1、
2025年大三（微电子科学与工程）集成电路工艺综合测试卷
（考试时间：90分钟 满分100分）
班级______ 姓名______
第I卷（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填写在括号内）
1. 集成电路制造中，光刻技术的分辨率主要取决于（ ）
A. 光源波长 B. 光刻胶厚度 C. 曝光时间 D. 显影液浓度
2. 以下哪种掺杂方式可以实现精确的杂质分布控制（ ）
A. 离子注入 B. 扩散掺杂 C. 气相掺杂 D. 液相掺杂
3. 在CMOS工艺中，P沟道MOSFET的阈值电压通常通过（ ）来调整。
A
2、 改变栅氧化层厚度 B. 调整源漏掺杂浓度 C. 引入杂质补偿 D. 优化光刻工艺
4. 集成电路制造中，化学气相沉积（CVD）主要用于（ ）
A. 形成金属互连层 B. 生长半导体薄膜 C. 去除光刻胶 D. 掺杂杂质
5. 对于集成电路芯片的封装，以下哪种封装形式散热性能最好（ ）
A. DIP封装 B. QFP封装 C. BGA封装 D. CSP封装
6. 集成电路制造中，干法刻蚀相对于湿法刻蚀的优点是（ ）
A. 刻蚀速度快 B. 对图形的分辨率高 C. 成本低 D. 设备简单
7. 在集成电路工艺中，退火的主要目的是（ ）
A. 提高
3、芯片的集成度 B. 消除光刻过程中的缺陷 C. 激活杂质 D. 降低芯片功耗
8. 以下哪种材料常用于集成电路的栅极（ ）
A. 硅 B. 二氧化硅 C. 多晶硅 D. 氮化硅
9. 集成电路制造中，外延生长技术可以（ ）
A. 改善芯片的表面平整度 B. 提高芯片的工作频率 C. 增加芯片的功耗 D. 降低芯片的成本
10. 对于集成电路设计中的版图设计，关键的要求是（ ）
A. 美观 B. 符合工艺规则 C. 功能实现 D. 易于修改
第II卷
二、填空题（总共5题，每题4分，请将正确答案填写在横线上）
1. 集成电路制造工艺中，
4、光刻的主要步骤包括涂胶、______、曝光、显影和______。
2. 在CMOS工艺中，N沟道MOSFET的源区和漏区通常采用______掺杂，而P沟道MOSFET的源区和漏区通常采用______掺杂。
3. 化学气相沉积（CVD）的反应类型主要有______、______和等离子体增强CVD。
4. 集成电路制造中，湿法刻蚀常用的腐蚀液有______、______等。
5. 集成电路芯片的测试主要包括______测试、______测试和功能测试。
三、简答题（总共3题，每题10分）
1. 简述集成电路制造中光刻技术的原理和主要工艺参数。
2. 说明CMOS工艺中P沟道
5、和N沟道MOSFET的工作原理及区别。
3. 阐述化学气相沉积（CVD）在集成电路工艺中的作用和常见的沉积材料。
四、材料分析题（总共2题，每题15分）
材料：在某集成电路制造企业的生产线上，发现一批芯片的性能出现异常。经过检测，发现是光刻工艺中曝光环节出现了问题。具体表现为部分芯片的图形尺寸不符合设计要求，导致晶体管的电学性能不稳定。
问题：
1. 请分析光刻曝光环节可能出现哪些问题导致图形尺寸不符合要求？
2. 针对这些问题，提出相应的解决措施。
五、综合设计题（1题，20分）
设计一个简单的CMOS反相器电路，并说明其工作原理。要求包括晶体管的类型、尺
6、寸选择，以及如何通过版图设计实现该电路的功能。同时，分析该反相器电路在集成电路中的应用场景和优势。
答案：
一、1. A 2. A 3. C 4. B 5. D 6. B 7. C 8. C 9. B 10. B
二、1. 前烘、坚膜 2. N型、P型 3. 热CVD、光CVD 4. 氢氟酸、磷酸 5. 直流参数、交流参数
三、1. 光刻技术原理是通过光刻胶对特定波长光的感光特性，将掩膜版上的图形转移到硅片表面。主要工艺参数有光源波长、光刻胶感光度、曝光剂量、分辨率等。2. P沟道MOSFET工作时，栅极电压为负，使源漏之间形成P型导电沟道；N沟道MOSF
7、ET栅极电压为正，形成N型导电沟道。区别在于导电沟道类型、栅极电压极性等。3. CVD作用主要是在硅片表面沉积各种薄膜。常见沉积材料有二氧化硅、氮化硅、多晶硅等用于不同工艺环节。
四、1. 可能问题有：曝光机光源强度不稳定，导致曝光剂量不准确；掩膜版与硅片对准误差；光刻胶厚度不均匀影响图形尺寸；环境温度、湿度变化影响光刻胶性能。2. 解决措施：定期校准曝光机光源强度；优化对准系统提高对准精度；控制光刻胶涂覆工艺确保厚度均匀；稳定光刻环境温湿度。
五、CMOS反相器由P沟道和N沟道MOSFET组成。当输入为高电平时，N沟道导通，P沟道截止，输出为低电平；输入为低电平时，P沟道导通，N沟道截止，输出为高电平。版图设计时合理安排晶体管位置和连线。应用场景广泛，优势是功耗低、抗干扰能力强等。
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