1、 SVF3878PN 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 7 页 第 1 页 9A、900V N沟道场效应管 描述 SVF3878PN N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用士兰微电子特有的 F-CellTM结构 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，H 桥PWM 马达驱动。特点 9A，900V，RDS(on)(typ.)=1.0VGS=10V 低栅极电荷量 低 Crss 开关速度快
2、提升了 dv/dt 能力 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF3878PN TO-3P 3878 无铅 料管 极限参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 符 号 参数范围 单位 漏源电压 VDS 900 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25C ID 9.0 A TC=100C 5.7 漏极脉冲电流 IDM 27.0 A 耗散功率（TC=25C）-大于 25C 每摄氏度减少 PD 150 W 1.2 W/C 单脉冲雪崩能量（注 1）EAS 966 mJ 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性
3、参 数 符 号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻 RJC 0.83 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 50 C/W SVF3878PN 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 7 页 第 2 页 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250A 900-V 漏源漏电流 IDSS VDS=900V,VGS=0V-100 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30V,VDS=0V-10.0 A 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS，ID=2
4、50A 2.5-4.5 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V,ID=4.5A-1.0 1.28 输入电容 Ciss VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz-2009-pF 输出电容 Coss-208-反向传输电容 Crss-46.5-开启延迟时间 td(on)VDD=400V,RG=25,ID=4.0A (注 2,3)-21.67-ns 开启上升时间 tr-27.60-关断延迟时间 td(off)-83.73-关断下降时间 tf-29.73-栅极电荷量 Qg VDD=450V,VGS=10V,ID=9.0A (注 2,3)-67.8-nC 栅极-源极电荷量 Qgs-10.1-栅极
5、-漏极电荷量 Qgd-38.6-源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N结-9.0 A 源极脉冲电流 ISM-27.0 源-漏二极管压降 VSD IS=9.0A,VGS=0V-1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=9.0A,VGS=0V,dIF/dt=100A/S (注 2)-715-ns 反向恢复电荷 Qrr-6.47-C 注注：1.L=30mH,IAS=7.70A,VDD=100V,RG=25,开始 TJ=25C；2.脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比1.5%；3.基本上不受工作温度的影响。SVF
6、3878PN 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 7 页 第 3 页 典型特性曲线 SVF3878PN 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 7 页 第 4 页 典型特性曲线（续）SVF3878PN 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 7 页 第 5 页 典型测试曲线 SVF3878PN 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 7 页 第 6 页 封装外形图 TO
7、-3P 单位：mm MOS电路操作注意事项：静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止 MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：声明声明：操作人员要通过防静电腕带接地。设备外壳必须接地。装配过程中使用的工具必须接地。必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。士兰保留说明书的更改权士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最并验证相关信息是否完整和最新新。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用买方有责
8、任在使用 Silan 产品进行系统设计和整产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！产品提升永无止境产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品更优秀的产品！注意！静电敏感器件 操作 ESDS 产品应采取 防护措施 SVF3878PN 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 7 页 第 7 页 产品名称：SVF3878PN 文档类型：说明书 版 权：杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页：http:/ 版 本：1.0 修改记录：1.正式版本发布
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