大学物理(下)期末复习.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,N,M,1,3.9.3,马吕斯定律,（1880 年）,检偏器,起偏器,N,M,马吕斯定律 强度为 的偏振光通过检偏振器后,出射光的强度为,例,13-11,使一束部分偏振光垂直射向一偏振片，在保持偏振片平面方向不变而转动偏振片 的过程中，发现透过偏振片的光的最大强度是最小强度的,3,倍。试问在入射光束中，线偏振光的强度是总强度的几分之几？,解,例,有两个偏振片,一个用作起偏器,一个用作检偏器.当它们偏振化方向间的夹角为 时,一束单色自然光穿过它们,出射光强为 ;当它们偏振化方向间的夹角为 时,另一束单色自然光穿过它们,出射光强为 ,且 .求两束单色自然光的强度之比.,解 设两束单色自然光的强度分别为 和,.,经过起偏器后光强分别为 和,.,经过检偏器后,在两块正交偏振片 之间插入另一块偏振片 ，光强为 的自然光垂直入射于偏振片 ，讨论转动 透过 的光强 与转角的关系.,讨论,若 在 间变化，如何变化？,9.3.4,高斯定理的应用,其步骤为,对称性分析；,根据对称性选择合适的高斯面；,应用高斯定理计算,.,（用高斯定理求解的静电场必须具有一定的,对称性,）,9.3,电场强度通量 高斯定理,第,9,章 静电场,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,例,9-6,均匀带电球壳的电场强度,一半径为,均匀带电 的薄球壳,.,求球壳内外任意点的电场强 度,.,解（,1,）,（,2,）,9.3,电场强度通量 高斯定理,第,9,章 静电场,例,求,均,匀带电球体的电场分布,.,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,R,+,+,+,+,+,+,+,0,R,E,1,）,2,）,解,第,9,章 习题课选讲例题,第,9,章 静电场,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,R,例,求无限长均匀带电圆柱面的电场强度,（,轴对称,）,S,已知：,线电荷密度,对称性分析：垂直柱面,选取闭合的柱型高斯面,第,9,章 习题课选讲例题,第,9,章 静电场,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,当 时，取高斯面如图,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,S,+,+,+,+,第,9,章 习题课选讲例题,第,9,章 静电场,例,11-5,无限长载流圆柱体的磁场,解,1,）,对称性分析,2,）,选取回路,.,11.5,安培环路定理,11.5.2,安培环路定理的应用,的方向与 成右螺旋,11.5,安培环路定理,解：,解法一,连接,MN,形成一半圆,闭合,回路,例 已知,半圆导线与长直电流共面（如 图），半圆以匀速 沿直导线方向向上运动，,求,动生电动势,.,*,b,M,N,C,+,M,N,O,C,第,12,章 习题课选讲例题,问：,M、N,两端，何处电势高,？,*,b,M,N,C,第,12,章 习题课选讲例题,*,o,M,N,I,C,令：,解法二：,直接计算半圆弧导线的动生电动势,.,+,第,12,章 习题课选讲例题,解法一,例,12-3,一长为 的铜棒在磁感强度为 的均匀磁场中,以角速度 在与磁场方向垂直的平面上绕棒的一端转动，,求,铜棒两端的感应电动势,.,+,+,+,+,+,o,P,（,点,P,的电势高于点,O,的电势）,方向,O,P,12.2,动生电动势和感生电动势,需要增加,辅助线,得到回路,条件：回路不产生动生电动势,方向,O,P,12.2,动生电动势和感生电动势,解法二,+,+,+,+,+,o,P,M,解,例,12-4,如图所示，金属杆,abc,以恒定速度,v,在均匀磁场,B,中垂直于磁场方向运动。磁感应强度,B,的方向垂直纸面向内。已知 ，求金属杆中的动生电动势。,12.2,动生电动势和感生电动势,例,13-2,以单色光照射到相距为0.2,mm,的双缝上,双缝与屏幕的垂直距离为10,m.,(1)若屏上第一级干涉明 纹 到同侧 的第四级明纹中 心间的距离为75,mm,求单色光的波长;,(2)若入射光的波长为600,nm,求相邻两暗纹中心间的距离.,解：,（,1,）,（,2,）,例,13-3,使一束水平的氦氖激光器发出的波长为的激光垂直照射到一双缝上。在缝后,2.0 m,处的墙上观察到中央明纹和第,1,级明纹的间隔为,14 cm,。（,1,）求两缝的间距；（,2,）在中央条纹以上还能看到几条明纹？,解：,（,1,）,（,2,）,10.4.2,电容器电容,1.,计算电容器电容的一般方法,：,令电容器的两极板带等值异号的电荷,求出两极板之间的电场强度,计算两极板间的电势差,由电容的定义,求得电容。,2.,几种常见电容器的电容,第,10,章 静电场中的导体和电介质,球形电容器的电容,球形电容器是由半径分别为 和 的两同心金属球壳所组成,(1),设内球带正电，外球带负电,*,(2),(3),(4),电容,第,10,章 静电场中的导体和电介质,平板电容器,+,-,-,-,-,-,-,（,2,）,两带电平板间的电场强度,（,1,）,设,两导体板分别带电,（,3,）,两带电平板间的电势差,（,4,）,平板电容器电容,由真空的高斯定理,第,10,章 静电场中的导体和电介质,平行板电容器电容,圆柱形电容器,（,3,）,（,2,）,（,4,）,电容,+,-,（,1,）,设,两导体圆,柱,面单位长度上,分别带电,第,10,章 静电场中的导体和电介质,+,+,+,+,+,例,9-8,无限长均匀带电直线的电场强度,选取闭合的柱形高斯面,无限长均匀带电直线，单位长度上的电荷，即电荷线密度为 ，求距直线为 处的电场强度,.,对称性分析：,轴对称,解,+,9.3,电场强度通量 高斯定理,第,9,章 静电场,+,+,+,+,+,+,9.3,电场强度通量 高斯定理,第,9,章 静电场,