ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数_骊微电子.pdf

士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 1 页 60A、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 绝缘栅双极型晶体管采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。特点 60A，600V，VCE(sat)(典型值)=2.2VIC=60A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 123123CGE123123TO-3PTO-247S-3LTO-247-3LTO-3PN123 命名规则 SGT 60 N 60 F D 1 P7士兰IGBT系列电流规格，如：70表示70A等N：N沟平面栅NE：N沟平面栅带ESDT：Field Stop 3和4U：Field Stop 4+V：Field Stop 5W：Field Stop 6X：Field Stop 7电压规格，如：65表示650V120表示1200V等D：合封二极管R：集成二极管（RC IGBT）封装形式，如P7：TO-247-3L1,2,3：版本号空：标准二极管（Standard）M：标准二极管、全电流规格（Standard Full）R：快速二极管（Rapid）B：快速二极管、全电流规格（Rapid Full）S：超软二极管、全电流规格（Soft Full）L：超低速，推荐频率2KHzQ：低速，推荐频率220KHzS：标准，推荐频率540KHzF：高速，推荐频率1060KHzUF：超高速，推荐频率40KHz 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SGT60N60FD1PN TO-3P 60N60FD1 无铅 料管 SGT60N60FD1P7 TO-247-3L 60N60FD1 无铅 料管 SGT60N60FD1PS TO-247S-3L 60N60D1 无铅 料管 SGT60N60FD1PT TO-3PN 60N60FD1 无铅 料管 士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 2 页 极限参数（除非特殊说明，TC=25C）参数 符号 参数范围 单位 集电极-射极电压 VCE 600 V 栅极-射极电压 VGE 20 V 集电极电流 TC=25C IC 120 A TC=100C 60 集电极脉冲电流 ICM 180 A 耗散功率（TC=25C）PD 321 W 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻（IGBT）（TO-3P）RJC 0.39 C/W 芯片对管壳热阻（FRD）（TO-3P）RJC 1.10 C/W 芯片对环境的热阻（TO-3P）RJA 40 C/W IGBT 电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V，IC=250A 600-V 集射漏电流 ICES VCE=600V，VGE=0V-200 A 栅射漏电流 IGES VGE=20V，VCE=0V-400 nA 栅极开启电压 VGE(th)IC=250A，VCE=VGE 4.0 5.0 6.5 V 饱和压降 VCE(sat)IC=60A，VGE=15V-2.2 2.7 V IC=60A，VGE=15V，TC=125C-2.6-V 输入电容 Cies VCE=30V VGE=0V f=1MHz-2850-pF 输出电容 Coes-294-反向传输电容 Cres-85-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=60A Rg=10 VGE=15V 感性负载-36-ns 开启上升时间 Tr-142-关断延迟时间 Td(off)-193-关断下降时间 Tf-136-导通损耗 Eon-3.72-mJ 关断损耗 Eoff-1.77-开关损耗 Est-5.49-栅电荷 Qg VCE=400V，IC=60A，VGE=15V-179-nC 发射极栅电荷 Qge-23-集电极栅电荷 Qgc-100-士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 3 页 FRD 电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 二极管正向压降 VFM IF=30A，TC=25C-1.9 2.6 V IF=30A，TC=125C-1.5-二极管反向恢复时间 Trr IES=30A，dIES/dt=200A/s-38-ns 二极管反向恢复电荷 Qrr IES=30A，dIES/dt=200A/s-85-nC 士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 4 页 典型特性曲线 图1.典型输出特性图3.典型饱和电压特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图4.饱和电压 vs.栅极-发射极电压 图2.传输特性集电极电流 IC(A)栅极-发射极电压 VGE(V)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图5.饱和电压 vs.栅极-发射极电压 集电极-发射极电压 VCE(V)壳温 TC(C)图6.饱和电压 vs.壳温09018002615030120020482048161212402575150125412165060IC=30A_125 CIC=60A_125 CIC=120A_125 C02048204816121216IC=30A_25 CIC=60A_25 CIC=120A_25 C3IC=30AIC=60AIC=120A10004010001015802060506018002461203090150共射极VGE=15V1.52.53.5VGE=20VVGE=15VVGE=12VVGE=10VVGE=8V共射极VCE=20VTC=125 CTC=25 C共射极VGE=15VTC=125 CTC=25 C 士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 5 页 典型特性曲线（续）开关时间(nS)栅极电阻-Rg()图10.关断特性 vs.栅极电阻开关损耗-E(mJ)图11.开关损耗 vs.栅极电阻栅极电阻-Rg()C(pF)集电极-发射极电压 VCE(V)图7.电容特性图8.栅极电荷图9.开启特性 vs.栅极电阻栅极-发射极电压 VGE(V)栅极电荷 Qg(nC)开关时间(nS)栅极电阻-Rg()开关时间(nS)图12.开启特性 vs.集电极电流集电极电流-IC(A)0150802006123940120160VC=100VVC=200VVC=300V10006000135400010200010003000500010000010101000100205011010000101100101000030110020304050共射极VCC=400V，VGE=15V，IC=60A，TC=25 C203040505103040共射极VCC=400V，VGE=15V，IC=60A，TC=25 C6090120共射极TC=25 C共射极 VGE=0V，f=1MHz，TC=25 CCies(pF)Coes(pF)Cres(pF)Tdon(nS)Tr(ns)共射极VCC=400V，VGE=15V，RG=10，TC=25 C共射极VCC=400V，VGE=15V，IC=60A，TC=25 CTdon(nS)Tr(ns)Tdoff(nS)Tf(ns)Eon(mJ)Eoff(mJ)士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 6 页 典型特性曲线（续）反向恢复时间-Trr(ns)正向电流-IF(A)图16.反向恢复时间 vs.正向电流反向恢复电荷-Qrr(nc)图17.反向恢复电荷 vs.正向电流正向电流-IF(A)开关时间（ns）集电极电流-IC(A)图13.关断特性 vs.集电极电流图14.开关特性 vs.集电极电流图15.正向特性开关损耗（mJ）集电极电流-IC(A)正向电流-IFM(A)正向电压-VFM(V)集电极电流-ICE(A)图18.最大安全工作区域集电极-发射极电压-VCE(V)4530354010210210-110110310010110030105060402010311000200.110406080120100002012010010804060100Tdoff(nS)Tf(ns)共射极VCC=400V，VGE=15V，RG=10，TC=25 C共射极VCC=400V，VGE=15V，RG=10，TC=25 C100Eon(mJ)Eoff(mJ)10000.52.5101211.5TC=125 CTC=25 Cdi/dt=100A/sdi/dt=200A/s10002040301050604020di/dt=100A/sdi/dt=200A/s60800.1ms1ms10ms100msDC 士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 7 页 典型特性曲线（续）热阻抗（标准化）脉冲宽度(Sec)图20.瞬态热阻抗-脉冲宽度(FRD)图19.瞬态热阻抗-脉冲宽度(IGBT)热阻抗（标准化）脉冲宽度(Sec)10110010-110-310-510-110-610-310010-410-270%50%30%10%5%10-22%1%0.5%10110010-110-310-510-110-610-310010-410-210-210110270%50%30%10%5%2%1%0.5%0.2%0.2%士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 8 页 封装外形图 TO-3P 单位：毫米 F2DL2L1Lb2b1eA1cc1AbP 4.45.21.21.81.22.00.71.32.73.315.016.00.40.88.510.01.72.35.45 TYP1.02.039.041.5c1b3.015.50.6L122.623.6A1b1b2DcF2eL19.521.0L2_MAXNOMMINMILLIMETERSYMBOLA_P3.03.4_ TO-247-3L 单位：毫米 AA2A1Cb2DEE2eLL1Qbb4P 15.5016.104.405.2020.8021.3019.7220.225.80AA1A2bb2cDEE2eLL1Q4.805.005.202.212.412.591.852.002.151.111.363.252.910.510.7521.0015.805.005.44 BSC19.924.305.606.001.912.25b4MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_P3.403.80 士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 9 页 封装外形图（续）TO-247S-3L 单位：毫米 EPDb2eL3bb1L1L2D3AC2C3A1e AA1bb1b2c2c3DD35.002.501.203.102.106.005.1020.003.600.50eEL1L2PL35.505.4415.6014.604.004.805.202.302.701.101.302.903.301.902.305.506.504.955.2519.0021.005.305.705.345.5415.4015.8014.4014.803.854.150.350.653.403.80MINNOMMAXMILLIMETERSYMBOL TO-3PN 单位：毫米 b2eb1bcA2GA14.65.0PB1BDD1A 20.000.500.7018.3018.701.802.2015.2016.009.109.504.605.001.301.702.202.605.255.6519.004.801.502.402.0015.600.6018.502.903.103.309.3019.505.45MAXNOMMINMILLIMETERSYMBOLb1D1A2b2BB1DAA1cP0.801.201.00beG3.203.003.402.803.003.20 士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 10 页 重要注意事项重要注意事项：1.士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。2.客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。括其中的电路操作注意事项。3.我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。4.在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。5.购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。6.产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！7.我司网站我司网站 http:/ 士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.9 http:/ 共 11 页 第 11 页 产品名称：SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT 文档类型：说明书 版 权：杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页：http:/ 版 本：1.9 修改记录：1.修改工作结温和贮存温度范围 2.更新封装外形图 版 本：1.8 修改记录：1.增加 TO-3PN 封装 版 本：1.7 修改记录：1.增加 TO-247S-3L 封装 版 本：1.6 修改记录：1.更新声明及封装立体图 版 本：1.5 修改记录：2.更新 TO-247-3L 封装外形图 版 本：1.4 修改记录：1.修改最高结温值 版 本：1.3 修改记录：1.修改 TO-247-3L 封装的材料信息 版 本：1.2 修改记录：1.增加 TO-247-3L 封装形式 版 本：1.1 修改记录：1.修改产品规格分类 版 本：1.0 修改记录：1.正式发布版本