1、单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,晶体二极管,一、二极管的伏安特性及电流方程,二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性,开启电压,反向饱和电流,击穿电压,温度的,电压当量,从二极管的伏安特性可以反映出：,1.,单向导电性,2.,伏安特性受温度影响,T,（）,在电流不变情况下管压降,u,反向饱和电流,I,S,，,U,(BR),T,（）,正向特性左移,，反向特性下移,正向特性为指数曲线,反向特性为横轴的平行线,二、稳压二极管,1.,伏安特性,进入稳压区的最小电流,不至于损坏的最大电流,由一个,PN,结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本
2、不变，为稳定电压。,2.,主要参数,稳定电压,U,Z,、,稳定电流,I,Z,最大功耗,P,ZM,I,ZM,U,Z,动态电阻,r,z,U,Z,/,I,Z,例：,P67,四,.,已知,三、其他二极管,1.,发光二极管（指示灯）,开启电压较大。,2.,光电二极管（遥控，报警，光耦，光电传感器）,光变化 电流变化,1.3,晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,多子浓度高,多子浓度很低，且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个,PN,结。,小功率管,中,功率管,大功率管,为什么有
3、孔？,二、晶体管的放大原理,扩散运动形成发射极电流,I,E,，,复合运动形成基极电流,I,B,，,漂移运动形成集电极电流,I,C,。,少数载流子的运动,因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区,因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合,因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区,基区空穴的扩散,电流分配：,I,E,I,B,I,C,I,E,扩散运动形成的电流,I,B,复合运动形成的电流,I,C,漂移运动形成的电流,穿透电流,集电结反向电流,直流电流放大系数,交流电流放大系数,为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,为
4、什么,U,CE,增大曲线右移？,对于小功率晶体管，,U,CE,大于,1V,的一条输入特性曲线可以取代,U,CE,大于,1V,的所有输入特性曲线。,为什么像,PN,结的伏安特性？,为什么,U,CE,增大到一定值曲线右移就不明显了？,1.,输入特性,2.,输出特性,是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下,?,对应于一个,I,B,就有一条,i,C,随,u,CE,变化的曲线。,为什么,u,CE,较小时,i,C,随,u,CE,变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？,饱和区,放大区,截止区,晶体管的三个工作区域,晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流,i,C,几乎仅仅决定于输入回路的电流,i
5、B,，,即可将输出回路等效为电流,i,B,控制的电流源,i,C,。,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,直流参数,：、,I,CBO,、,I,CEO,c-e,间击穿电压,最大集电极电流,最大集电极耗散功率，,P,CM,i,C,u,CE,安全工作区,交流参数：,、,、,f,T,（使,1,的信号频率）,极限参数,：,I,CM,、,P,CM,、,U,（,BR,）,CEO,讨论一,1.,分别分析,u,I,=0V,、,5V,时,T,是工作在截止状态还是导通状态；,2.,已知,T,导通时的,U,BE,0.7V,，若,u,I,=5V,，则,在什么范围内,T,处于放大状态,?,在什么范围内,T,处于饱和状态？,通过,u,BE,是否大于,U,on,判断管子是否导通。,临界饱和时,饱和区,
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