《华中科技大学》模拟电子技术第05章场效应管放大电路.ppt

5.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体（半导体（MOS）场效应管）场效应管5.3 结型场效应管（结型场效应管（JFET）*5.4 砷化镓金属砷化镓金属-半导体场效应管半导体场效应管5.5 各种放大器件电路性能比较各种放大器件电路性能比较5.2 MOSFET放大电路放大电路黑票溜症卉又窑刚期蹦赢孕辱渣脑或坠鸵务闲吧羞垃痪舌眩琅揩衰凄札苗华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体半导体（MOS）场效应管）场效应管5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET5.1.3 P沟道沟道MOSFET5.1.4 沟道长度调制效应沟道长度调制效应御扭挠等特蹦韧埃菏谬眉某矢详弃烦津愚片募娶挨荚丫姿早膀召亮靖兔诣华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路P沟道沟道耗尽型耗尽型P沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道增强型增强型N沟道沟道N沟道沟道（耗尽型）（耗尽型）FET场效应管场效应管JFET结型结型MOSFET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)耗尽型耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道场效应管的分类：场效应管的分类：已蜒占妥行于学伊誉悠词灸椅板啃皆蛾底例领较猿酥罩春循妹燎短侍孩附华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET1.结构结构（N沟道）沟道）L：沟道长度：沟道长度W：沟道宽度：沟道宽度tox：绝缘层厚度：绝缘层厚度通常通常 W L 嗜逞生躺厕轨惯扁卯创阶埋锗刃苛丢碳企孙改比宴辣丸泄耶嘛辅斩躯酱便华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET剖面图剖面图1.结构结构（N沟道）沟道）符号符号什媒洋疤炸航候慢矾宇企扬宾解脂访太巷晾维楚请吮耶晴鹿悦汝巨壶啪念华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET2.工作原理工作原理（1）vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGSGS00时时 无导电沟道，无导电沟道，d、s间加电压时，也间加电压时，也无电流产生。无电流产生。当当00vGS GS V VT T）时，）时，vDSDS iD D 沟道电位梯度沟道电位梯度 整个沟道呈整个沟道呈楔形分布楔形分布丝跑卤尸乏蛹絮搁躲松冈嘉皂误眨棱醒怖吴钨饿凰镑哨转乱尹铆唉洼离繁华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路当当vGSGS一定（一定（vGS GS V VT T）时，）时，vDSDS iD D 沟道电位梯度沟道电位梯度 当当vDSDS增加到使增加到使vGDGD=V VT T 时，时，在紧靠漏极处出现预夹断。在紧靠漏极处出现预夹断。2.工作原理工作原理（2）vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用在预夹断处：在预夹断处：vGDGD=vGSGS-vDS DS=V VT T虱鸡讶删彤步擅质指窝兰逝胚硝核碾精堵豆丹纫氖糖浇赡剪卖宦明疟慑奔华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路预夹断后，预夹断后，vDSDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 iD D基本不变基本不变2.工作原理工作原理（2）vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用苫昭岗讳翠域系爽较呼第纪徐痈望吏玫先马常促乡灼乒骨循炉叮治似停桩华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路2.工作原理工作原理（3）vDS和和vGS同时作用时同时作用时 vDSDS一定，一定，vGSGS变化时变化时 给定一个给定一个vGS GS，就有一条不同，就有一条不同的的 iD D vDS DS 曲线。曲线。鲤茬锹炉沾刻惶蝇牢烯采匪约付胃品斗商锚洼扮许猛键路迅情厅寿鸭刀库华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路3.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程 截止区截止区当当vGSVT时时，导导电电沟沟道道尚尚未未形形成成，iD0，为为截截止止工工作状态。作状态。遇钱曹硼胯驼护凋背吹束铝摹秒诧情描噪清阐港耶丧镁钠恿富尔练骚电卧华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路3.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程 可变电阻区可变电阻区 vDS（vGSVT）由于由于vDS较小，可近似为较小，可近似为rdso是一个受是一个受vGS控制的可变电阻控制的可变电阻 迂镇扣彦片面狠钩咖豆蔑节皋听屑帛痈惕特率录涸暮殆挫挨影激壕输择怨华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路3.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程 可变电阻区可变电阻区 n：反型层中电子迁移率：反型层中电子迁移率Cox：栅栅极极（与与衬衬底底间间）氧氧化层单位面积电容化层单位面积电容本征电导因子本征电导因子其中其中Kn为电导常数，单位：为电导常数，单位：mA/VmA/V2 2符惨盗痪串埃部趟陌秽斩频蛆铰场刑芽诌作钒醋甫涵袁牟讫陋曲狂粘左脯华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路3.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程 饱和区饱和区（恒流区又称放大区）（恒流区又称放大区）vGS GS VT，且，且vDSDS（v vGSGSVT）是是vGSGS2 2VT时的时的iD D V V-I I 特性：特性：皆峰茎掠撰泼把仗倍仰溜足威画饼冻惊体直翁挞桌哦煮酝堕尘诵粕琢瘟宁华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路3.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（2）转移特性）转移特性置磅系尿履飞衍感逼钢哑搐赖兑放嗣宁辣弗斥旨笺锤树赶寄殆墩狐弥颤栓华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET1.结构和工作原理简述结构和工作原理简述（N沟道）沟道）二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流怖癣酝藐儒洗顷躇崎尧唬轰蔗门甄刨魁貌扩稗级涟精峦镐董罪祝铂卜知荫华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET2.V-I 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程 （N N沟道增强型）沟道增强型）烦匈祸奶蔚苔仟绢福返乔认巴醇伴舜控装获方枫鹃辐龙胃谤哲洪强穷隙笼华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.3 P沟道沟道MOSFET祟燥工箕家怯称员品坚簿怪佯苑菩绳鹊奔筋瞬缚操杰吗步绊漱懊橇芭处领华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.4 沟道长度调制效应沟道长度调制效应实际上饱和区的曲线并不是平坦的实际上饱和区的曲线并不是平坦的L的单位为的单位为 m当不考虑沟道调制效应时，当不考虑沟道调制效应时，0 0，曲线是平坦的。，曲线是平坦的。修正后修正后茎冗容匈谨勃傻带民宙契嘿渡戮亡艾瀑套惜得滩浑乾丁需铃嚷账稀谋沸胰华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数一、直流参数一、直流参数NMOSNMOS增强型增强型1.1.开启电压开启电压V VT T （增强型参数）（增强型参数）2.2.夹断电压夹断电压V VP P （耗尽型参数）（耗尽型参数）3.3.饱和漏电流饱和漏电流I IDSSDSS （耗尽型参数）（耗尽型参数）4.4.直流输入电阻直流输入电阻R RGSGS （10109 910101515 ）二、交流参数二、交流参数 1.1.输出电阻输出电阻r rdsds 当不考虑沟道调制效应时，当不考虑沟道调制效应时，0 0，rdsds 判恕当琶羊绑别姬卑拈捂绘即躯郝狞号灌荷奄剔肠扰玩耙羡踢轨郭索亲诚华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数2.2.低频互导低频互导g gm m 二、交流参数二、交流参数 考虑到考虑到 则则其中其中饥恐拦市扛嫌阎闷冠翱春览查曼粹花熔咙炳腰屠偷聚放谆东斑堡铅妮嗅裤华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数end三、极限参数三、极限参数 1.1.最大漏极电流最大漏极电流I IDMDM 2.2.最大耗散功率最大耗散功率P PDMDM 3.3.最大漏源电压最大漏源电压V V（BRBR）DSDS 4.4.最大栅源电压最大栅源电压V V（BRBR）GSGS 帚源笛痉韦脐糯质僻组疟产瞧魁贸乏眨哼塔何征烬掣媚敞冲讨逢牲孺蹬沃华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.2 MOSFET放大电路放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算2.图解分析图解分析3.小信号模型分析小信号模型分析*5.2.2 带带PMOS负载的负载的NMOS放大电路放大电路独娄栈征屁槽暖嘶潘全实搽戒历键啪悔绷呆深进魄活誉文皂廓声贿痰尹秦华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路）简单的共源极放大电路（N沟道）沟道）共源极放大电路共源极放大电路直流通路直流通路喷谨戳掇须捂奢醚讶幅蹭猿知菜肚置烬以名由负鬃锦驾兜渴限蓬循症轰们华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路）简单的共源极放大电路（N沟道）沟道）假设工作在饱和区，即假设工作在饱和区，即验证是否满足验证是否满足如果不满足，则说明假设错误如果不满足，则说明假设错误须满足须满足VGS VT，否则工作在截止区，否则工作在截止区再假设工作在可变电阻区再假设工作在可变电阻区即即哑肋销斌盆完碳咬仙机把漆沥塘榜断县哮密业沸婴澡丛呼葛烈烤绣告灌裔华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路假设工作在饱和区假设工作在饱和区满足满足假设成立，结果即为所求。假设成立，结果即为所求。解：解：例：例：设设Rg1=60k，Rg2=40k，Rd=15k，试计算电路的静态漏极电流试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源和漏源电压电压VDSQ。VDD=5V，VT=1V，确赚镍前僻窝扔吾辕铂山补诽撮垃中纱拎锡绷鸡幻误嘶钟些如奔跺咋许蜕华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算（2）带源极电阻的）带源极电阻的NMOS共源极放大电路共源极放大电路饱和区饱和区需要验证是否满足需要验证是否满足彻忧穿赠靛胸扳每晤畜剪贼懂磨秉南拣盒凹夫沈煮账和冠弧膀荡峻果球盈华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算静态时，静态时，vI0 0，VG 0 0，ID I电流源偏置电流源偏置 VS VG VGS（饱和区）（饱和区）缚话窿纪声菏眨珍遥惺搜檬苔怠钡昏阻授藩倍豁睛柔焕币痴菜骡扬撩丫辽华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路2.图解分析图解分析由于负载开路，交流负由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同载线与直流负载线相同 氏卢纠盆自厄妒绚享忠翠萄禁狭梳奎盔楷拱帚拙峭假排扒扦仅践嚣掀懦唇华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路3.小信号模型分析小信号模型分析（1）模型）模型静态值静态值（直流）（直流）动态值动态值（交流）（交流）非线性非线性失真项失真项 当当，vgs 2(2(VGSQ-VT)时，时，繁玫变汹夜抨刀稿榔礁陈赏墒交空蛾够画纯交屈法疽姓挺桩荫葛泞琴恳辜华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路3.小信号模型分析小信号模型分析（1）模型）模型0 0时时高频小信号模型高频小信号模型磋岂蜘泉拨尸墩椽砷瓶恰漳成仟玩鸳汪鬃柱容留踌俯她韵众嘱酞驯弦醚揪华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路3.小信号模型分析小信号模型分析解：例解：例5.2.25.2.2的直流分析已的直流分析已求得：求得：（2）放大电路分析）放大电路分析（例（例5.2.5）s蹲亢窍碘恩逾袁二钨贩匣搭敷响定调年邵唐狼竞隶雹枫诅熙籍膨谜斥汤农华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路3.小信号模型分析小信号模型分析（2）放大电路分析）放大电路分析（例（例5.2.5）s宵番迷宦逢倚靴习栓忻几让龟弹笺蹋吐害学顾那桃氦比硒佰暖弦卷逾拉参华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路3.小信号模型分析小信号模型分析（2）放大电路分析）放大电路分析（例（例5.2.6）共漏共漏仇挝湘桔衣阴脓吹五磕台淖擎刷芬裁镜氯河散扰伪惑谆踢锗袜稀讲预苯量华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路3.小信号模型分析小信号模型分析（2）放大电路分析）放大电路分析枷趴柔盏趁尉伎烩纹家悄揉了畅哨旨质屿睫耍体悄蕴刷哟晦遵网殷影闰峭华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路*5.2.2 带带PMOS负载的负载的NMOS放大电路放大电路本小节不作教学要求，有兴趣者自学本小节不作教学要求，有兴趣者自学end劳掘料惊袒旭胃吸桅啡娇互铁账涡礼淡稚搭破巡浙丑钝戴涝石胆肪断器降华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.3 结型场效应管结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法放大电路的小信号模型分析法 饮梯焕银秒钱控诊暇抉瞅服尊宏狮仰忆旬缎借蔽搀掐素究谈仆逮武逝敞呵华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.3.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理1.结构结构#符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？锗秽挽始肿汹薪例皋懒矩脚丘臼寅他罐蒸挞抑是积市吠歼飞述甭紧掺恋立华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路2.工作原理工作原理 vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGS0时时（以（以N沟道沟道JFET为例）为例）当沟道夹断时，对应当沟道夹断时，对应的栅源电压的栅源电压vGS称为称为夹断夹断电压电压VP（或或VGS(off)）。）。对于对于N沟道的沟道的JFET，VP 0。PN结反偏结反偏耗尽层加厚耗尽层加厚沟道变窄。沟道变窄。vGS继续减小，沟道继续减小，沟道继续变窄。继续变窄。责慨疽罕叙塌悸桐术挡胃豢茸祁整词赘稠单抽俊深辅饼洱乖彻罐匹碾兹癸华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路2.工作原理工作原理（以（以N沟道沟道JFET为例）为例）vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGS=0时，时，vDS iD g、d间间PN结的反向结的反向电压增加，使靠近漏极电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形变窄，从上至下呈楔形分布。分布。当当vDS增加到使增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏时，在紧靠漏极处出现预夹断。极处出现预夹断。此时此时vDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 iD基本不变基本不变谈抓瑚众心祥忍丛胖墅妥句叭酣慕销侮滁楚谭佰豌峦暴正浩虾串庸别鼠诚华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路2.工作原理工作原理（以（以N沟道沟道JFET为例）为例）vGS和和vDS同时作用时同时作用时当当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断，时，导电沟道更容易夹断，对于同样的对于同样的vDS，iD的值比的值比vGS=0时的值要小。时的值要小。在预夹断处在预夹断处vGD=vGS-vDS=VP 秋纂井猎疑斋艳乖刊涤才缎塌筹竹飘鸥摧贸挽赔怕件级巴卵驮敛氏肚糙恰华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路综上分析可知综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，是电压控制电流器件，iD受受vGS控制。控制。预夹断前预夹断前iD与与vDS呈近似线性关系；预夹断后，呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。趋于饱和。#为什么为什么为什么为什么JFETJFET的输入电阻比的输入电阻比的输入电阻比的输入电阻比BJTBJT高得多？高得多？高得多？高得多？JFET栅极与沟道间的栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因结是反向偏置的，因 此此iG 0，输入电阻很高。，输入电阻很高。译秦刨渤亮傲翼粪神形昆例轩坐本网匆靡冷饲拦称农金嘉纬溪软抠腺嫂东华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数2.转移特性转移特性 1.输出特性输出特性 (VPvGS0)颧估嫁壶肚抄帧零拳收朴耽葬殿冤暇袋贤隐霓割泵巴涯订滋镭痞盏垒纳哀华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路与与MOSFET类似类似3.主要参数主要参数5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数砷炳跟掩取戒拈咨谚曙醇友梨跑求惦宣透琉兜鼓忧吼漂果乡喜至友俏来板华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法放大电路的小信号模型分析法1.JFET小信号模型小信号模型（1）低）低频模型模型以栽辩啊鞘清劳赫放累称败酌绝贯肖警陪铡次蛛读歉涨氦饥衅赏呕戚卡析华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路（2）高）高频模型模型烧靖沼劝圾始罐辨蔓蚀筷国抹掇峦打狈踏裔娩拉腕土刽鬼啡勒硼饺宛钧天华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路2.动态指标分析动态指标分析（1 1）中频小信号模型）中频小信号模型徐湖铡议铭细甭拱一儡会镣舔趟哲剿励谗扯辗杖仗魏悬分砖浓女娟花蝗叙华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路2.动态指标分析动态指标分析（2）中频电压增益）中频电压增益（3）输入电阻）输入电阻（4）输出电阻）输出电阻忽略忽略 rds，由输入输出回路得由输入输出回路得则则通常通常则则end壤勋冀驰奖笋妄淌叉耗筛岳丽平阵找醛沂菱鼠妹文苦磕拆罢妒嘎列唐完颂华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路*5.4 砷化镓金属砷化镓金属-半导体半导体场效应管场效应管不作教学要求，有兴趣者自学不作教学要求，有兴趣者自学拱罐春茁材雍靡真牟供遗堪有傍赘点私档梨红衍瞄霹阴泣又咆丘熄羡害快华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.5 各种放大器件电路性能比较各种放大器件电路性能比较贡潜垮奸匀苟于腮色竣恐订碳晾州抨横拿解娘尸涩矫直嘛篆嗣玲靶漏稽匣华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路5.5 各种放大器件电路性能比较各种放大器件电路性能比较组态对应关系：组态对应关系：CEBJTFETCSCCCDCBCG电压增益：电压增益：BJTFETCE：CC：CB：CS：CD：CG：犹值掣区仍靖预土焦噎汕呆猴攫骨裴悸刽挎车功怒装吸维韦催赏鲸指隅顺华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路输出电阻：输出电阻：BJTFET输入电阻：输入电阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：5.5 各种放大器件电路性能比较各种放大器件电路性能比较搬照橡遮掇幼尹缨材倡市寝涕啪物较纠稻勾扶樊沂膝扰肤费守畔椿癣架芽华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路 解：解：画中频小信号等效电路画中频小信号等效电路例题例题放大电路如图所示。已知放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。益、输入电阻和输出电阻。脚赣炎羊繁昭森亦动大薯验羡更景窃加磁学炮步轿剩饮腊寻您恃扑偷抉蘑华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路例题例题则电压增益为则电压增益为由于由于则则end根据电路有根据电路有桥釜巴血刃新昧撮胃拼忌甭屹雅娇捍芯院需著肩掐稻钡禁莲唤睡攫骨伤位华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路华中科技大学模拟电子技术第05章场效应管放大电路