ESD与latchup测试介绍-PPT.pptx

ESD与latchup测试介绍1、ESD模型分类因ESD产生得原因及其对集成电路放电得方式不同,经过统计,ESD放电模型分下列四类:(1)人体放电模式(Human-Body Model,HBM)(2)机器放电模式(Machine Model,MM)(3)组件充电模式(Charged-Device Model,CDM)(4)电场感应模式(Field-Induced Model,FIM)另外还有两个测试模型:(5)对于系统级产品测试得IEC电子枪空气放电模式(6)对于研究设计用得TLP模型人体放电模式(Human-Body Model,HBM)l人体放电模式(HBM)得ESD就是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体上已累积了静电,当此人去碰触到IC时,人体上得静电便会经由IC得脚(pin)而进入IC内,再经由IC放电到地去,如图2、1-1(a)所示。此放电得过程会在短到几百毫微秒(ns)得时 间内产生数安培得瞬间放电电流,此电流会把IC内得组件 给烧毁。不同HBM静电电压相对产生得瞬间放电电流与时间得关系 显示于图2、1-1(b)。对一般商用IC得2-KV ESD放电电压而言,其瞬间放电电流得尖峰值大约就是1、33 安培。机器放电模式(Machine Model,MM)l有关于HBM得ESD已有工业测试得标准:l图显示工业标准(MIL-STD-883C method 3015、7)得等效电路图,其中人体得 等效电容定为100pF,人体得等效放电电阻定为1、5K。l表就是国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD)对人体放电模式订定测试规范(EIA/JESD22-A114-A)机器放电模式(Machine Model,MM)l机器放电模式得ESD就是指机器(例如机械手臂)本身累积了静电,当此机器去碰触到IC时,该静电便经由IC得pin放电。因为机器就是金属,其等效电阻为0,其等效电容为200pF。由于机器放电模式得等效电阻为0,故其放电得过程更短,在几毫微秒到几十毫微秒之内会有数安培得瞬间放电电流产生。l此机器放电模式工业测试标准为 EIAJ-IC-121 method20,其等效电路图与等级如下:机器放电模式(Machine Model,MM)l2-KV HBM与200-V MM得放电比较如图,虽然HBM得电压2 KV比MM得电压200V来得大,但就是200-V MM得放电电流却比2-KV HBM得放电电流来得大很多,放电电流波形有上下振动(Ring)得情形,就是因为测试机台导线得杂散等效电感与电容互相耦合而引起得。因此机器放电模式对IC得破坏力更大。l国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD)亦对此机器放电模式订定测试规范(EIA/JESD22-A115-A)组件充电模式组件充电模式(Charged-Device Model,CDM)CDM模式ESD可能发生得情形显示:(1)IC自IC管中滑出后,带电得IC脚接触接到地面而形成放电现象。(2)IC自IC管中滑出后,IC脚朝上,但经由接地得金属工具 而放电。(1)(2)电场感应模式电场感应模式(Field-Induced Model,FIM)FIM模式得静电放电发生就是因电场感应而起得。当IC因输送带或其它因素而经过一电场时,其相对极性得电荷可能会自一些IC脚而排放掉,等IC通过电场之后,IC本身便累积了静电荷,此静电荷会以类似CDM得模式放电出来。有关FIM得放电模式早在双载子(bipolar)晶体管时代就已被发现,现今已有工业测试标准。国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD)中亦有此电场感应模式订定测试规范(JESD22-C101)。HBM,MM与CDM模型参数比较大家学习辛苦了,还就是要坚持继续保持安静继续保持安静2KV HBM,200V MM,与1KV CDM得放电电流比较,其中1KV CDM得放电电流在不到1ns得时间内,便已冲到约15安培得尖峰值,但其放电得总时段约在10ns得时间内便结束。此种放电现象更易造成集成电路得损伤。HBM,MM与CDM比较2、HBM与与MM测试方法标准测试方法标准HBM测试方法及标准1、ANSI-STM5、1-2001 JESD22-A114D-2005 AEC-Q100-002D-20032、该标准用于明确HBM模式下得ESD电压敏感度得测试、评价以及分级过程3、整个测试过程繁琐,尤其对仪器及脉冲波形得校验工作,但非常必要4、ESD测试中,器件不在工作状态2、HBM与与MM测试方法标准测试方法标准HBM测试方法及标准1、ANSI-STM5、1-2001 JESD22-A114D-2005 AEC-Q100-002D-20032、该标准用于明确HBM模式下得ESD电压敏感度得测试、评价以及分级过程3、整个测试过程繁琐,尤其对仪器及脉冲波形得校验工作,但非常必要4、ESD测试中,器件不在工作状态2、HBM与与MM测试方法标准测试方法标准2、HBM与与MM测试方法标准测试方法标准2、HBM与与MM测试方法标准测试方法标准HBM与与MM测试方法测试方法所有管脚(一次一根)对(第X组)接地管脚(接地)所有管脚(一次一根)对(第y组)电源管脚(接地)所有I/O管脚(一次一根)对所有其她I/O管脚(接地)NC管脚依美军标MIL-883不测试依民标ESDA/JEDEC/AEC均要求测试 在每一测试模式下,IC得该测试脚先被打上(Zap)某一ESD电压,而且在同一ESD电压下,IC得该测试脚必须要被Zap三次,每次Zap之间得时间间隔约一秒钟,Zap三次之后再观瞧该测试脚就是否己被ESD所损坏,若IC尚未被损坏则调升ESD得电压,再Zap三次。此ESD电压由小而逐渐增大,如此重复下去,直到该IC脚己被ESD所损坏,此时造成IC该测试脚损坏得ESD测试电压称为静电放电故障临界电压(ESD failure threshold)。HBM/MM测试内容测试内容 如果每次调升得ESD测试电压调幅太小,则测试到IC脚损坏要经过多次得ESD放电,增长测试时间;若每次调升得ESD测试电压太大,则难以较精确测出该IC脚得ESD耐压能力。规定:n正负极性均要测试n从低压测到高压,起始电压为70%得平均ESD failure threshold(VESD)n步进当小于1000V时步进50V(100V),大于1000V时步进100V(250V,500V)n可以就是一个管脚步进测量或者所有管脚扫描测量HBM/MM测量方法测量方法最短间隔时间与测试次数上述测试得方法在MM/CDM中都就是相同得l每一脚都有ESD failure threshold。此颗IC得ESD failure threshold定义为所有IC脚中ESD failure threshold最小得那个电压值,因此,该颗IC得ESD failure threshold仅达500V。lIC制程特性有时会有小幅得(10%)漂移,所以在相同批次IC中随机取样至少大于5颗。lHMB ESD failure photo3、CDM模型与测试方法标准模型与测试方法标准3、CDM模型与测试方法标准模型与测试方法标准6、拴锁测试、拴锁测试6、拴锁测试、拴锁测试6、拴锁测试、拴锁测试6、拴锁测试、拴锁测试使用使用curve tracter测试拴锁测试拴锁6、拴锁测试、拴锁测试8、ESD测试标准与分类根据根据ESD模式分类模式分类lHBM测试标准测试标准lMM测试标准测试标准lCDM测试标准测试标准根据提出标准得组织分类根据提出标准得组织分类lJESD22系列系列,JEDEC Solid State Technology Association(Joint Electron Device Engineering Council)提出提出lANSI-ESDSTM5、X系列系列,ESDA协会提出协会提出lAEC-Q100系列系列,汽车电子委员会汽车电子委员会Automotive Electronics Council提出提出lMIL-STD-883E系列系列,美国军方国防部提出美国军方国防部提出HBM测试特点测试特点lHBM测试标准基本上就是依据美国军方测试标准测试标准基本上就是依据美国军方测试标准MIL-STD-883E改进而成改进而成lHBM与与MM测试方法差不多测试方法差不多lCDM测试方法与测试仪器与前两者差别大测试方法与测试仪器与前两者差别大