1、电力电子技术课后习题答案 第2章 电力电子器件 1. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im,试
2、计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。 图1-43 晶闸管导电波形 解:a) Id1==()0.2717 Im I1==0.4767 Im b) Id2 ==()0.5434 Im I2 ==0.898 Im c) Id3==0.25Im I3 ==0.5Im 4. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少? 解:额定电流I T(A
3、V) =100A的晶闸管,允许的电流有效值I =157A,由上题计算结果知 a) Im1329.35, Id10.2717 Im189.48 b) Im2232.90, Id20.5434 Im2126.56 c) Im3=2 I = 314, Id3= Im3=78.5 5. GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益和,由普通晶闸管的
4、分析可得,+=1是器件临界导通的条件。+>1,两个等效晶体管过饱和而导通;+<1,不能维持饱和导通而关断。 GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同: 1) GTO在设计时较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断; 2) GTO导通时的+更接近于1,普通晶闸管+1.15,而GTO则为+1.05,GTO的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件; 3) 多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 6. 如何防止
5、电力MOSFET因静电感应应起的损坏? 答:电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容,当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过20的击穿电压,所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏,应注意以下几点: ① 一般在不用时将其三个电极短接; ② 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地; ③ 电路中,栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高 ④ 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 7. IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点? 答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出
6、电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。 GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简
7、单。 8. 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。 答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,du/dt或过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。 RCD缓冲电路中,各元件的作用是:开通时,Cs经Rs放电,Rs起到限制放电电流的作用;关断时,负载电流经VDs从Cs分流,使du/dt减小,抑制过电压。 9. 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。 解:对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表: 器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流
8、冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 电 力 MOSFET 开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率
9、不超过10kW的电力电子装置 第3章 整流电路 1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L=20mH,U2=100V,求当α=0°和60°时的负载电流Id,并画出ud与id波形。 解:α=0°时,在电源电压u2的正半周期晶闸管导通时,负载电感L储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。在电源电压u2的负半周期,负载电感L释放能量,晶闸管继续导通。因此,在电源电压u2的一个周期里,以下方程均成立: 考虑到初始条件:当wt=0时id=0可解方程得: ==22.51(A) ud与id的波形如下图: 当α=60°时,在
10、u2正半周期60°~180°期间晶闸管导通使电感L储能,电感L储藏的能量在u2负半周期180°~300°期间释放,因此在u2一个周期中60°~300°期间以下微分方程成立: 考虑初始条件:当wt=60°时id=0可解方程得: 其平均值为 ==11.25(A) 此时ud与id的波形如下图: 2.图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁化问题吗?试说明:①晶闸管承受的最大反向电压为2;②当负载是电阻或电感时,其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。 答:具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,该变压器没有直流磁
11、化的问题。 因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中,正负半周内上下绕组内电流的方向相反,波形对称,其一个周期内的平均电流为零,故不会有直流磁化的问题。 以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。 ① 以晶闸管VT2为例。当VT1导通时,晶闸管VT2通过VT1与2个变压器二次绕组并联,所以VT2承受的最大电压为2。 ② 当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角a 相同时,对于电阻负载:(0~α)期间无晶闸管导通,输出电压为0;(α~π)期间,单相全波电路中VT1导通,单相全控桥电路中VT1、VT4导通,输出电压均与电源电压u2相等;(π~π+α)期间,均无晶闸
12、管导通,输出电压为0;(π+α ~ 2π)期间,单相全波电路中VT2导通,单相全控桥电路中VT2、VT3导通,输出电压等于- u2。 对于电感负载:(α ~ π+α)期间,单相全波电路中VT1导通,单相全控桥电路中VT1、VT4导通,输出电压均与电源电压u2相等;(π+α ~ 2π+α)期间,单相全波电路中VT2导通,单相全控桥电路中VT2、VT3导通,输出波形等于- u2。 可见,两者的输出电压相同,加到同样的负载上时,则输出电流也相同。 3.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,当α=30°时,要求:①作出ud、id、和i2的波形;
13、 ②求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值I2; ③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解:①ud、id、和i2的波形如下图: ②输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值I2分别为 Ud=0.9 U2 cosα=0.9×100×cos30°=77.97(V) Id=Ud /R=77.97/2=38.99(A) I2=Id =38.99(A) ③晶闸管承受的最大反向电压为: U2=100=141.4(V) 考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为: UN=(2~3)×141.4=283~424(V) 具体数值可按晶闸管产品
14、系列参数选取。 流过晶闸管的电流有效值为: IVT=Id∕=27.57(A) 晶闸管的额定电流为: IN=(1.5~2)×27.57∕1.57=26~35(A) 具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。 4.单相桥式半控整流电路,电阻性负载,画出整流二极管在一周内承受的电压波形。 解:注意到二极管的特点:承受电压为正即导通。因此,二极管承受的电压不会出现正的部分。在电路中器件均不导通的阶段,交流电源电压由晶闸管平衡。 整流二极管在一周内承受的电压波形如下: 5.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,反电势E=60V,当
15、a=30°时,要求: ① 作出ud、id和i2的波形; ② 求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次侧电流有效值I2; ③ 考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解:①ud、id和i2的波形如下图: ②整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次侧电流有效值I2分别为 Ud=0.9 U2 cosα=0.9×100×cos30°=77.97(A) Id =(Ud-E)/R=(77.97-60)/2=9(A) I2=Id =9(A) ③晶闸管承受的最大反向电压为: U2=100=141.4(V) 流过每个晶闸管的电流的有效值为: IVT=Id
16、 ∕=6.36(A) 故晶闸管的额定电压为: UN=(2~3)×141.4=283~424(V) 晶闸管的额定电流为: IN=(1.5~2)×6.36∕1.57=6~8(A) 晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。 6. 晶闸管串联的单相半控桥(桥中VT1、VT2为晶闸管),电路如图2-11所示,U2=100V,电阻电感负载,R=2Ω,L值很大,当a=60°时求流过器件电流的有效值,并作出ud、id、iVT、iD的波形。 解:ud、id、iVT、iD的波形如下图: 负载电压的平均值为: =67.5(V) 负载电流的
17、平均值为: Id=Ud∕R=67.52∕2=33.75(A) 流过晶闸管VT1、VT2的电流有效值为: IVT=Id=19.49(A) 流过二极管VD3、VD4的电流有效值为: IVD=Id=27.56(A) 11.三相半波可控整流电路,U2=100V,带电阻电感负载,R=5Ω,L值极大,当a=60°时,要求: ① 画出ud、id和iVT1的波形; ② 计算Ud、Id、IdT和IVT。 解:①ud、id和iVT1的波形如下图: ②Ud、Id、IdT和IVT分别如下 Ud=1.17U2cosa=1.17×100×cos60°=58.5(V
18、 Id=Ud∕R=58.5∕5=11.7(A) IdVT=Id∕3=11.7∕3=3.9(A) IVT=Id∕=6.755(A) 12.在三相桥式全控整流电路中,电阻负载,如果有一个晶闸管不能导通,此时的整流电压ud波形如何?如果有一个晶闸管被击穿而短路,其他晶闸管受什么影响? 答:假设VT1不能导通,整流电压ud波形如下: 假设VT1被击穿而短路,则当晶闸管VT3或VT5导通时,将发生电源相间短路,使得VT3、VT5也可能分别被击穿。 13.三相桥式全控整流电路,U2=100V,带电阻电感负载,R=5Ω,L值极大,当a=60°时,要求: ① 画出
19、ud、id和iVT1的波形; ② 计算Ud、Id、IdT和IVT。 解:①ud、id和iVT1的波形如下: ②Ud、Id、IdT和IVT分别如下 Ud=2.34U2cosa=2.34×100×cos60°=117(V) Id=Ud∕R=117∕5=23.4(A) IDVT=Id∕3=23.4∕3=7.8(A) IVT=Id∕=23.4∕=13.51(A) 23.带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同? 答:带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有以下异同点: ①三相桥式电路是两组三相半波电路串联,而双反
20、星形电路是两组三相半波电路并联,且后者需要用平衡电抗器; ②当变压器二次电压有效值U2相等时,双反星形电路的整流电压平均值Ud是三相桥式电路的1/2,而整流电流平均值Id是三相桥式电路的2倍。 ③在两种电路中,晶闸管的导通及触发脉冲的分配关系是一样的,整流电压ud和整流电流id的波形形状一样。 24.整流电路多重化的主要目的是什么? 答:整流电路多重化的目的主要包括两个方面,一是可以使装置总体的功率容量大,二是能够减少整流装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰。 25.12脉波、24脉波整流电路的整流输出电压和交流输入电流中各含哪些次数的谐波? 答:12脉波电路整流电路的交流输入电
21、流中含有11次、13次、23次、25次等即12k±1、(k=1,2,3···)次谐波,整流输出电压中含有12、24等即12k(k=1,2,3···)次谐波。 24脉波整流电路的交流输入电流中含有23次、25次、47次、49次等,即24k±1(k=1,2,3···)次谐波,整流输出电压中含有24、48等即24k(k=1,2,3···)次谐波。 26.使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么? 答:条件有二: ①直流侧要有电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流电路直流侧的平均电压; ②要求晶闸管的控制角α>π/2,使Ud为负值。 27.三相全控桥变流器,反电动势阻
22、感负载,R=1Ω,L=∞,U2=220V,LB=1mH,当EM=-400V,b=60°时求Ud、Id与g 的值,此时送回电网的有功功率是多少? 解:由题意可列出如下3个等式: Ud=2.34U2cos(π-β)-ΔUd ΔUd=3XBId∕π Id=(Ud-EM)∕R 三式联立求解,得 Ud=[2.34πU2R cos(π-β)+3XBEM]∕(πR+3XB)=-290.3(V) Id=109.7(A) 由下式可计算换流重叠角: -=2XBId∕U2=0.1279 =-0.6279 γ=128.90°-120°=8.90° 送回电网的有功功率为 P==400×
23、109.7-109.72×109.7×1=31.85(W) 28.单相全控桥,反电动势阻感负载,R=1Ω,L=∞,U2=100V,L=0.5mH,当EM=-99V,b=60°时求Ud、Id和g 的值。 解:由题意可列出如下3个等式: Ud=0.9U2cos(π-β)-ΔUd ΔUd=2XBId∕π Id=(Ud-EM)∕R 三式联立求解,得 Ud=[πR 0.9U2cos(π-β)+2XBEM]∕(πR+2XB)=-49.91(V) Id=49.09(A) 又∵ -=∕U2=0.2181 即得出 =-0.7181 换流重叠角 g =135.9°-
24、 120°=15.9° 29.什么是逆变失败?如何防止逆变失败? 答:逆变运行时,一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流,称为逆变失败或逆变颠覆。 防止逆变失败的方法有:采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交流电源的质量,留出充足的换向裕量角β等。 30.单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中,当负载分别为电阻负载或电感负载时,要求的晶闸管移相范围分别是多少? 答:单相桥式全控整流电路,当负载为电阻负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~
25、180°,当负载为电感负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90°。 三相桥式全控整流电路,当负载为电阻负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 120°,当负载为电感负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90°。 第4章 逆变电路 1.无源逆变电路和有源逆变电路有何不同? 答:两种电路的不同主要是: 有源逆变电路的交流侧接电网,即交流侧接有电源。而无源逆变电路的交流侧直接和负载联接。 2.换流方式各有那几种?各有什么特点? 答:换流方式有4种: 器件换流:利用全控器件的自关断能力进行换流。全控型器件采用此换流方式。
26、 电网换流:由电网提供换流电压,只要把负的电网电压加在欲换流的器件上即可。 负载换流:由负载提供换流电压,当负载为电容性负载即负载电流超前于负载电压时,可实现负载换流。 强迫换流:设置附加换流电路,给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压换流称为强迫换流。通常是利用附加电容上的能量实现,也称电容换流。 晶闸管电路不能采用器件换流,根据电路形式的不同采用电网换流、负载换流和强迫换流3种方式。 3.什么是电压型逆变电路?什么是电流型逆变电路?二者各有什么特点。 答:按照逆变电路直流测电源性质分类,直流侧是电压源的称为逆变电路称为电压型逆变电路,直流侧是电流源的逆变电路称为电流型逆变
27、电路 电压型逆变电路的主要特点是: ①直流侧为电压源,或并联有大电容,相当于电压源。直流侧电压基本无脉动,直流回路呈现低阻抗。 ②由于直流电压源的钳位作用,交流侧输出电压波形为矩形波,并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。 ③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率,直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。 电流型逆变电路的主要特点是: ①直流侧串联有大电感,相当于电流源。直流侧电流基本无脉动,直流回路呈现高阻抗。 ②电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径,因此交流侧输出电
28、流为矩形波,并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电压波形和相位则因负载阻抗情况的不同而不同。 ③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率,直流侧电感起缓冲无功能量的作用。因为反馈无功能量时直流电流并不反向,因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。 4.电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么?为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管? 答:在电压型逆变电路中,当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率,直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。当输出交流电压和电流的极性相同时,电流经电路中的可控开关器件流通,而当输出
29、电压电流极性相反时,由反馈二极管提供电流通道。 在电流型逆变电路中,直流电流极性是一定的,无功能量由直流侧电感来缓冲。当需要从交流侧向直流侧反馈无功能量时,电流并不反向,依然经电路中的可控开关器件流通,因此不需要并联反馈二极管。 第5章 直流斩波电路 1.简述图3-1a所示的降压斩波电路工作原理。 答:降压斩波器的原理是:在一个控制周期中,让V导通一段时间ton,由电源E向L、R、M供电,在此期间,uo=E。然后使V关断一段时间toff,此时电感L通过二极管VD向R和M供电,uo=0。一个周期内的平均电压Uo=。输出电压小于电源电压,起到降压的作用。
30、 2.在图3-1a所示的降压斩波电路中,已知E=200V,R=10Ω,L值极大,EM=30V,T=50μs,ton=20μs,计算输出电压平均值Uo,输出电流平均值Io。 解:由于L值极大,故负载电流连续,于是输出电压平均值为 Uo===80(V) 输出电流平均值为 Io ===5(A) 3.在图3-1a所示的降压斩波电路中,E=100V, L=1mH,R=0.5Ω,EM=10V,采用脉宽调制控制方式,T=20μs,当ton=5μs时,计算输出电压平均值Uo,输出电流平均值Io,计算输出电流的最大和最小值瞬时值并判断负载电流是否连续。当ton=3μs时,重新进行上述计算。
31、 解:由题目已知条件可得: m===0.1 τ===0.002 当ton=5μs时,有 ρ==0.01 ar==0.0025 由于 ==0.249>m 所以输出电流连续。 此时输出平均电压为 Uo ===25(V) 输出平均电流为 Io ===30(A) 输出电流的最大和最小值瞬时值分别为 Imax===30.19(A) Imin===29.81(A) 当ton=3μs时,采用同样的方法可以得出: αρ=0.0015 由于 ==0.149>m 所以输出电流仍然连续。 此时输出电压、电流的平均值以
32、及输出电流最大、最小瞬时值分别为: Uo ===15(V) Io ===10(A) Imax==10.13(A) Imin==9.873(A) 4.简述图3-2a所示升压斩波电路的基本工作原理。 答:假设电路中电感L值很大,电容C值也很大。当V处于通态时,电源E向电感L充电,充电电流基本恒定为I1,同时电容C上的电压向负载R供电,因C值很大,基本保持输出电压为恒值Uo。设V处于通态的时间为ton,此阶段电感L上积蓄的能量为。当V处于断态时E和L共同向电容C充电并向负载R提供能量。设V处于断态的时间为toff,则在此期间电感L释放的能量为。当电路工作于稳态时,一个周期T中
33、电感L积蓄的能量与释放的能量相等,即: 化简得: 式中的,输出电压高于电源电压,故称该电路为升压斩波电路。 5.在图3-2a所示的升压斩波电路中,已知E=50V,L值和C值极大,R=20Ω,采用脉宽调制控制方式,当T=40μs,ton=25μs时,计算输出电压平均值Uo,输出电流平均值Io。 解:输出电压平均值为: Uo ===133.3(V) 输出电流平均值为: Io ===6.667(A) 6.试分别简述升降压斩波电路和Cuk斩波电路的基本原理,并比较其异同点。 答:升降压斩波电路的基本原理:当可控开关V处于通态时,电源E经V向电感L供电使其贮






