第1章-习题解答课件.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第一章常用半导体器件,2011年9月,1,第一章,N,型半导体：,在本征半导体中掺入五价元素(如磷)构成的杂质半导体。,P,型半导体：,在本征半导体中掺入三价元素(如硼)构成的杂质半导体。,微变电阻,r,d,PN,结的电流方程,常温下（T=300K）U,T,26mV,PN,结正向偏置,P,正,N,负,导通,PN,结反向偏置,P,负,N,正，截止,稳压管：稳定电压,U,Z，,稳定电流,I,Z,、额定功耗,2,第一章,三极管：,由两个,PN,结背靠背组成,结构特点,符号,I,B,I,E,I,C,I,E,I,C,I,B,I,B,I,E,=I,C,+I,B,i,C,m,A,A,V,V,U,CE,U,BE,R,b,i,B,V,CC,V,BB,R,C,3,第一章,输出特性曲线,i,C,(,m,A ),1,2,3,4,U,CE,(V),3,6,9,12,I,B,=0,20,A,40,A,60,A,80,A,100,A,放大区,I,C,=,I,B,截止区,I,B,0,I,C,0,饱和区,I,C,I,B,临界饱和,U,CE,=,U,BE,U,BC,=,0,5,第一章,输出特性三个区域的特点:,(1)截止区：,发射结,反,偏,U,BE,U,ON,U,CE,U,BE,I,E,=I,C,+I,B，,I,C,=,I,B,且,I,C,=,I,B,(3)饱和区：,发射结正偏，集电结正偏。,U,BE,U,ON,U,CE,U,BE,I,C,3.7V时，D,1,导通，D,2,截止，U,0,=3V+0.7V=3.7V,二极管正向导通反向截止,U,i,-3.7V时，D,1,截止，D,2,导通，U,0,=(-0.7V)+(-3V)=-3.7V,-3.7V U,i,V,b,V,e,Si管:V,be,=0.7V,Ge管:V,be,=0.2V,PNP,型,V,e,V,b,V,c,Si管:V,be,=-0.7V,Ge管V,be,=-0.2V,e,b,c,e,b,c,e,b,c,e,b,c,e,b,c,e,b,c,PNP,Si,NPNSi,NPN,Si,PNP,Ge,PNP,Ge,NPN,Ge,23,第一章,1.10 电路如图所示，晶体管导通时,U,BE,0.7V,=50。试分析,V,BB,为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压,u,O,的值,解：（1）当V,BB,0时，,T截止,I,B,=0,I,C,=0,u,O,V,CC,-I,C,R,C,=V,CC,=12V,（2）当,V,BB,1V时,，因为,（3）当,V,BB,3V时,，因为,I,CQ,I,CM,所以T处于放大状态,V,CC,T处于饱和状态,24,第一章,1.11 电路如图所示，晶体管的,50，|,U,BE,|0.2V，饱和管压降|,U,CES,|0.1V；稳压管的稳定电压,U,Z,5V，正向导通电压,U,D,0.5V。试问：当,u,I,0V时,u,O,？当,u,I,5V时,u,O,？,解：当,u,I,0时，,晶体管截止，稳压管击穿，,u,O,U,Z,5V。,当,u,I,5V时，,晶体管饱和，,u,O,U,CES,=-0.1V。,或者：,晶体管饱和,26,第一章,1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。,解：（a）可能 （b）可能 （c）不能,（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能,27,第一章,