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计算机系毕业设计文档书写帮助文件
目录
一．基本要求和初始设置： 2
1.1 页边距 2
1.2 纸张 2
1。3 文档网格 3
1。4 字体设置（位置：界面工具栏） 3
1。5 格式设置(位置:格式(O）—〉段落) 3
二．文件命名规则 4
三．正文部分书写样式和要求 4
3。1 开题报告： 4
3。2 外文资料和译文： 5
3。3 论文 5
附录一 样式表的操作方法 11
附录二 正文格式的操作方法 12
附录三 目录建立方法 14
附录四 查找文献资料的方法 16
一．基本要求和初始设置：
毕业论文书写的文档要求使用MS Office Word编辑和撰写，Word版本不限，但建议不要使用Word 2000以下的版本.在书写任何一个文档前要求对Word做如下初始设置：
页面设置：（位置：文件（F)->页面设置)
1。1 页边距
上，下：分别使用2.54厘米
左，右：使用3.67厘米
其他按图设置

1.2 纸张
纸张统一使用A4，
其他按照默认设置

1.3 文档网格
选用宋体小四号字作为默认字体
其它默认设置
网格选定：只指定行网格，
每页设定40行
其它默认设置

1.4 字体设置(位置：界面工具栏)

1。5 格式设置（位置：格式（O）-〉段落）
段前，段后
0行，或者0磅
行距：
1.35行距
并选中：如果定义了文档网格，则。。。。。。。
其它默认设置

除以上设置以为，书写文档前，其它全部选用Word软件的默认设置.
二．文件命名规则
所撰写的开题报告和论文,中英文翻译等文件要求统一按照以下原则命名：
文档类别_作者名字，注意：这里的“_"是英文输入状态下的下划线，如张飞的开题报告就命名为:“开题报告_张飞”。
最后毕业设计完成时，要求上交以下电子文档,并用一个文件夹包括自己的所有文件：
文件夹命名为：学号_姓名_论文题目
文件夹命名,其中的“_”为英文输入状态下的下划线，下同

【文件夹】：学号_姓名_论文题目
【Word文档】:任务书_姓名
此处文档，全部按要求命名
【Word文档】：开题报告_姓名
【Word文档】：外文资料_姓名
【Word文档】:译文_姓名
【Word文档】:论文_姓名

下面是一个例子:

三．正文部分书写样式和要求
3。1 开题报告：
开题报告直接从封面后的第一页开始写，不需要目录，分为6个部分来写：
1、选题的依据及意义；
2、国内外研究现状及发展趋势(含文献综述)；
3、本课题研究内容；
正文中的标题，不要用段前，段后，选择样式表中的标题来设置
样式表的操作见本文附录一，
4、本课题研究方案;
5、研究目标、主要特色及工作进度；
6、参考文献;
虚线框内是一个开题报告的书写样式：
一、选题的依据及意义:
正文中段首空两格，其它全部两端对齐，正文文字用宋体，小四号字，1.35倍行距，其它全部默认，关于正文格式部分的操作见附录二

语音是人类最自然流畅、方便快捷的信息交流方式，人类通过语言相互沟通，据统计，在日常生活中人类的沟通大约有75％左右是通过语音来完成的。传统的信息设备(如个人计算机PC，PDA，手机等）是用键盘、鼠标、手写或按键进行输入，主要是让人去适应机器的工作方式。语音归根到底也将成为人与计算机等信息设备进行交互的重要人机界面，而通过语音识别技术是让机器去适应人的信息交流方式。
开题报告的其它部分，格式同上
关于正文格式部分的操作见附录二
。。。
六、参考文献式样
［1］Well．Multiple-modulator fraction—n divider[P］．US Patent,5038117．1986—02-02
［2］Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991,40（2）：578—583．
［3］万心平,张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用［M]．北京：人民邮电出版社，1990．302-307．
［4］Miler．Frequency synthesizers［P］．US Patent，4609881．1991—08—06．
[5]Candy J C．A use of double—integretion in sigma—delta modulation[J]．IEEE Trans Commun，1985，33(COM):249—258．
［6］丁孝永．调制式小数分频锁相研究［D]．北京：航天部第二研究院，1997．

参考文献格式如上：
其格式为：[编号]、作者，书名，版次，出版单位，地点，页码。
字体格式同正文的格式。
参考文献以引用先后顺序编号（注于正文相应处），必须引用直接阅读的原文文献，已录用待发表的文章需引用时，必须注明刊物名称。请在文献题目后给出文献类型标识（专著[M]、论文集[C]、学位论文[D]、报告[R]、期刊[J]、标准[S]、专利[P]。

3.2 外文资料和译文：
外文资料要求挑选已经发表的文章，并注明出处。
格式:
其中，外文正文部分使用“Times New Roman”字体,小四号，中文正文还是使用宋体，小四号。其它文字要求同上3.1 开题报告要求。操作方式仍见附录二。
3。3 论文

论文是整个毕业设计最主要的部分，分以下几个部分，并按照下面的顺序写
1、 封面（选用南昌大学默认封面，封面不要显示页码）
2、 中文摘要（单独一页，页码用“I”）
3、 英文摘要Abstract（单独一页，页码用“II”）
4、 目录(单独一页开始,页码用“III,IV。..”）
5、 正文部分，从“第一章”开始写，到最后“感谢词”结束(单独一页开始,页码从“1，2，3。。。。"重新编排）分以下部分:
1） 章节，一般要求有5到6章
2） 参考文献
3） 致谢
中文摘要顶端写标题，用宋体，小二号字
虚线框内是论文的书写样式:

1、 中文摘要式样
III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光
“摘要”两个字居中写，，用宋体，四号字
LED外延片的MOCVD生长和性质研究
专 业: 学 号：
学生姓名: 指导教师:（五号宋体)
摘 要
宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景.自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据.
本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：
1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想,并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层,显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率.
…………
本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。

关键词（五号黑体）：氮化物， MOCVD， LED， 卢瑟福背散射沟道，光致发光,光透射谱

摘要正文部分：用宋体，小四号字
“关键词”三个字用黑体，小四号字，并加粗
其它如例子所示
格式操作方法见附录二

2、 虚线框内英文摘要顶端写论文英文标题用Times New Roman，字体，小二号字
是外文摘要式样

“Abstract”居中写，Times New Roman，四号字
Study on MOCVD growth and properties of III—Ⅴnitrides and high brightness blue LED wafers
Abstract
GaN based Ⅲ-Ⅴ nitrides have potential applications on high brightness LEDs， short wavelength lasers, ultraviolet detectors high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor。
More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994。
In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home—made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD) and Thomas Swan 6×2" MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure。 Some encouraging results are following as:
1。 We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates。 This idea was realized in nitrides growth in this thesis。 The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry。 The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield χmin of GaN layers was just only 1.5％. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1μA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.个人收集整理，勿做商业用途个人收集整理，勿做商业用途
…………
This work was supported by 863 program in China.
Keyword: Nitrides， MOCVD， LED, Photoluminescence， RBS/channeling， Optical absorption

摘要正文部分：Times New Roman，字体，小四号字
“Keyword”三个字用Times New Roman，字体，小四号字，并加粗
其它如例子所示
操作方法见附录二

3、虚线框内目录式样
目 录
摘要　…………………………………………………………………………………………　Ⅰ
Abstract ……………………………………………………………………………………… Ⅱ
第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”)………………………… 1
1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 …………………………………………… 1
1。 2 III族氮化物的基本结构和性质 ……………………………………………… 4
1. 3 掺杂和杂质特性 …………………………………………………………… 12
1. 4 氮化物材料的制备 ………………………………………………………………… 13
1。 5 氮化物器件 …………………………………………………………………………… 19
1. 6 GaN基材料与其它材料的比较 ……………………………………………………… 22
1。 7 本论文工作的内容与安排 …………………………………………………………… 24
第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 ………………………………………………31
2。 1 MOCVD材料生长机理 …………………………………………………………………31
2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 ………………………………………………32
…………
结论 ……………………………………………………………………………………………136
参考文献(References）………………………………………………………………………138
致谢 ……………………………………………………………………………………………150

目录新起一页开始写。
“目录”两个字：字体，四号字，居中
目录其他部分：宋体，小四号字，用Word的目录功能实现，
操作方法见附录三

4．虚线框内正文式样

第一章 GaN基半导体材料及器件进展

1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用
在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末,它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代,它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年,前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围,优良的光、电性质,优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景;并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。
…………
1．2 III族氮化物的基本结构和性质
…………
正文在目录后，新起一页开始写，
其中：标题用样式表分级别设定，至少要设定到二级标题，设置方法键附录一
正文部分，设定为宋体，五号字，设置方法见附录二

5．图表式样
表1—1用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、ac和T0的值
样品类型
实验方法
带隙温度系数
dEg/dT(eV/K)
T=300K
Eg0（eV）
ac (eV/K)

T0 (K)
参考文献
GaN/Al2O3
光致发光
—5。32´10-4
3.503
5。08´10-4
—996
61
GaN/Al2O3
光致发光
¾
3。489
7.32´10—4
700
59
GaN/Al2O3
光致发光
—4.0´10—4
¾
—7.2´10—4
600
62
GaN/Al2O3
光吸收
-4.5´10-4
~3。471
—9.3´10-4
772
63
表一定要写表名和表编号，表名写在表的前面
格式为：
“表 m-n 表名”，其中m为章编号，n为该章的表编号，如第5章的第7个表为：表5-7
表名用宋体，五号字

6．图式样

加热电阻
―――□―――■■―――□――→气流
测温元件　　　　　测温元件

图1—1风速计原理

图一定要写图名和图编号，图名写在图的后面，图要求居中，选用的图不要太大。
格式为：
“图 m-n 图名”，其中m为章编号，n为该章的图编号，如第5章的第7个图为：图5-7
图名用宋体，五号字

7、参考文献式样
参考文献(References
[1］Well．Multiple-modulator fraction—n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02—02
［2]Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2）:578—583．
[3］万心平,张厥盛．集成锁相环路—-原理、特性、应用［M]．北京：人民邮电出版社，1990．302—307．
［4]Miler．Frequency synthesizers[P］．US Patent,4609881．1991—08—06．
[5］Candy J C．A use of double—integretion in sigma-delta modulation[J]．IEEE Trans Commun，1985，33（COM）：249-258．
参考文献格式如上：
其格式为：[编号]、作者，书名，版次，出版单位，地点，页码。
字体格式同正文的格式。
参考文献以引用先后顺序编号（注于正文相应处），必须引用直接阅读的原文文献，已录用待发表的文章需引用时，必须注明刊物名称。请在文献题目后给出文献类型标识（专著[M]、论文集[C]、学位论文[D]、报告[R]、期刊[J]、标准[S]、专利[P]。
其中，参考文献（References）：四号字
其它同正文：宋体，小四号，1.35倍行距
［6］丁孝永．调制式小数分频锁相研究［D］．北京:航天部第二研究院,1997．

附录一 样式表的操作方法
1． 选中要使用样式的文字，如图：

2． 打开样式表(位置：工具栏）如图:

3． 选择合适的样式，一般情况下，标题选择：标题一或者标题二

4． 再加上标号以后，文字就变成如下形式：
附录二 正文格式的操作方法
1．选中要排版的文字,如图,这是没有排好版的文字:

2．设置文字格式，如图：

3．设置段落格式,如图:

请按照你的需要设置，主要设置的地方为：
段前，段后：0行
行距：单倍行距
还要选中：如果定义了文档网格，则对齐网格，
其他全部采用默认设置

5． 文字段首空两格，最后将得到如下文字：

在科学技术的发展进程中,材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢,后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围,优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。

6．由于大家写论文时有些文字往往不符合论文书写的要求，一定要按照上述步骤处理为标准格式的文字（仅仅针对正文部分）
附录三 目录建立方法
需要使用Word的目录功能，首先要求为每个标题选择样式，设定样式方法见附录一
1．插入目录（要求先建立标题样式）
鼠标点击需要放入目录的位置,然后选择插入(I）－〉引用－〉索引和目录

2．编辑目录选项

3．点击确定后，就会在相应的区域出现目录,然后根据设定目录的格式为宋体，五号字。
如图：

4．更新目录
若发现目录错误，或者对标题做了修改后，可以选择点右键更新域的方法来同步。见图：

附录四 查找文献资料的方法
毕业设计需要查阅大量的资料和文献，除了买一些参考书以外，充分利用现有的网络资料是查找文献最好的方式，下面介绍一些，可供南昌大学学生在校园网环境下使用.
1．学校图书馆资源 lib.ncu。

如图，学校图书馆可以查到很多相关的全文文献，进入相关数据库中输入关键字,就可以查询。（大部分都是中文资料，也有英文的）
如果,在全文中查不到你需要的资料，可以查询文摘数据库，查到需要的文章后，然后到google里去找你需要的文章下载，也可以到emule里去试试。一般都能找到原文.
上述内容只有在校园网中才能找到。

2．公共网络资源
也可以到公共网络的搜索引擎里面去找,一般使用google和baidu等工具，输入关键字，就可以找到,但这种方式比较难找,资料也难以筛选。
推荐一个地址，可以比较快的找到论文资料。
http：//scholar。google。com/

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