《光纤通信》_第4讲_光器件(1).ppt

第四讲,(1),光源,Optical source,主要内容,一、半导体激光器工作原理和基本结构,二、半导体光源之一,:LD,三、光发射机基本组成及驱动电路和自动功率,控制,四、半导体光源之二,:LED,五、光电检测器及光接收机,3/2/2026,2,引言,一、,光纤通信系统对光源的基本要求：,（,1,）稳定性好，可在室温下连续工作；,（,2,）尺寸和结构要小；,（,3,）光波应匹配光纤的两个低损耗波段；,（,4,）,信号调制容量大。,3/2/2026,3,引言,二,、,最常用的发光器件：,（,1,）,LD,：,半导体激光二极管或称激光器,(LD),a.,极窄的光谱带宽；,b.,极大的调制容量；,c,有定向输出特性；,d.,辐射具有光相干特性。,适用于长距离，大容量，高码速系统,（,2,）,LED,：,发光二极管或称发光管,(LED),a.,非,相干的自发辐射；,b.,结构及工作方式简单；,适用于短距离，低速，模拟系统,3/2/2026,4,第一节 半导体激光器工作原理和基本结构,半导体激光器,是向半导体,PN,结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的。,激光,，其英文,LASER,就是,Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(,受激辐射的光放大,),的缩写。,所以讨论激光器工作原理要从受激辐射开始。,一、受激辐射和粒子数反转分布,有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应。在物质的原子中，存在许多能级，最低能级,E1,称为,基态,，能量比基态大的能级,Ei,（,i=2,，,3,，,4,）,称为,激发态,。,3/2/2026,5,以前所学过的有关知识,半导体是由大量原子周期性有序排列构成的,共价晶体,。在这种,晶体,中，由于,邻近原子的作用,，电子所处的能态扩展成能级连续分布的,能带,。,能量低的能带称为,价带,，能量高的能带称为,导带,，导带底的能量,Ec,和价带顶的能量,Ev,之间的能量差,Ec-Ev,=,Eg,称为,禁带宽度,或,带隙,。电子不可能占据禁带。,3/2/2026,6,受激辐射和粒子数反转分布,电子在低能级,E1,的基态和高能级,E2,的激发态之间的跃迁有三种基本方式：,1.,光的,受激吸收,：,stimulated transition,2.,光的,自发辐射,：,spontaneous emission,3.,光的,受激辐射,:,stimulated emission of radiation,E,Ec,Ev,Eg,光子,hf,Ec,Ev,Eg,光子,hf,Ec,Ev,Eg,光子,hf,光子,hf,E,E,空穴复合,留下空穴,3/2/2026,7,受激辐射和粒子数反转分布（续）,受激辐射和自发辐射产生的光的特点,很不相同,。受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为,相干光,。自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在,一定范围内,，相位和偏振态是混乱的，这种光称为,非相干光,。,产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。设在单位物质中，处于低能级,E,1,和处于高能级,E,2,(E,2,E,1,),的粒子数分别为,N,1,和,N,2,。,当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布：,N,2,/N,1,=exp(-(E,2,-E,1,)/kT),3/2/2026,8,受激辐射和粒子数反转分布（续）,N,2,/N,1,=exp(-(E,2,-E,1,)/kT),式中，,k=1.381,10,-23,J/K,，,为,波尔兹曼常数,，,T,为热力学温度。由于,(E,2,-E,1,),0,，,T,0,，,所以在这种状态下，总是,N,1,N,2,。,这是因为电子总是首先占据低能量的轨道。受激吸收和受激辐射的速率分别,比例于,N,1,和,N,2,，,且比例系数（吸收和辐射的概率）相等。,如果,N,1,N,2,，,即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物质时，光强按指数衰减，这种物质称为,吸收物质,。如果,N,2,N,1,，,即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为,激活物质,。,N,2,N,1,的分布，和正常状态,N,1N,2,的分布相反，所以称为,粒子（电子）数反转分布,。,3/2/2026,9,二、激光振荡和光学谐振腔,光学谐振腔的结构,粒子数反转分布是产生受激辐射的必要条件，但还不能产生激光。只有把激活物质置于,光学谐振腔,中，对光的频率和方向进行选择，才能获得连续的光放大和激光振荡输出。,在增益物质两端，适当的位置，放置两个反射镜,M1,、,M2,，,使其互相平行，就构成了最简单的光学谐振腔,(,也称法布里,-,珀罗，,F-P,谐振腔,),。,如果反射镜是平面镜，称为,平面腔,；如果反射镜是球面镜，则称为,球面腔,，结构如图所示。,3/2/2026,10,谐振腔如何产生激光振荡,对于两个反射镜，要求其中一个能全反射，如,M1,的反射系数,r=1,；,另一个为部分反射，如,M2,的反射系数,r,1,。,产生的激光,由此射出,。,当工作物质在泵浦源的作用下，变为激活物质以后，即有了放大作用，如果被放大的光有一部分能够反馈回来再参加激励，这就相当于电路中用正反馈实现振荡，这时，被激励的光就可产生振荡，满足一定条件后，即可发出激光。,泵浦源,：使工作物质产生粒子数反转分布的外界激励源，称为,泵浦源,。,3/2/2026,11,谐振腔如何产生激光振荡（续）,将在泵浦源激发下，处于粒子数反转分布状态的工作物质，置于光学谐振腔内，,腔的轴线应该与激活物质的轴线重合,。被放大的光在谐振腔内，在两个反射镜之间来回反射，并不断地激发出新的光子，进一步进行放大。但在这个运动过程中也要消耗一部分能量（不沿谐振腔轴向传输的光波，会很快射出腔外，以及,M2,反射镜的透射等也会损耗部分能量），,当放大足以抵消腔内的损耗时,，就可以使这种运动不停地进行下去，即形成,光振荡,。当满足一定条件后，就会从反射镜,M2,透射出来一束笔直的,强光,，即是激光。,3/2/2026,12,谐振腔如何产生激光振荡（小结）,综上所述，可得出结论：,激光器的组成：三要素,工作物质：又称增益物质；,谐振腔：提供必要的反馈以及进行频率选择。,激励源：激发工作物质实现,NcNv,的外界能源。如 正向偏置的,PN,结激光器,激光的特性方向性好；,亮度大；,单色性好；,相干性好。,3/2/2026,13,三、激光器的参量,1,发射波长和光谱特性,半导体激光器的发射波长取决于导带的电子跃迁到价带时所释放的能量，这个能量,近似,等于,禁带宽度,Eg(eV,),，,得到,hf,=Eg,式中，,f=c/,，,f(Hz),和,(um),分别为发射光的频率和波长，,c=3,10,8,m/s,为光速，,h=6.628,10,-34,Js,为普朗克常数，,1eV=1.6,10,-19,J,，,代入上式得到,=,hc/Eg,=1.24/Eg,不同半导体材料有不同的禁带宽度,Eg,，,因而有不同的发射波长,。,镓铝砷,-,镓砷（,GaAlAsGaAs,）,材料适用于,0.85um,波段，铟镓砷磷,-,铟磷（,InGaAsP,InP,）,材料适用于,1.3,1.55um,波段。,3/2/2026,14,三、激光器的参量,图示是,GaAlAs,DH,激光器的光,谱特性。在直流驱动下，发射光,波长有一定分布，谱线具有明,显的,模式结构,。这种结构的产生,是因为导带和价带都是由许多,连,续能级,组成的有一定宽度的,能带,，,两个能带中不同能级之间电子的,跃迁会产生,连续波长的,辐射光。,其中只有符合激光振荡的相位条,件的波长存在,。这些波长取决于,激光器,纵向长度,L,，,并称为,激光器,的纵模,。,3/2/2026,15,三、激光器的参量,随着驱动电流的增加，纵模模数逐渐减少，谱线宽度变窄。这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的,选择,，使边模消失、主模,增益增加而产生的。当驱动,电流足够大时，多纵模变为,单纵模，这种激光器称为,静态单纵模激光器,。,右图所示是,300Mb/s,数字调制的光谱特性，由,图可见，随着调制电流增,大，,纵模模数增多,，,谱线,宽度变宽,。,3/2/2026,16,三、激光器的参量,2,、,平均衰减系数,a,在光学谐振腔内产生振荡的先决条件，是放大的光能要足以抵消腔内的损耗，而谐振腔内损耗的大小，我们用平均衰减系数,a,表示。为,a=a,i,+a,r,=a,i,+(1/,2l,)*(1/r,1,r,2,),其中：,a,i,是除反射镜透射损耗以外的其他所有损耗所引起的衰减系数；,a,r,是谐振腔反射镜的透射损耗引起的衰减系数；,l,是谐振腔两个反射镜之间的距离；,r,1,、,r,2,是腔的两个反射镜的功率反射系数。,3/2/2026,17,三、激光器的参量（续）,3,、,增益系数,G,激活物质的放大作用，我们用增益系数,G,来表示。,如图所示,I,0,为激活物质的输入光强，经过距离,Z,以后，光强放大到,I,，,到了（,Z,dZ,）,处，光强为（,I,dI,），,那么，在,dZ,长度上，光强的增量,dI,为,dI,GI/,dZ,其中,G=(,dI,dZ,),I,称为,增益系数,，,它表示光通过单位,长度的激活物质之,后，光强增长的百,分比。,3/2/2026,18,三、激光器的参量（续）,4,、,阀值条件,一个激光器并不是在任何情况下都可以发出激光的，它需要满足一定的条件。由前面对衰减系数的概念可以看出，要使激光器产生自激振荡，,最低限度应要求激光器的增益刚好能抵消掉它的衰减,。我们就将激光器能产生激光振荡的最低限度称为激光器的,阈值条件,。,从上面分析可知，阈值条件为：,Gt,=,a=a,i,+(1/,2l,)*(1/r,1,*r,2,),其中,Gt,称为阈值增益系数。可见，激光器的阈值条件，只决定于光学谐振腔的固有损耗。损耗越小，阈值条件越低，激光器就越容易起振。,3/2/2026,19,三、激光器的参量（续）,5,、,谐振频率,谐振频率是光学谐振腔的重要参数。,对于平行平面腔而言，由于腔的尺寸远大于工作波长，因此，腔内的电磁波可认为是,均匀平面波,，而且在腔内往返运动时，是,垂直于反射镜而投射,，如图。从,A,点出发的平面波，垂直投射到反射镜,M2,，由,M2,反射后又垂直投射向,M1,。,再回到,A,点时，波得到加强。如果它们之间的相位差是,2,的整数倍时，显然就达到了,谐振,。,3/2/2026,20,三、激光器的参量（续）,设,L,为谐振腔的长度，,g,为谐振腔介质中光波的波长,此时应有：,L=(,g,*q)/2,其中,q=1,，,2,，,3,。,上式表明，光波在谐振腔中往返一次，光的距离,2L,恰好为,g,的整数倍，即相位差是,2,的整数倍。可得出光波长的表示式为,g,=2L/q,此即为光学谐振腔的,谐振条件,或,称驻波条件,。,3/2/2026,21,三、激光器的参量（续）,当光学谐振腔内，工作物质的折射指数为,n,时，则折算到,真空的,光学谐振腔的谐振波长,og,、与谐振频率,f,og,为,og,=,n,g,=2nL/q,f,og,=,c/,og,=cq/2nL,由上面两式可看出：,(1,）,og,与光学谐振腔内材料的折射率,n,有关；,(2,）当,q,不同时，可有不同的,f,og,值，即有无穷多个谐振频率。,分布,反馈,激光器,3/2/2026,22,第二节 半导体光源之一,:LD,半导体激光器是利用在有源区中受激而发射光的光器件。只有在工作电流越过阈值电流的情况下，才会输出激光（相干光），因而是,有阈值的器件,。,半导体砷化镓（,GaAs),：,在光纤通信中使用的激光物质都是,GaAs,。,GaAs,是高掺杂的,-,族化合物。当掺入,族,Te,原子取代,As,原子，自由,电子多，形成,N,型半导体,当掺入,族,Zn,原,子取代,Ga,原子，空穴多，,形成,P,型半导体。,S,+,-,p,n,laser,reflection,PN,结激光器的示意,3/2/2026,23,半导体的能带和电子分布,(a),本征半导体；,b),N,型半导体；,(c)P,型半导体,回忆一下,相关知识,3/2/2026,24,一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用,E,f,位于禁带中央来表示，,E,f,称为费米能级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。,在本征半导体中掺入施主杂质，称为,N,型半导体,。,在本征半导体中掺入受主杂质，称为,P,型半导体,。,在,P,型和,N,型半导体组成的,PN,结界面上，由于存在多数载流子,(,电子或空穴,),的梯度，因而产生扩散运动，形成,内部电场,。,内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到,P,区和,N,区的,E,f,相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜。,3/2/2026,25,P,区,PN,结空,间电,荷区,N,区,内部电场,扩散,漂移,P-N,结内载流子运动；,PN,结的能带和电子分布,3/2/2026,26,势垒,能量,E,p,c,P,区,E,n,c,E,f,E,p,v,N,区,E,n,v,零偏压时,P-N,结的能带倾斜；,3/2/2026,27,h,f,h,f,E,f,E,p,c,E,p,f,E,p,v,E,n,c,n,E,n,v,电子，,空穴,内部电场,外加电场,正向偏压下,P-N,结能带图,获得粒子数反转分布,3/2/2026,28,增益区的产生,：,在,PN,结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，,结果能带倾斜减小，扩散增强。,电子运动方向与电场方向相反，便使,N,区的电子向,P,区运动，,P,区的空穴向,N,区运动，最后在,PN,结形成一个特殊的,增益区,。,增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得,粒子数反转分布,。,在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生,自发辐射光,。,3/2/2026,29,现在所用最普遍的激光器是,异质结半导体激光器,它们的,“,结,”,是由不同的半导体材料制成的。主要目的是为了降低阈值电流，提高效率。目前，光纤通信用的激光器大多是,铟镓砷磷,(InGaAsP),双异质结条形激光器,，由剖面图中可以看出，它是由五层半导体材料构成。,2.1 LD,的结构,3/2/2026,30,其中,n,InGaAsP,是,发光的作用区,，作用区的上、下两层称为,限制层,，它们和作用区构成,光学谐振腔,。限制层和作用区之间形成,异质结,。最下面一层,n,InP,是,衬底,，顶层,P,+,-InGaAsP,是,接触层,，其作用是为了改善和金属电极的接触。顶层上面数微米宽的窗口为条形电极,。,InGaAsP,双异质结条形激光器的基本结构,3/2/2026,31,p,t,i,t,p,脉冲调制,2.2 LD,调制特性,改变光波的,振幅、强度、频率、相位、偏振,等参量，使之载荷信息的过程，就是光,调制,。,.,按调制信号类型分：模拟调制 脉冲调制,.,按信号与光源的关系分：直接调制（内）间接调制（外）,.LD-,内调制,IM,调制,消光比,EXT,全,“,0,”,码时平均光功率输出,EXT=-10%,全,“,1,”,码时平均光功率输出,一个被调制的好的光源，希望在,“,0,”,码是没,有光功率输出，否则它使光纤系统产生噪声，,从而使接收灵敏度降低。一般要求,EXTV,bb,I,2,=0 LD,不发光 “,0”,码,.,当,V,in,V,bb,I,1,=0 LD,发光 “,1”,码,3.2,驱动电路和自动功率控制,3/2/2026,38,V,in,+V,V,bb,i,s,T,1,T,2,A,LD,PD,I,1,I,2,V,R,LD,驱动电路,图为反馈稳定式,LD,驱动电路,.,P,LD,U,pd,(U,pd,+V,R2,+V,R,),U,A,I,b,P,LD,v,R2,I,b,3/2/2026,39,LD,辅助,电路,V,in,V,bb,T,1,T,2,A1,LD,A2,A3,-V,-V,T,3,C,PiN,.,自动功率控制,(APC),电路,.,因老化,P,光,A1,A3,偏置电流,P,光,.A2,的作用防止当无信号或长,“,0,”,码时，因,APC,电路使,LD,管注入电流增加，引起误码。,3/2/2026,40,LD,辅助,电路,A,T,1,自动温度控制（,ATC,）,电路,半导体制冷器,T,是一个热电偶，加压后，在一端吸热另一端放热实现制冷,(,使,LD,管芯的温度恒定在,20,左右）。,.,TT,LD,RtI,T,LD,-V,LD,R,1,R2,R,3,R,t,T,+V,3/2/2026,41,第四节,半导体光源之二,:LED,发光二极管利用正向偏压下的,PN,结在激活区中载流子,的复合发出自发辐射的光，因此,LED,的出射光是一种,非相干光,，其谱线较宽（,30nm,60nm,），,辐射角也较大。在低速率的数字通信和较窄带宽的模拟通信系统中，,LED,是可以选用的最佳光源，与半导体激光器相比，,LED,的驱动电路较为简单，并且产量高、成本低。,LED,主要有五种结构类型，但在光纤通信中获得了广泛应用的只有两种，即,面发光二极管（,SLED,）,和,边发光二极管（,ELED,）,。,3/2/2026,42,半导体光源之二,:LED,LED,是无阈值器件，发荧光。,工作特性：,光谱较宽；,输出线性好，动态范围大，适于模拟通信；,寿命长。,LED,发散角较大，与光纤的耦合效率低，适于短距离通信；温度特性好，无阈值电流，一般不需要,ATC,（,自动温度控制,电路）；,发光二极管是由,P,型半导体形成的,P,层和,N,型半导体形成的,N,层，以及在,中间由异质结构成的有源层,组成。有源层是发光的区域，其厚度为,0.lum,0.2um,左右。,3/2/2026,43,4.1,发光二极管的主要特性,PI,特性,LED的输出光功率,P,与电流,I,的关系，即,PI,特性如图,所示，是非阈值器件，,发光功率随工作电流增,大，并在大电流时逐渐,饱和,。,LED,的工作电流,通常为,50 mA,100mA,，,这时偏置电压,l.2V,l.8V,，,输出功率约几,mw,。,4 3 2 1 0,50 100 150,0,25,70,电流,/,mA,输出功率,/mW,3/2/2026,44,工作温度升高时，同样工作电流下,LED,的输出功率要下降。例如当温度从,20,升高到,70,时，输出功率下降约一半，,相对而言，温度的影响要比,LD,小,。,光谱特性,LED,的工作原理,基于半导体的自发辐射,。由于半导体材料的导带和价带都由许多不同的能级组成。,大多数,的载流子,复合发生在平均带隙上,，,但也有一些复合发生在最低及最高能级之间,。设平均带隙为,Eg,，,则偏移量,Eg,在,1kT,2kT,范围内（,K,为玻尔兹曼常数，为,1.38,e,-23,焦耳,/,度，,T,为结温）。因此，,LED,的发射波长在其,中心值附近占据较大的范围,。把光强,下降一半时的两点间波长范围定义为输出谱线宽度（半功率点全宽,FWHP,）,，,如下图所示。在室温下，短波长,LED,的线宽约为,25nm,40nm,，,长波长,LED,的线宽则可达,75 nm,100 nm,。,3/2/2026,45,LED,的线宽与许多因素有关，如：线宽随有源层掺杂浓度的增加而增加。,由于,LED,的线,宽大，使光纤色,散加重，从而限,制了传输距离和,速率。,导体的价带能级间的光发射及线宽,3/2/2026,46,4.2,调制特性,从,LED,的,P-I,特性可见：,当注入小电流时：其线性相当好。,当注入较大电流时：,PN,结发热而逐渐饱和。,因此对模拟传输来说，,LED,工作在线性区是很合适的,。但对线性要求特别高时，需要进行线性补偿。,在数字调制时，,可由电流源直接调制控制,LED,的通断,；,在模拟调制时，则先要将,LED,直流偏置,。,3/2/2026,47,LED,调制特性,图示出由三极管组成的,共发射极驱动电路,，这种简单的驱动电路主要用于以发光二极管,LED,作为光源的光发射机。数字信号,U,in,从三极管,V,的基极输入，通过集电极的电流驱动,LED,。,数字信号,“,0”,码和“,1”,码对应于,V,的截止和饱和状态,，,电流的大小根据对输出光,信号幅度的要求确定。这,种驱动电路适用于,10 Mb/s,以下的低速率系统。,3/2/2026,48,LDI,光纤接收和发射模块,AIRPAK,SONET Receiver/Transmitter,52Mb/s,155Mb/s,and 622Mb/s,For OC1,OC3,OC12,STM-1/STM-4,3/2/2026,49,Thank You,3/2/2026,50,