单相桥式整流电路优秀课程设计优质报告.doc

电力电子课程设计汇报目录一、 设计任务说明3二、 设计方案比较4三、 单元电路设计和关键元器件说明6四、 主电路原理分析9五、 各关键元器件选择：12六、 驱动电路设计14七、 保护电路16八、 元器件清单21九、 设计总结22十、 参考文件23一、 设计任务说明1. 设计任务：1) 进行设计方案比较，并选定设计方案；2) 完成单元电路设计和关键元器件说明；3) 完成主电路原理分析，各关键元件选择；4) 驱动电路设计，保护电路设计；5) 利用仿真软件分析电路工作过程；2. 设计要求：1) 单相桥式相控整流设计要求为：负载为感性负载，L=700mH，R=5002) 技术要求：A. 电网供电电压为单相220V；B. 电网电压波动为5%10%；C. 输出电压为0100V;二、 设计方案比较单相桥式整流电路有两种方法，一个是单相桥式全控整流电路，一个是单相桥式半控整流电路。关键方案有三种：方案一：采取单相桥式全控整流电路，电路图以下：对于这个电路，每一个导电回路中有两个晶闸管，即用两个晶闸管同时导通以控制导电回路，不需要续流二极管，不会出现失控现象，整流效果好，波形稳定。变压器二次绕组不含直流分量，不会出现变压器直流磁化问题，变压器利用率高。方案二：采取单相桥式半控整流电路，电路图以下：相较于单相桥式全控整流电路，对每个导电回路进行控制，只需一个晶闸管，而另一个用二极管替换，这么使电路连接简便，且降低了成本，降低了损耗。不过若无续流二极管，当忽然增大到180或触发脉冲丢失时，会发生一个晶闸管连续导通而两个二极管轮番导通情况，这使成为正弦半波，级半周期为正弦波，另外半周期为零，其平均值保持恒定，相当于单相半波不可控整流电路时波形，即失控现象。所以该电路在实际应用中需要加设续流二极管。总而言之：单相桥式半控整流电路含有线路简单、调整方便优点。但输出电压脉动冲大，负载电流脉冲大（电阻性负载时），且整流变压器二次绕组中存在直流分量,使铁心磁化，变压器不能充足利用。而单相桥式全控整流电路含有输出电流脉动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向半波，没有直流磁化问题，变压器利用率高优点。所以选择方案一单相桥式全控整流电路。三、 单元电路设计和关键元器件说明1. 单相桥式全控整流电路，图所表示： 由一台变压器、四个晶闸管经过桥接而成，负载为阻感负载。晶闸管和组成一对桥臂，和组成另一对桥臂。2. 关键元器件晶闸管晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器企业开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极； 晶闸管含有硅整流器件特征，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程能够控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。1） 晶闸管分类：晶闸管按其关断、导通及控制方法可分为一般晶闸管（SCR）、双向晶闸管（TRIAC）、逆导晶闸管（RCT）、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管（TT国外，TTS中国）和光控晶闸管（LTT）等多个。晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多个；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采取金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采取塑封或陶瓷封装。晶闸管按其关断速度可分为一般晶闸管和快速晶闸管，快速晶闸管包含全部专为快速应用而设计晶闸管，有常规快速晶闸管和工作在更高频率高频晶闸管，可分别应用于400HZ和10KHZ以上斩波或逆变电路中。（备注：高频不能等同于快速晶闸管）2） 工作原理晶闸管在工作过程中，它阳极（A）和阴极（K）和电源和负载连接，组成晶闸管主电路，晶闸管门极G和阴极K和控制晶闸管装置连接，组成晶闸管控制电路。半控型晶闸管工作条件： 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管全部处于反向阻断状态。 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管闸流特征，即可控特征。晶闸管在导通情况下，只要有一定正向阳极电压，不管门极电压怎样，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。门极只起触发作用。 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到靠近于零时，晶闸管关断。全控型晶闸管工作条件：晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管全部处于反向阻断状态。晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压（或电流）情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态。晶闸管导通后，门极加反向电流或失去电压，晶闸管关断；或门极正常，但主电路电压（或电流）降低到靠近于零时，晶闸管也关断。四、 主电路原理分析主电路为单相桥式全控整流电路。对于阻感负载，假设电路已工作于稳态，平均值不变。波形图所表示，在正半周期，触发角处给晶闸管和加触发脉冲使其开通，。负载中有电感存在使负载电流不能突变，电感对负载电流起平波左右，假设负载电感很大，负载电流连续且波形近似为一条水平线，其波形图。过零变负时，因为电感作用，晶闸管和中仍流过电流，并不关断。至时刻，给和加触发脉冲，因和本已承受正电压，故两管导通。和导通后，经过和分别向和施加反压使和关断，流过和电流快速转移到和上，此过程称为换相，亦称换流。至下一周期反复上述过程，如此循环下去，波形图所表示，其平均值为当初，；时，。晶闸管移相范围为090。单相桥式全控整流电路带阻感负载时，晶闸管和电压波形图所表示，晶闸管承受最大反向电压均为。晶闸管导通角和无关，均为180，其电流波形图所表示。平均值有效值分别为和。变压器二次电流波形为正负各180矩形波，图所表示，其相位由角决定，有效值。整流电路参数计算：1）整流输出电压平均值：当初，取得最大值100V即得当初，。角移相范围为90。2） 整流输出电压有效值为：3） 整流电流平均值为：4） 整流电流有效值为：5） 在一个周期内每组晶闸管各导通180，两组轮番导通，变压器二次电流是正、负对称方波，电流平均值和有效值相等，其波形系数为1。流过每个晶闸管电流平均值和有效值分别为：平均值：有效值：6） 每个晶闸管承受最大正、反向电压等于。五、 各关键元器件选择：1. 晶闸管选择：1）电压定额晶闸管额定电压通常取晶闸管(断态反复峰值电压）和（反向反复峰值电压）中较小标值作为该器件额定电压。选择时，额定电压要留有一定裕量，通常取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍。即且。所以，；考虑到留23倍裕量，所以取2）电流定额通态平均电流国际要求通态平均电流为晶闸管在环境温度为40和要求冷却状态下，稳定结温不超出额定结温时所许可流过最大工频正弦半波电流平均值。这也是标称其额定电流参数。通常根据实际波形电流和晶闸管许可最大正弦半波电流（其平均值即通态平均电流）所造成发烧效应相等（即有效值相等）标准来选择晶闸管此项电流定额，并应留一定裕量。通常取其通态平均电流为按此标准所得计算结果1.52倍。因，则晶闸管额定电流为：所以，取2. 变压器选择变压器变比为在不考虑损耗情况下，选择整流变压器容量为：六、 驱动电路设计晶闸管电流容量越大，要求触发功率越大，对于大中电流容量晶闸管，为了确保其触发脉冲含有足够功率，往往采取由晶体管组成触发电路。晶体管触发电路按同时电压形式不一样，分为正弦波和锯齿波两种。同时电压为锯齿波触发电路，不受电网波动和波形畸变影响，移相范围宽，应用广泛。所以，这里采取同时电压为锯齿波触发电路。同时电压为锯齿波触发电路输出可为双窄脉冲，也可为单窄脉冲。它由三个基础步骤组成：脉冲形成和放大、锯齿波形成和脉冲移相同时步骤。电路图以下：各点电压波形为：锯齿波是由开关V2管来控制：1） V2开关频率就是锯齿波频率由同时变压器所接交流电压决定；2） V2由导通变截止期间产生锯齿波锯齿波起点基础就是同时电压由正变负过零点；3） V2截止状态连续时间就是锯齿波宽度取决于充电时间常数R1C1；七、 保护电路晶闸管保护电路，大致能够分为两种情况：一个是在合适地方安装保护器件，比如，R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一个则是采取电子保护电路，检测设备输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超出许可值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而抑制过电压或过电流数值。1. 晶闸管过流保护晶闸管设备产生过电流原因能够分为两类:一类是因为整流电路内部原因, 如整流晶闸管损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥晶闸管损坏类较为严重, 通常是因为晶闸管因过电压而击穿,造成无正、反向阻断能力，它相当于整流桥臂发生永久性短路，使在另外两桥臂晶闸管导通时，无法正常换流，所以产生线间短路引发过电流.另一类则是整流桥负载外电路发生短路而引发过电流，这类情况时有发生，因为整流桥负载实质是逆变桥, 逆变电路换流失败，就相当于整流桥负载短路。另外，如整流变压器中心点接地，当逆变负载回路接触大地时，也会发生整流桥相对地短路。对于第一类过流，即整流桥内部原因引发过流，和逆变器负载回路接地时，能够采取第一个保护方法，最常见就是接入快速熔短器方法。见图1。快速熔短器接入方法共有三种，其特点和快速熔短器额定电流见表1。方法特点额定电流备注A型熔断器和每一个元件串联，能可靠地保护每一个元件:晶闸管通态平均电流B型能在交流、直流和元件短路时起保护作用，可靠性稍有降低：交流侧线电流和之比：整流输出电流C型直流负载侧有故障时动作，元件内部短路时不能起保护作用：整流输出电流表一：快速熔断器接入方法、特点和额定电流三种接入方法均可使用在单相桥式整流电路中，所以选A型更为可靠。以下图所表示：对于第二类过流，即整流桥负载外电路发生短路而引发过电流，则应该采取电子电路进行保护。电子电路保护原理图以下：图二可控硅触发脉冲是由一个电平信号Uk来控制，当Uk为“1”电平时，可控硅触发脉冲关断，则整流装置输出为0。当Uk为“0”电平时，可控硅触发脉冲正常输出，则整流装置输出电压为Ud。图6中，R1，R2，N组成比较器，经过RP1来设置过流保护值；V1为钳位二极管，Uk为可控硅触发脉冲输出控制信号。当整流装置输出电流超出额定值20%时，电流反馈UIFURP1，则比较器输出为“0”电平，使三极管V2截止，此时Uk为“1”电平，使整流装置输出电压为0。钳位二极管V1确保系统在出现过流时，比较器输出电位为“0”电平，使整流装置可靠关断。2. 过压保护电力电子装置中可能发生过电压分为外因过电压和内因过电压两类。外因过电压关键来自雷击和系统中操作过程等外部原因，内因过电压关键来自电力电子装置内部器件开关过程，过电压保护有避雷保护、利用非线性过电压保护、元器件保护、利用储能元器件保护、利用引入电压检测电子保护电路作过电压保护。这次我们采取储能元件保护即阻容保护。3. 电流上升率、电压上升率抑制保护电流上升率抑制晶闸管初开通时电流集中在靠近门极阴极表面较小区域，局部电流密度很大，然后以0.1mm/s扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率过大，会造成PN结击穿，必需限制晶闸管电流上升率使其在适宜范围内。其有效措施是在晶闸管阳极回路串联入电感。电压上升率抑制加在晶闸管上正向电压上升率也应有所限制,假如过大，因为晶闸管结电容存在而产生较大位移电流，该电流能够实际上起到触发电流作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引发晶闸管误导通。为抑制作用，能够在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路。八、 元器件清单元器件备注数量整流变压器变比为2，容量最少为22.2VA1个晶闸管额定电压为400V，额定电流为1A4个电阻包含负载中500电阻和触发电路保护电路中电阻若干电感包含负载中700mH电感和触发电路保护电路中电感若干电位器触发电路和过流保护电路中电位器2个二极管用于触发电路中11个电容用于保护电路和触发电路若干熔断器额定电流为1A4个三极管用于过流保护和触发电路9个九、 设计总结从这次课程设计中，我收获了很多。首先是对理论知识了解，经过课堂上学习和考试，我们对单相整流电路原理认识比较深刻，但对于整流电路具体是怎么工作却极少关注。这次课程设计中包含了驱动电路、保护电路设计和对元器件选择，这让我对单相整流电路乃至电力电子课程有了新认识，扩充了知识面。其次，经过这次课程设计，我了解到方案选择也是很关键。往往需要实现一个功效能够有很多个方案，比如实现单相整流能够有好多个方案，我们需要了解各个电路特点和设计要求，从而筛选出最适合方案。再比如设计触发电路，有很多个触发电路均能满足我们要求，但有些电路有着自己特殊功效，利用这些特殊功效来满足我们对电路特殊要求，就能选出适宜方案。这次设计难点是保护电路。因为在课堂学习中，我们对保护电路只是稍有了解，并没有具体分析设计过。这就需要我们经过上网或查阅很多书籍来学习这方面知识。这使我认识到广泛搜集资料，整合并快速学习关键性。可能我们没有涉猎过某方面知识，不过一旦需要，我们必需能快速了解这方面知识，并能加以应用，这种能力是现代社会所必需。最终感谢这次设计中帮助过我老师和同学。十、 参考文件1）王兆安 刘进军 电力电子技术 机械工业出版社2）浣喜明 姚为正 电力电子技术 高等教育出版社