1、单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第,7,章 半导体器件基础,7.1,半导体的基本知识,7.2,半导体二极管,7.3,双极型晶体管,7.4,晶体管的主要参数,7.5,场效应晶体管,7.1,半导体的基本知识,半导体得到广大应用的主要原因在于它的导电能力在外界不同因素的作用下会发生很大的变化。其主要表现为：,热敏性,、,光敏性和掺杂性。,7.1.1,本征半导体及其导电性,硅单晶共价键结构及电子空穴队的产生,7.1.2,杂质半导体,N,型半导体,P,型半导体,7.1.3 PN,结,1.PN,结的形成机理,2.,结的单向导电性,7.2,半导体二极管
2、7.2.1,二极管的结构,7.2.2,二极管的伏安特性,PN,结电流方程：,单向导电的特性,:,二极管电路模型,7.2.3,特殊二极管,1.,稳压二极管,其正常工作状态是反向可逆击穿状态,2.,变容二极管和光电器件,光电耦合器,7.3,双极型晶体管,7.3.1,晶体管（三极管）的结构、工作状态和电路组态,（,1,）发射结正向偏置（简称正偏）、集电结反向偏置 （简称反偏）时，管处于放大工作状态。（,2,）发射结正偏，集电结也正偏时，为饱和状态。（,3,）发射结反偏，集电结也反偏时，为截止状态。,晶体管电路组态,7.3.2,晶体管工作原理,晶体管内部载流子的传输过程,7.3.3,晶体管的特性曲线
3、 共发射极管特性曲线,7.4,晶体管的主要参数,主要参数：,1.,电流放大系数,2.,反向电流,3.,特征频率,极限参数：,7.5,场效应管,7.5.1,结型场效应管（,JFET,）,JFET,工作原理,变化改变导电沟道,JFET,输出特性曲线,JFET,转移特性曲线,7.5.2,绝缘栅场效应管,(IGFET)MOS,管结构示意图和电路符号,IGFET,（,NMOS,型）工作原理 耗尽层和导电沟道的形成,NMOS,（,E,型）管的特性曲线,NMOS,（,D,型）管的结构及电路符号,各种MOS管的特性曲线,7.5.3,场效应管的主要参数,1.,直流参数,2.,交流参数,低频跨导,、,极间电容,3.,极限参数,7.5.4 FET,和,BJT,的比较,参见书上,179,页,
浙ICP备2021020529号-1 | 浙B2-20240490 
