最后的XX是代表速度：
其中X为A～E，字母越后性能越好.按CL—TRCD—TRP的表示方法A～E分别为：3-3—3、3-2—3、 3—2-2、 2—2—2、2—2—2.
速度后如有L则为低耗。
注:例如MT48LC8M8A2TG-8E,64Mbit（8*8），8位，且是性能相当不错的芯片，完全符合PC—100规范。
5、IBM
IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
IBM03 XX XX X XT3X --—XXX
IBM代表为IBM的产品。
IBM的SDRAM产品均为03。
第1、 2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。
一般的封装形式为TSOP.对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B,则为TSOJ封装。
第5个X意义不详,16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。
第6个X为P为低功耗，C为普通。
第7个X表示内核的版本。
最后的XXX代表速度：
在B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3时的标定速度为:135MHZ。
注：例如IBM0316809CT3D—10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。
6、HITACHI （日立）
HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
HM 52 XX XX 5 X X TT—XX
HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽,40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗.空白则为普通。
TT为TSOPⅡ封装.
最后XX代表速度：
注:例如HM5264805F—A60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL可为2。
7、NEC
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式:
μPD45 XX X X XG5—AXX X—XXX
μPD4代表是NEC的产品.
”5”代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量.
第3(4)个X表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位.当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定， 这会对下面的数字造成影响。
第4（5)个X代表Bank。”3"或”4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2”代表2个Bank。
第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义,如”1”代表2个Bank和LVTTL，”3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPⅡ封装。
-A后的XX是代表速度：
速度后的X如果是字母”L”就是低功耗，空白则为普通。
-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、”JH”、"NF”等。估计与封装外型有关："NF"对应： 44-pinTSOP—（Ⅱ)；”JF"对应54-pin TSOP（Ⅱ）；”JH”对应86—pin TSOP-（Ⅱ）。
注：例如μPD4564841G5-A80—9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2.
8、TOSHIBA(东芝)
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：
TC59S XX XX X FT X—XX
TC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列.其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。
第1、2个X代表容量。64为64Mbit,M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5 个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B”。
FT为TSOPⅡ封装.
FT后如果有字母”L"就是低功耗，空白则为普通.
最后的XX是代表速度：
注：例如TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号.
注意PCB
看了芯片还要看一下印刷电路板.印刷电路板上对质量有影响的地方很多，如内部布线、阻抗的分布等，但这些部份是肉眼不能分辩的。我们在选购内存条时主要观察板面是否光洁,色泽要均匀；部件焊接要求整齐，绝对不允许错位；焊点要均匀有光泽;金手指要光亮，不能有发白或发黑的现象，发白是镀层质量差的表现,发黑是磨损和氧化的后果；板上应该印刷有厂商的标识。
另外，印刷电路板上的电阻、电容之类东西从来只见有省不见有添的。常见的劣质内存经常是芯片标识模糊或混乱，印刷电路板毛糙,金手指色泽暗，电容歪歪扭扭如手焊一般，焊点不干净利落.

2024-5-16 - 9 -