1、单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,学 号,122103,报告人 汪 炳 伟,化,学修饰调节双层石墨烯带隙的密度泛函估算,汇报提纲,背景介绍,计算方法,结果与讨论,结论,1,2,3,4,D.W.Boukhvalov and M.I.Katsnelson,Phys.Rev.B,78,085413(2008),1,、背景介绍,Chiral“Klein”tunneling,1,1 M.I.Katsnelson,K.S.Novoselov,and A.K.Geim,
2、Nat.Phys.,2,620(2006).,2 X.Liu,A.F.Morpurgo,and L.M.K.Vandersypen,Nat.Mater.7,151(2008).,在晶体管上的应用,双,层,石,墨,烯,打开电子能谱中的真实带隙,HOW,?,施加强垂直电场,2,化学修饰,2,、计算方法,1),计算方法的选择与主要参数设置,SIESTA Package,GGA,Energy mesh cutoff of 400 Ry,K-point 411*11*1 mesh,W.L.Wang,S.Meng,and E.Kaxiras,Nano Lett.,8,241(2008),2),石墨烯化学掺杂最稳构型,3,、结果与讨论,3,、结果与讨论,4,、结论,1,单侧掺杂修饰，带隙打开值在,0.6-0.7ev,，双侧掺杂可使能带带隙打开在一个更大的范围；,2,卤素原子或其与氢原子共掺杂可使带隙值在,2-3ev,，但其值不可精确调节；,3,由周期表中第二周期元素组成的不同原子基团掺杂，可以使带隙值在,2-3ev,，且可以以,0.2ev,的幅度进行调节；,4,掺杂剂和水分子之间的相互作用可以实现带隙约,0.2ev,的变化，因此不同类型的溶剂也可用来调节带隙。,
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