MSA工艺可行性验证方案课件.ppt

Http:,Http:,MSAP,工艺可行性验证方案,研发中心,2012.05,TPC,现有工艺：,目前，,TPC,二厂工艺为传统的减成法，首先进行全板电镀铜，在经图形转移蚀刻掉多余的铜，形成线路，此工艺目前线路加工能力极限为,75um,线宽间距，而此时受表面铜厚、铜厚均匀性、蚀刻均匀性等因素影响，随线宽间距的降低，产品良率急剧下降。,当线宽线距小于,50m(2mil),时，传统,CCL,的减成法几已无用武之地。,SAP,工艺：,当线宽间距小于,50um,时，目前量产多采用,SAP(Semi-Additive Process)半加成法,。,但,此工艺受材料影响较大，需采用,日商,“,大运味之素旗下,“,味之素精密技术,”,公司,(AFT),的高价,ABF(Ajinomoto Bond Film),板材，与传统减成法工艺相比，流程复杂，控制点较多。,MSAP,工艺：,针对,SAP,工艺成本较高，推出较便宜的超薄铜皮式模拟,SAP,法，简称,MSAP,工艺（,Modified Semi-Additive Process,）。,图形电镀,+,填孔,褪膜,差分蚀刻,MSAP,与,SAP,区别：,1,、板材需求：,SAP,工艺板材必须使用,ABF,板材，,MSAP,对板材要求与传统,CCL,工艺相同；,2,、黑孔应用：,MSAP,工艺可使用黑孔加工，而,SAP,工艺只能使用沉厚铜完成,3,、过程稳定性：,MSAP,工艺电镀过程中表面还有,3um,基铜铜，较,SAP,工艺表面,1um,沉铜层稳定性高,MSAP,与,CCL,区别：,1,、线路加工能力的提高：,MSAP,线路加工能力极限可以达到线宽间距,25um,；,2,、成本降低：,MSAP,使用图形电镀，与全板电镀相比，降低,Cu,消耗，同时降低蚀刻液消耗；,SAP,工艺的关键要素，在,MSAP,工艺中均可以得到完美解决：,1,、镀层表面附着力：,MSAP,工艺中电镀层与层压基铜相连，可以拥有较好的表面附着力；,2,、线路之间高隔绝性：,SAP,必须保证线路间金属耙去除彻底，,MSAP,工艺中通过差分蚀刻去除线路间基铜时，可去除彻底线路间碳粉，实现高隔绝性,3,、非电镀铜在孔内覆盖性能：黑孔贯孔能力优于沉铜工艺,4,、优秀的过孔连接可靠性：,MSAP,工艺避免使用厚化铜过程，化学铜层物理性能远远低于电镀铜层。,SAP,工艺关键要素,SAP,工艺流程：,内层,ABF,压合,激光钻孔,除胶,沉铜,图形转移,图形电镀,+,填孔,褪膜蚀刻,MSAP,工艺设想,内层基材,/,层压板,减薄铜,激光钻孔,激光钻孔前处理,激光钻孔后处理,除胶,流 程 及 结 构,流 程 及 结 构,产品特性（现状及要求）,使用低轮廓铜箔，铜厚,9-12um,，目前,12um,铜箔成本最低,微蚀量,4um,，减薄后铜厚,9um,控制最小安全铜厚，减少激光孔周围溅出的铜,微蚀量,2um,，处理后铜厚,7um,1um,的微蚀量，处理后铜厚,6um,水平处理,如采用,9um,铜箔，可以不用减薄铜,MSAP,工艺设想,流 程 及 结 构,流 程 及 结 构,产品特性（现状及要求）,黑孔,水平处理，整体微蚀量,2.0um,，铜厚剩余,4um,图形转移,前处理微蚀量,1um,，铜厚剩余,3um,，覆干膜，曝光，,有机碱显影，,AOI,褪膜,有机碱处理，喷淋？,快速蚀刻,喷淋式，硫酸双氧水体系,微蚀量,1um,，处理后铜厚,2um,，表面镀铜,25um,图形电镀,+,填孔,试验设想：低轮廓铜箔的使用,压合,棕化后的,内层芯板,拆解,叠板,半固化片,铜箔,保证铜箔与基材的附着力，减少对快速蚀刻的影响,结论：,优化激光钻孔条件，对铜厚、,前、后处理工艺进行验证以获,取理想的盲孔状态（主要考量,对盲孔周围溅出的铜的处理效,果）,关键技术一：激光钻孔前、后处理,Cu splash,比较,THANK YOU,SUCCESS,2025/12/16 周二,11,可编辑,激光钻孔后处理,基铜的处理：减铜比镀铜可行,1,、减铜的均匀性优于镀铜的均匀性；,2,、镀铜的成本高于减铜的成本；,3,、镀铜的流程比减铜的工艺流程长；,4,、镀铜工艺增加了最终镀铜附着力,不良的风险,5,、有利于快速蚀刻,结论：孔化选用黑孔工艺,关键技术二：黑孔,关键技术三：图形转移与快速蚀刻,需要进一步验证,干膜,日立化成：,RY,系列,www.hitachi-chem.co.jp/japanese/products/pm/017.html,(RY-3325SG,、,RY-3525,、,RY-3625)RY-,世代,um,厚,旭化成：,SUNFORT,系列,www.asahi-kasei.co.jp/ake-mate/dfr/jp/,杜邦,MRC,干膜,www.dmdf.jp/products/products_01.html,NICHIGO,干膜,www.nichigo-morton.co.jp/n-031f-seihin-resist.htm,需要进一步验证,干膜,显影,快速蚀刻,L/S=7m/7m,L/S=4m/12m,MSAP,过程控制点：,1,、铜厚均匀性控制,压合后表面铜厚均匀性：,12um,铜箔均匀度测试,减薄后表面铜厚均匀度：减薄,4um,激光棕化后表面铜厚确认：微蚀,2um,，铜厚,7um,（要控制极差在,1um,以内）,2,、线路能力确认：,显影后金相确认：显影能力及线路上干膜状态,图形电镀后金相确认：细线电镀加工能力,差分蚀刻后金相确认：差分蚀刻效果,3,、黑孔加工使用麦德美黑孔,4,、图形电镀在一厂加工,推进计划,编号,试验内容,所需时间,具体时间,落实情况,起,止,实施时间,实验结果,负责人,1,低轮廓铜箔试用与评估,具体项目：,1.,铜箔厚度分布,2.,结合力评估,2,减薄工艺的必要性论证,3,激光钻孔工艺（包括前后处理）确认,4,黑孔工艺确认,5,图形转移工艺确认,6,图形电镀工艺确认,7,快速蚀刻工艺确认,测试图形：,性能测试项目：,1,、剥离强度,2,、回流后剥离强度,3,、热应力测试,4,、高低温冲击测试,5,、拉脱强度测试,Thank you,！,THANK YOU,SUCCESS,2025/12/16 周二,20,可编辑,