1、0）准备）准备p-Si 1 1、制备单晶硅片、制备单晶硅片2 2、硅片表面的化学清洗、硅片表面的化学清洗PN结二极管的制备结二极管的制备(1)氧化氧化问题：问题：1 1、为什么要双面氧化？、为什么要双面氧化？2 2、氧化层的厚度需要大于设计的厚度，为什么？、氧化层的厚度需要大于设计的厚度，为什么？PN结二极管的制备结二极管的制备(2)涂胶涂胶问题：问题：1 1、涂胶过程、涂胶过程2 2、光刻胶分类，作用，常用的光刻胶？、光刻胶分类，作用，常用的光刻胶？3 3、涂胶后，曝光前，对光刻胶加固的过程是什么工艺、涂胶后，曝光前，对光刻胶加固的过程是什么工艺PN结二极管的制备结二极管的制备Mask 1
2、黑色部分都是不透光的，中间的白色部分是做扩散的位置。Mask的剖面图PN结二极管的制备结二极管的制备（3）曝光）曝光问题：问题：1 1、光刻的作用？、光刻的作用？2 2、图中使用的是正胶，如果用负胶如何修改工艺？、图中使用的是正胶，如果用负胶如何修改工艺？PN结二极管的制备结二极管的制备（4）显影）显影问题：问题：1 1、什么是显影工艺？、什么是显影工艺？2 2、显影液选择的注意事项。、显影液选择的注意事项。PN结二极管的制备结二极管的制备（5）腐蚀）腐蚀问题：问题：1 1、腐蚀分为哪两种形式，各有什么特点？、腐蚀分为哪两种形式，各有什么特点？2 2、选用腐蚀液要注意什么？、选用腐蚀液要注意什
3、么？PN结二极管的制备结二极管的制备（6）去胶）去胶1 1、通常用什么方法去胶？、通常用什么方法去胶？问题：问题：PN结二极管的制备结二极管的制备（7）杂质扩散）杂质扩散1 1、硅片要经过适当的清洗后、硅片要经过适当的清洗后2 2、应该扩散什么杂质、应该扩散什么杂质3 3、杂质扩散源有哪些、杂质扩散源有哪些4 4、以液态扩散源简要说一下扩散的化学原理、以液态扩散源简要说一下扩散的化学原理5 5、这只是杂质的预淀积。、这只是杂质的预淀积。问题：问题：PN结二极管的制备结二极管的制备(8)驱入驱入在未被氧化层保护的区域形成了在未被氧化层保护的区域形成了n+-pn+-p结。结。（n+n+中的中的“+
4、号表示高掺杂）号表示高掺杂）问题：问题：PN结二极管的制备结二极管的制备（9）金属化）金属化1 1、金属化的目的？、金属化的目的？2 2、淀积金属薄膜有几种方法？、淀积金属薄膜有几种方法？3 3、（低于或等于、（低于或等于500500o oC C）退火来改善金属层）退火来改善金属层 与硅之间的欧姆接触。与硅之间的欧姆接触。问题：问题：PN结二极管的制备结二极管的制备(10)涂胶涂胶目的：通过光刻去除扩散结区域之外的多余的金属薄膜。目的：通过光刻去除扩散结区域之外的多余的金属薄膜。PN结二极管的制备结二极管的制备Mask 2Mask黑色部分都是不透光的，四周的白色部分是刻蚀金属的位置。Mask的剖面图问题：可不可以用问题：可不可以用Mask1？PN结二极管的制备结二极管的制备(11)曝光曝光mask2板板问题：问题：如果采用负胶，如何修改掩膜板如果采用负胶，如何修改掩膜板Mask2Mask2？PN结二极管的制备结二极管的制备(12)显影显影问题：显影液的选择问题：显影液的选择PN结二极管的制备结二极管的制备(13)腐蚀腐蚀1 1、此次腐蚀的目的？、此次腐蚀的目的？2 2、腐蚀液的选择。、腐蚀液的选择。PN结二极管的制备结二极管的制备（14）去胶）去胶PN结二极管的制备结二极管的制备流程总结流程总结PN结二极管的制备结二极管的制备
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