单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,*,例一：某一维晶体的电子能带为：E(k)=E,0,1-0.1cos(ka)-0.3sin(ka)，其中E,0,=3eV，晶格常数a=510,-11,m。求：1）能带宽度；2）能带底和能带顶的有效质量。,例,二,：某半导体晶体价带顶附近能量,E,可表示为：,E(k)=E,max,-10,26,k,2,现将其中一波矢,k=10,7,i/cm,的电子移走，试求此电子留下的空穴的有效质量，波矢及速度。,例,三：,设,晶,格势场对电子的作用力为,F,i,，电子受到的外场力为,F,e,，试证明,：,m,*,n,=,m,0,F,e,/,(,F,i,+,F,e,),式中,m,*,n,与,m,0,分别为电子的有效质量和惯性质,量,。,例,三,：已知一维晶体的电子能带可写成,式中,a,为晶格常数。试求：,1,）能带的宽度；,2,）电子的波矢,k,状态时的速度；,3,）能带底部和顶部电子的有效质量。,例：锑化铟能隙,E,g,=0.23eV,，介电常数,=18,，电子有效质量,m,e,=0.015m,0,，试计算：,1,）施主电离能；,2,）基态轨道半径；,3,）施主浓度最小应为多大，就会出现相邻杂质原子轨道间的显著交迭？,
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