2025年中职（微电子技术）电子电路基础单元测试题及答案.doc

2025年中职（微电子技术）电子电路基础单元测试题及答案

（考试时间：90分钟 满分100分）
班级______ 姓名______

第I卷（选择题，共40分）
答题要求：本卷共20小题，每小题2分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1. 下列关于半导体的说法，正确的是（ ）
A. 半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间
B. 半导体只能制成二极管
C. 半导体没有任何应用价值
D. 半导体的导电性能不受温度影响

2. 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）
A. 温度
B. 杂质浓度
C. 光照
D 外加电压

3. 二极管的主要特性是（ ）
A. 放大作用
B. 单向导电性
C. 稳压作用
D. 滤波作用

4. 当二极管两端加正向电压时，二极管（ ）
A. 导通
B. 截止
C. 不一定导通
D. 先导通后截止

5. 硅二极管的死区电压约为（ ）
A. 0.1V
B. 0.2V
C. 0.5V
D. 1V

6. 二极管的反向电流随温度的升高而（ ）
A. 减小
B. 不变
C. 增大
D. 先增大后减小

7. 稳压二极管正常工作时应处于（ ）
A. 正向导通状态
B. 反向截止状态
C. 反向击穿状态
D. 放大状态

8. 三极管有（ ）个电极。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4

9. 三极管的电流放大倍数β等于（ ）
A. Ic/Ib
B. Ib/Ic
C. Ie/Ib
D. Ib/Ie

10. 三极管工作在放大区时，其发射结（ ），集电结（ ）。
A. 正偏，正偏
B. 正偏，反偏
C. 反偏，正偏
D. 反偏，反偏

11. 三极管工作在饱和区时，其发射结（ ），集电结（ ）。
A. 正偏，正偏
B. 正偏，反偏
C. 反偏，正偏
D. 反偏，反偏

12. 三极管工作在截止区时，其发射结（ ），集电结（ ）。
A. 正偏，正偏
B. 正偏，反偏
C. 反偏，正偏
D. 反偏，反偏

13. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压的相位关系是（ ）
A. 同相
B. 反相
C. 超前90°
D. 滞后90°

14. 放大电路的静态工作点设置过高会出现（ ）失真。
A. 饱和
B. 截止
C. 交越
D. 线性

15. 放大电路的静态工作点设置过低会出现（ ）失真。
A. 饱和
B. 截止
C. 交越
D. 线性

16. 多级放大电路的总电压放大倍数等于各级放大电路电压放大倍数的（ ）
A. 之和
B. 之差
C. 之积
D. 之商

17. 直接耦合放大电路存在的主要问题是（ ）
A. 零点漂移
B. 放大倍数不稳定
C. 失真
D. 噪声大

18. 差动放大电路的主要特点是（ ）
A. 有效放大差模信号，抑制共模信号
B.. 有效放大共模信号，抑制差模信号
C. 既放大差模信号，也放大共模信号
D. 既不放大差模信号，也不放大共模信号

19. 集成运算放大器的输入级一般采用（ ）电路。
A. 共发射极放大
B. 差动放大
C. 共集电极放大
D. 功率放大

20. 集成运算放大器的输出级一般采用（ ）电路。
A. 共发射极放大
B. 差动放大
C. 共集电极放大
D. 功率放大

第II卷（非选择题，共60分）

一、填空题（每空1分，共10分）
1. 半导体中参与导电的载流子有（ ）和（ ）。
2. 杂质半导体分为（ ）型半导体和（ ）型半导体。
3. 二极管的伏安特性曲线包括（ ）区、（ ）区和（ ）区。
4. 三极管的三个工作区域分别是（ ）区、（ ）区和（ ）区。
5. 放大电路的性能指标主要有（ ）、（ ）、（ ）和（ ）等。

二、判断题（每题2分，共10分）
1. 半导体的导电性能不受外界因素影响。（ ）
2. 二极管只要加正向电压就一定导通。（ ）
3. 三极管的电流放大倍数β是固定不变的。（ ）
4. 放大电路的静态工作点设置合适，就不会出现失真。（ ）
5. 集成运算放大器的开环电压放大倍数很大。（ ）

三、简答题（每题10分，共20分）
1. 简述二极管的单向导电性。
2. 简述三极管的电流放大原理。

四、分析题（每题10分，共20分）
材料：某共发射极放大电路，已知三极管的β=50，RB=300kΩ，RC=3kΩ，VCC=12V，RL=6kΩ。
1. 计算该放大电路的静态工作点。
2. 计算该放大电路的电压放大倍数。

五、设计题（10分）
材料：设计一个用三极管组成的单管共发射极放大电路，要求电压放大倍数大于30，输入电阻大于10kΩ，输出电阻小于5kΩ。

答案：
第I卷：1. A 2. B 3. B 4. A 5. C 6. C 7. C 8. C 9. A 10. B 11. A 12. D 13. B 14. A 15. B 16. C 17. A 18. A 19. B 20. D
第II卷：一、1. 自由电子，空穴 2. N，P 3. 死区，正向导通，反向截止 4. 放大，饱和，截止 5.电压放大倍数，输入电阻，输出电阻，通频带
二、1.× 2.× 3.× 4.× 5.√
三、1. 当二极管两端加正向电压时，二极管导通呈现很小的电阻，电流较大；当加反向电压时，二极管截止呈现很大的电阻，电流很小，这就是二极管的单向导电性。
2. 三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏。当基极电流有一个微小的变化时，会引起集电极电流较大的变化，且集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比近似为电流放大倍数β，实现了电流放大。
四、1. 首先计算静态工作点：IBQ=(VCC-UBE)/RB=(12-0.7)/300≈0.038mA，ICQ=βIBQ=50×0.038=1.9mA，UCEQ=VCC-ICQRC=12-1.9×3=6.3V。
2. 电压放大倍数Av=-βRL'/rbe，其中RL'=RC∥RL=3∥6=2kΩ，rbe=200+(1+β)26/I EQ=200+(1+50)26/1.9≈900Ω，所以Av=-50×2/0.9≈-111。
五、可选用合适的三极管，根据要求计算RB、RC的值。例如，先根据电压放大倍数公式确定RC与RL的关系，再结合输入电阻要求计算RB，通过调整参数满足输出电阻要求。 （具体设计过程可根据所学公式和计算方法详细展开）