模拟电路第1章.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,1.,本课程的性质,是一门,电类,信息类专业必不可少的专业基础课,2.,特点,技术性课程，偏重工程应用，纯理论性的问题很少研究,实践性很强,以工程实践的观点来处理电路中的一些问题,3.,研究内容,以器件为基础、以信号为主线，研究各种模拟电子电路的工作原理、特点及性能指标等。,4.,教学目标,能够对一般性的、常用的电子电路进行分析，同时对较简单的单元电路进行设计。,绪论,5.,学习方法,重点掌握基本概念、基本电路的分析、计算及设计方法。,6.,成绩评定标准,理论：作业、考勤、提问、实验,30%,期末考试,707.,教学参考书,康华光主编，,电子技术基础,模拟部分 第三版，高教出版社,童诗白主编，,模拟电子技术基础,第二版，高教出版社,陈大钦主编，,模拟电子技术基础问答：例题,试题,，华工出版社,第一章 半导体器件基础,1.1,半导体的基本知识,1.2,半导体,二极管,1.3,半导体,三极管,1.4,BJT,模型,1.,5,场效应管,本章重点和考点：,1.,二极管的单向导电性、稳压管的原理。,2.,三极管的电流放大原理，,如何判断三极管的管型、管脚和管材。,3.,场效应管的分类、工作原理和特性曲线。,本章讨论的问题：,2.,空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？,3.,什么是,N,型半导体？什么是,P,型半导体？,当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？,4.PN,结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在,PN,结中另反向电压时真的没有电流吗？,5.,晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它们都可以用于放大？,1.,为什么采用半导体材料制作电子器件？,第一章 半导体器件,引子：,电子技术的发展,47,年 贝尔实验室制成第一只晶体管,58,年 集成电路,69,年 大规模集成电路,75,年 超大规模集成电路,第一片集成电路只有,4,个晶体管，而,97,年一片集成电路上有,40,亿个晶体管。科学家预测集成度按,10,倍,/6,年的速度还将继续到,2015,或,2020,年，将达到饱和。,1.1,半导体的基本知识,在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。,典型的半导体是,硅,Si,和,锗,Ge,，,它们都是,4,价元素,。,硅原子,锗原子,硅和锗最外层轨道上的四个电子称为,价电子,。,本征半导体的共价键结构,束缚电子,在绝对温度,T=0K,时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为,自由电子,，,因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。,一,.,本征半导体,本征半导体,化学成分纯净的半导体晶体,。,制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到,99.9999999%,，常称为九个,9,”,。,这一现象称为,本征激发,，,也称,热激发,。,当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为,自由电子,。,自由电子,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,空穴,自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为,空穴,。,可见本征激发同时产生电子空穴对。,外加能量越高（,温度越高），产生的电子空穴对越多。,动画,演示,与本征激发相反的现象,复合,在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。,常温,300K,时：,电子空穴对的浓度,硅：,锗：,自由电子,+4,+4,+44,+4,+4,+4,+4,+4,空穴,电子空穴对,自由电子 带负电荷 电子流,动画演示,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,自由电子,E,总电流,载流子,空穴 带正电荷 空穴流,本征半导体的导电性取决于外加能量：,温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。,导电机制,二,.,杂质半导体,在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为,杂质半导体,。,1.,N,型半导体,在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为,N,型半导体,。,N,型半导体,多余电子,磷原子,硅原子,多数载流子,自由电子,少数载流子,空穴,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,N型半导体,施主离子,自由电子,电子空穴对,在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。,空穴,硼原子,硅原子,多数载流子,空穴,少数载流子,自由电子,P,型半导体,受主离子,空穴,电子空穴对,2.,P,型半导体,杂质半导体的示意图,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,N,型半导体,多子,电子,少,子,空穴,P,型半导体,多,子,空穴,少,子,电子,少子浓度,与温度有关,多子浓度,与温度无关,内电场,E,因多子浓度差,形成内电场,多子的扩散,空间电荷区,阻止多子扩散，促使少子漂移。,PN,结合,空间电荷区,多子扩散电流,少子漂移电流,耗尽层,三,.,PN,结,及其单向导电性,1.PN,结的形成,动画演示,少子飘移,补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，,E,多子扩散,又失去多子，耗尽层宽，,E,内电场,E,多子扩散电流,少子漂移电流,耗尽层,动态平衡：,扩散电流 漂移电流,总,电流,0,势,垒,U,O,硅,0.5V,锗,0.1V,2.PN,结的单向导电性,(1),加正向电压（正偏）,电源正极接,P,区，负极接,N,区,外电场的方向与内电场方向相反。,外电场削弱内电场,耗尽层变窄,扩散运动,漂移运动,多子,扩散形成正向电流,I,F,正向电流,(2),加反向电压,电源正极接,N,区，负极接,P,区,外电场的方向与内电场方向相同。,外电场加强内电场,耗尽层变宽,漂移,运动扩散,运动少子漂移形成反向电流,I,R,P,N,在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故,I,R,基本上与外加反压的大小无关,，,所以称为,反向饱和电流,。但,I,R,与温度有关。,PN,结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，,PN,结导通；,PN,结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，,PN,结截止。,由此可以得出结论：,PN,结具有单向导电性。,动画演示,1,动画演示,2,3.PN,结,的伏安特性曲线及表达式,根据理论推导，,PN,结的伏安特性曲线如图,正偏,I,F,（,多子扩散）,I,R,（,少子漂移）,反偏,反向饱和电流,反向击穿电压,反向击穿,热,击穿烧坏,PN,结,电击穿,可逆,根据理论分析：,u,为,PN,结两端的电压降,i,为,流过,PN,结的电流,I,S,为反向饱和电流,U,T,=,kT/q,称为温度的电压当量,其中,k,为玻耳兹曼常数,1.3810,23,q,为电子电荷量,1.610,9,T,为热力学温度,对于室温（相当,T,=300 K,）,则有,U,T,=26 mV,。,当,u,0,u,U,T,时,当,u,|,U,T,|,时,4.PN,结的电容效应,当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即,PN,结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。,(1),势垒电容,C,B,(2),扩散电容,C,D,当外加正向电压不同时，,PN,结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程,。,电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来,极间,电容（结电容）,1.2,半导体二极管,二极管,=PN,结,+,管壳,+,引线,N,P,结构,符号,阳极,+,阴极,-,二极管按结构分三大类：,(1),点接触型二极管,PN,结面积小，结电容小，,用于检波和变频等高频电路。,(3),平面型二极管,用于集成电路制造工艺中。,PN,结面积可大可小，用,于高频整流和开关电路中。,(2),面接触型二极管,PN,结面积大，用,于工频大电流整流电路。,半导体二极管的型号,国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：,2AP9,用数字代表同类器件的不同规格。,代表器件的类型，,P,为普通管，,Z,为整流管，,K,为开关管。,代表器件的材料，,A,为,N,型,Ge,，,B,为,P,型,Ge,，,C,为,N,型,Si,，,D,为,P,型,Si,。,2,代表二极管，,3,代表三极管。,一、半导体二极管的,VA,特性曲线,硅：,0.5 V,锗：,0.1 V,(1),正向特性,导通压降,反向饱和电流,(2),反向特性,死区,电压,击穿电压,U,BR,实验曲线,u,E,i,V,mA,u,E,i,V,uA,锗,硅：,0.7 V,锗：,0.3V,二,.,二极管的模型及近似分析计算,例：,I,R,10V,E,1k,D,非线性器件,i,uRLC,线性器件,二极管的模型,D,U,串联电压源模型,U,D,二极管的导通压降。硅管,0.7V,；,锗管,0.3V,。,理想二极管模型,正偏,反偏,导通,压降,二极管的,VA,特性,二极管的近似分析计算,I,R,10V,E,1k,I,R,10V,E,1k,例：,串联电压源模型,测量值,9.32mA,相对误差,理想二极管模型,R,I,10V,E,1k,相对误差,0.7V,例：,二极管构成的限幅电路如图所示，,R,1k,，,U,REF,=2V,，,输入信号为,u,i,。,(1),若,u,i,为,4V,的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流,I,和输出电压,u,o,解,：,（,1,）采用理想模型分析。,采用理想二极管串联电压源模型分析。,（,2,）,如果,u,i,为幅度,4V,的交流三角波，波形如图（,b,）,所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。,解：,采用理想二极管,模型分析。波形如图所示。,0,-4V,4V,u,i,t,2V,2V,u,o,t,0,2.7V,u,o,t,0,-4V,4V,u,i,t,2.7V,采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。,三,.,二极管的主要参数,(1),最大整流电流,I,F,二极管长期连续工,作时，允许通过二,极管的最大整流,电流的平均值。,(2),反向击穿电压U,BR,二极管反向电流,急剧增加时对应的反向,电压值称为反向击穿,电压,U,BR,。,(3),反向电流,I,R,在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安,(,nA,),级；锗二极管在微安,(,A),级。,当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流,I,Z,在,I,zmax,和,I,zmin,之间变化时,其两端电压近似为常数,稳定电压,四、稳压二极管,稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管,正向同二极管,反偏电压,U,Z,反向击穿,U,Z,限流电阻,稳压二极管的主要,参数,(1),稳定电压,U,Z,(2),动态电阻,r,Z,在规定的稳压管反向工作电流,I,Z,下，所对应的反向工作电压。,r,Z,=,U,/,I,r,Z,愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。,(3),最小稳定工作 电流,I,Zmin,保证稳压管击穿所对应的电流，若,I,Z,I,Zmin,则不能稳压。,(4),最大稳定工作电流,I,Zmax,超过,I,zmax,稳压管会因功耗过大而烧坏。,1.3,半导体三极管,半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为,双极型晶体管,（,Bipolar Junction Transistor,简称,BJT,）。,BJT,是由两个PN结组成的。,12/6/2025,一,.,BJT,的结构,NPN,型,PNP,型,符号:,三极管的结构特点,:,（,1,）发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。,（,2,）基区要制造得很薄且浓度很低。,-,-,N,N,P,发射区,集电区,基区,发射结,集电结,e,c,b,发射极,集电极,基极,-,-,P,P,N,发射区,集电区,基区,发射结,集电结,e,c,b,发射极,集电极,基极,二,BJT,的内部工作原理,（,NPN,管）,三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。,若在放大工作状态：,发射结正偏：,+,U,CE,U,BE,U,CB,集电结反偏：,由,V,BB,保证,由,V,CC,、,V,BB,保证,U,CB,=U,CE,-U,BE,0,共,发射极接法,c,区,b,区,e,区,12/6/2025,（,1,）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，,形成了扩散电流,I,EN,。,同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为,I,EP,。,但其数量小，可忽略,。,所以发射极电流,I,E,I,EN,。,（,2,）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成,I,BN,。,所以,基极电流,I,B,I,BN,。,大部分到达了集电区的边缘。,1,BJT,内部的载流子传输过程,（,3,）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流,I,CN,。,另外，集电结区的少子形成漂移电流,I,CBO,。,2,电流分配关系,三个电极上的电流关系,:,I,E,=,I,C,+,I,B,定义：,(1),I,C,与,I,E,之间的关系,:,所以,:,其值的大小约为,0.9,0.99,。,12/6/2025,(2),I,C,与,I,B,之间的关系：,联立以下两式,：,得：,所以,：,得：,令,：,三,.BJT,的特性曲线（,共发射极接法）,(1),输入特性曲线,i,B,=,f,(,u,BE,),u,CE,=const,（,1,）,u,CE,=0V,时，相当于两个,PN,结并联。,（,3,）,u,CE,1V,再,增加时，曲线右移很不明显。,（,2,）当,u,CE,=1V,时，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少，在同一,u,BE,电压下，,i,B,减小。特性曲线将向右稍微移动一些。,死区,电压,硅,0.5V,锗,0.1V,导通压降,硅,0.7V,锗,0.3V,(2),输出特性曲线,i,C,=,f,(,u,CE,),i,B,=const,现以,i,B,=60uA,一条加以说明。,（,1,）当,u,CE,=0,V,时，因集电极无收集作用，,i,C,=0,。,（,2,）,u,CE,I,c,。,（,3,）当,u,CE,1V,后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成,i,C,。,所以,u,CE,再增加，,i,C,基本保持不变。,同理，可作出,i,B,=,其他值的曲线。,输出特性曲线可以分为三个区域,:,饱和区,i,C,受,u,CE,显著控制的区域，该区域内,u,CE,0.7,V,。,此时发射结正偏，集电结也正偏。,截止区,i,C,接近零的区域，相当,i,B,=0,的曲线的下方。,此时，发射结反偏，集电结反偏。,放大区,曲线基本平行等,距。此时，发,射结正偏，集电,结反偏。,该区中有：,饱和区,放大区,截止区,四,.,BJT,的主要参数,1.,电流放大系数,（,2,）共基极电流放大系数：,i,CE,=20uA,(,mA,),B,=40uA,I,C,u,=0,(V),=80uA,I,B,B,B,I,B,i,I,B,I,=100uA,C,B,I,=60uA,i,一般取,20200,之间,2.3,1.5,（,1,）共发射极电流放大系数：,2.,极间反向电流,（,2,）集电极发射极间的穿透电流,I,CEO,基极开路时，集电极到发射极间的电流,穿透电流。,其大小与温度有关。,（,1,）集电极基极间反向饱和电流,I,CBO,发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。,它实际上就是,一个,PN,结的反向电流。,其大小与温度有关。,锗管：,I,CBO,为微安数量级，,硅管：,I,CBO,为纳安数量级。,+,+,I,CBO,e,c,b,I,CEO,3.,极限参数,I,c,增加时，,要下降。当,值,下降到线性放大区,值的,70,时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流,I,CM,。,（,1集电极最大允许电流,I,CM,（,2,）集电极最大允许功率损耗,P,CM,集电极电流通过集电结时所产生的功耗，,P,C,=,I,C,U,CE,P,CM,P,CM,（,3,）反向击穿电压,BJT,有两个,PN,结，其反向击穿电压有以下几种：,U,（,BR,）,EBO,集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏十几伏。,U,（,BR,）,CBO,发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏几百伏。,U,（,BR,）,CEO,基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。,在实际使用时，还有,U,（,BR,）,CER,、,U,（,BR,）,CES,等击穿电压。,-,-,(BR)CEO,U,(BR)CBO,U,(BR)EBO,U,1.4,三极管的模型及分析方法,i,C,I,B,I,B,=0,u,CE,(V),(,mA,),=20uA,B,I,=40uA,B,I,=60uA,B,I,=80uA,B,I,=100uA,非,线性器件,U,D,=0.7V,U,CES,=0.3V,i,B,0,i,C,0,一,.BJT,的模型,+,+,+,+,i,-,u,BE,+,-,u,B,CE,+,C,i,b,e,e,c,截止状态,e,c,b,放大状态,U,D,I,B,I,C,I,B,e,c,b,发射结导通压降,U,D,硅管,0.7V,锗管,0.3V,饱和状态,ec,b,U,D,U,CES,饱和压降,U,CES,硅管,0.3V,锗管,0.1V,直流模型,二,.BJT,电路的分析方法（直流）,1.,模型分析法（近似估算法）,(,模拟,p5859),V,CC,V,BB,R,b,R,c,12V,6V,4K,150K,+,U,BE,+,U,CE,I,B,I,C,+V,CC,+V,BB,R,b,R,c,(+12V),(+6V),4K,150K,+,U,BE,+,U,CE,I,B,I,C,例：共射电路如图，已知三极管为硅管，,=40,，,试求电路中的直流量,I,B,、,I,C,、,U,BE,、,U,CE,。,+V,CC,+V,BB,R,b,R,c,(+12V),6V),4K,150K,+,U,BE,+,U,CE,I,B,I,C,0.7V,I,B,e,c,b,I,C,+V,CC,R,c,(+12V),4K,+,U,BE,I,B,+V,BB,R,b,(+6V),150K,+,U,CE,解：设三极管工作在放大状态，用放大模型代替三极管。,U,BE,=0.7V,2.,图解法,模拟,(p5456),V,CC,V,BB,R,b,R,c,12V,6V,4K,150K,+,u,CE,I,B,=40A,i,C,非线性部分,线性部分,i,C,=,f,(,u,CE,),i,B,=40,A,M(,V,CC,0),(12,0),(0,3),i,C,CE,(V),(,mA,),=60uA,I,B,u,=0,B,B,I,I,=20uA,B,I,=40uA,B,=80uA,I,=100uA,I,B,直流负载线,斜率：,U,CEQ,6V,I,CQ,1.5mA,I,B,=40A,I,C,=1.5mA,U,CEQ,=6V,直流,工作点,Q,半导体三极管的型号,第二位：,A,锗,PNP,管、,B,锗,NPN,管、,C,硅,PNP,管、,D,硅,NPN,管,第三位：,X,低频小功率管、,D,低频大功率管、,G,高频小功率管、,A,高频大功率管、,K,开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：,3DG110B,12/6/2025,1.5,场效应管,BJT,是一种电流控制元件,(,i,B,i,C,),，,工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。,增强型,耗尽型,N,沟道,P,沟道,N,沟道,P,沟道,N,沟道,P,沟道,FET,分类：,绝缘栅场效应管,结型场效应管,场效应管（,Field Effect Transistor,简称,FET,）,是一种电压控制器件,(,u,GS,i,D,),，,工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。,FET,因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。,一,.绝缘栅场效应三极管,绝缘栅型场效应管,(Metal Oxide,Semiconductor FET),，,简称,MOSFET,。,分为：,增强型,N,沟道、,P,沟道,耗尽型 ,N,沟道、,P,沟道,1.,N,沟道增强型,MOS,管,（1）,结构,4,个电极：漏极,D,，,源极,S,，,栅极,G,和 衬底,B,。,符号：,当,u,GS,0V,时纵向电场,将靠近栅极下方的空穴向下排斥耗尽层。,（,2,）工作原理,当,u,GS,=0V,时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在,d,、,s,之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。,再增加,u,GS,纵向电场,将,P,区少子电子聚集到,P,区表面形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流,i,d,。,栅源电压,u,GS,的控制作用,定义：,开启电压（,U,T,）,刚刚产生沟道所需的,栅源电压,U,GS,。,N,沟道增强型,MOS,管的基本特性：,u,GS,U,T,，,管子截止，,u,GS,U,T,，,管子导通。,u,GS,越大，沟道越宽，在相同的漏源电压,u,DS,作用下，漏极电流,I,D,越大。,漏源电压,u,DS,对漏极电流,i,d,的控制作用,当,u,GS,U,T,，,且固定为某一值时，来分析漏源电,压,V,DS,对漏极电流,I,D,的影响。,（设,U,T,=2V,，,u,GS,=4V,）,（,a,）,u,ds,=0,时，,i,d,=0,。,（,b,）,u,ds,i,d,；,同时沟道靠漏区变窄。,（,c,）当,u,ds,增加到使,u,gd,=,U,T,时，,沟道靠漏区夹断，称为,预夹断,。,（,d,）,u,ds,再增加，预夹断区,加长，,u,ds,增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，,i,d,基本不变。,（,3,）特性曲线,四个区：,（,a,）,可变电阻区（预夹断前）。,输出特性曲线：,i,D,=,f,(,u,DS,),u,GS,=const,（,b,）,恒流区也称饱和,区（预夹断 后）。,（,c,）,夹断区（截止区）。,（,d,）,击穿区。,可变电阻区,恒流区,截止区,击穿区,转移特性曲线,：,i,D,=,f,(,u,GS,),u,DS,=const,可根据输出特性曲线作出,移特性曲线,。,例：作,u,DS,=10V,的一条,转移特性曲线：,U,T,一个重要参数,跨导,g,m,：,g,m,=,i,D,/,u,GS,u,DS,=const,(,单位,mS,),g,m,的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。,在转移特性曲线上，,g,m,为的曲线的斜率。,在输出特性曲线上也可求出,g,m,。,2.N,沟道耗尽型,MOSFET,特点：,当,u,GS,=0,时，就有沟道，加入,u,DS,，,就有,i,D,。,当,u,GS,0,时，沟道增宽，,i,D,进一步增加。,当,u,GS,0,时，沟道变窄i,D,减小。,在栅极下方的,SiO,2,层中掺入了大量的金属正离子。所以当,u,GS,=0,时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。,定义：,夹断电压（,U,P,）,沟道刚刚消失所需的栅源电压,u,GS,。,N,沟道耗尽型,MOSFET,的,特性曲线,输出特性曲线,转移特性曲线,1,GS,u,0,1,D,(V),-1,2,-2,(,mA,),4,3,2,i,4,2,u,u,3,10V,=+2V,1,DS,GS,D,(,mA,),i,=-1V,u,GS,GS,GS,=0V,=+1V,u,u,(V),=-2V,U,P,GS,u,U,P,3,、,P,沟道耗尽型,MOSFET,P,沟道,MOSFET,的工作原理与,N,沟道,MOSFET,完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有,NPN,型和,PNP,型一样。,4.MOS,管的主要参数,（,1,）开启电压,U,T,（,2,）,夹断电压,U,P,（,3,）,跨导,g,m,：,g,m,=,i,D,/,u,GS,u,DS,=const,（,4,）,直流输入电阻,R,GS,栅源间的等效电阻。由于,MOS,管,栅源间有,sio,2,绝缘层，输入电阻可达,10,9,10,15,。,本章小结,1,半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到,N,型半导体和,P,型半导体。,2,采用一定的工艺措施，使,P,型和,N,型半导体结合在一起，就形成了,PN,结。,PN,结的基本特点是单向导电性。,3,二极管是由一个,PN,结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。在研究二极管电路时，可根据不同情况，使用不同的二极管模型。,4,BJT,是由两个,PN,结构成的。工作时，有两种载流子参与导电，称为双极性晶体管。,BJT,是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。,BJT,的特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。其性能可以用一系列参数来表征。,BJT,有三个工作区：饱和区、放大器和截止区。,6,FET,分为,JFET,和,MOSFET,两种。工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性晶体管。,FET,是一种电压控制电流型器件。改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。,FET,的特性可用转移特性曲线和输出特性曲线来描述。其性能可以用一系列参数来表征。,