2023中国功率半导体和第三代半导体发展现状和前景分析.pdf

2023中国功率半导体与第三代半导体中国功率半导体与第三代半导体行业发展现状及前景分析行业发展现状及前景分析W I N S O U L C A P I TA L云 岫 资 本 合 伙 人云 岫 资 本 合 伙 人&C T O 赵 占 祥赵 占 祥云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本|功率半导体是电能转换及电路控制核心，市场规模大且中国为最大消费国功率半导体是电能转换及电路控制核心，市场规模大且中国为最大消费国2数据来源：Omdia、云岫资本整理44148146442244248150252217318317717118219119820601002003004005006002017A2018A2019A2020A2021A2022A2023E2024E全球市场规模中国市场规模半导体集成电路分立器件光电子传感器数字IC模拟IC小信号分立器件功率分立器件信号链IC电源管理IC二极管晶体管晶闸管BJTMOSFETIGBT功率半导体功率半导体全球及中国功率半导体市场规模（单位：亿美元）2022年全球功率半导体市场规模达481亿美元，预计至2024年将增长至522亿美元，年复合增长率约为5.46%，增长平稳中国作为全球最大的功率半导体消费国，贡献了约40%的功率半导体市场国内2022年市场规模为191亿美元，预计至2024年市场规模有望达到206亿美元云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本|MOSFET和和IGBT是全球市场主流应用，下游需求强劲是全球市场主流应用，下游需求强劲3 MOSFET和IGBT为功率半导体产品主力产品。MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点，通常被用于放大电路或开关电路。IGBT由BJT和MOSFET组合而成且兼具两者优点，即高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小而饱和压降低等。云服务器个人电脑充电器小家电手机电动自行车充电桩LED照明变频器电传动系统新能源汽车轨道交通智能电网光伏逆变器风力发电电焊机电磁炉通通态态电电流流MOSFETSJ MOSFETIGBT白色家电8V200V600V1,200V6,500VMOSFETIGBT二极管及整流器二极管及整流器晶闸管晶闸管BJT41%30%20%5%4%数据来源：中金研究所、云岫资本整理电压电压各类功率半导体市场规模占比情况（截至各类功率半导体市场规模占比情况（截至2022年年H1）云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本|MOSFET技术迭代方向：更高开关频率、更高功率密度及更低功耗技术迭代方向：更高开关频率、更高功率密度及更低功耗4数据来源：东微半导体公告、云岫资本整理材料迭代工艺进步结构改进10m线宽制程0.150.35m线宽制程功率密度、FOM及开关效率提升硅基SiC、氮化镓开关特性、高温特性改进及功耗降低耐高压易于驱动，工作效率高芯片面积大，损耗高耐压范围:低压-100V易于驱动，工作效率高，热稳定性好，损耗低耐压范围:600V-800V易于驱动，频率超高，损耗极低兼具高耐压、低电阻，最新一代功率器件耐压范围:中低压-200V打破了硅限，大幅降低导通电阻和开关损耗新的沟槽金属氧化物半导体器件工艺云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本|MOSFET市场规模保持增长，海外厂商占据市场主导，国产化率快速提升市场规模保持增长，海外厂商占据市场主导，国产化率快速提升5数据来源：Omdia、英飞凌、云岫资本整理MOSFET行业国内市场规模（亿美元）中国MOSFET国产化率MOSFET行业全球市场规模（亿美元）MOSFET行业全球竞争格局76.384.7113.2129.6133.9141.5150.5160.6040801201602002019A2020A2021A2022A2023E2024E2025E2026E29.6 33.8 46.6 54.0 56.6 60.3 64.7 69.5 0204060802019A2020A2021A2022A2023E2024E2025E2026E英飞凌,27%安森美,11%意法半导体,10%东芝,6%瑞萨,5%Alpha&Omega,4%威世半导体,4%华润微,4%安世半导体,4%士兰微,3%其他,22%29.8%33.0%38.4%44.6%51.9%59.9%66.8%24.0%27.4%32.4%38.6%47.3%55.9%64.2%18.1%20.1%23.6%29.3%35.7%43.0%54.5%0%20%40%60%80%2020A2021A2022A2023E2024E2025E2026E中低压高压超高压云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本|IGBT现已发展到第七代，向更高功率密度不断迭代现已发展到第七代，向更高功率密度不断迭代6数据来源：SemiEngineering、英飞凌、云岫资本整理第一代第一代IGBT第二代第二代IGBT第三代第三代IGBT第四代第四代IGBT第五代第五代IGBT第六代第六代IGBT第七代第七代IGBT推出年份推出年份1991199420002007201320172020类型类型平面栅+穿通平面栅+非穿通沟槽栅+场截止沟槽栅+场截止薄晶圆沟槽栅+场截止表面覆铜Trench+FSTrench+FSMicro pattern芯片面积芯片面积（以第一代为基数）（以第一代为基数）10.650.440.40.320.26更小功率密度（功率密度（KW/m2）30507085110170250饱和电压（饱和电压（V）3.73.12.121.71.51.4开通延迟时间（开通延迟时间（s）0.30.280.160.060.30.080.15产品特点产品特点工艺复杂，成本高，不利于并联利于并联，器件损耗、温升明显性能更加优化，降低关断时的损耗进一步降低开关损耗，增加输出电流能力芯片结构优化，厚度进一步减少导通损耗低，开关损耗低可实现最高175的智能工作结温 自20世纪80年代发展至今，IGBT共计经历了7代技术及工艺的升级。从平面穿通型（PT）始，发展至目前最新的微沟槽场截止型（Micro-Pattern Trench）技术，IGBT在芯片面积芯片面积、工艺线宽工艺线宽、通态饱和压降及关断时间等各项指标方面不断进行优化通态饱和压降及关断时间等各项指标方面不断进行优化云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本|IGBT技术围绕栅极及纵向结构变化，向小型化、低损耗、高性能方向发展技术围绕栅极及纵向结构变化，向小型化、低损耗、高性能方向发展7数据来源：英飞凌、云岫资本整理栅极栅极结构结构纵向纵向结构结构微沟槽栅微沟槽栅平面栅平面栅沟槽栅沟槽栅沟道结构由横转竖，消除JFET结构，沟道密度提升，近表面载流子浓度提升，性能优化垂直结构省去硅表制作导电通道面积，利于元胞的紧凑设计，增加导电沟道宽度，降低沟道电阻降低沟槽间距至亚微米级，沟道密度更高，使其可以调节出最合适的电容比率，开关损耗降低，开关特性提升采用虚拟陪栅结构和非有源区，胞通态时发射极端载流子浓度提升微沟槽栅（微沟槽栅（FS）穿通型（穿通型（PT）非穿通型（非穿通型（NPT）由P+衬底作为起始层变换为由N-衬底作为起始层。硅片厚度减小，热阻降低约40%改善PT型不可并联工作特性，实现电流均流，扩大功率应用范围该结构生产时需要背面减薄，再进行光刻、刻蚀、离子注入等工序，易发生碎片和弯曲，工艺过程复杂，成本高，成品率低进一步调和衬底厚度、耐压和通态压价增大的矛盾采用薄的N型基极区衬底，硅片更薄，饱和压降低，导通损耗小关断速度更快，且基本无电流拖尾工艺更复杂，加工难度更大云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本|全球全球IGBT市场规模持续增长，海外企业龙头效应显著，国产替代正当时市场规模持续增长，海外企业龙头效应显著，国产替代正当时8数据来源：Omdia、云岫资本整理IGBT行业国内市场规模（亿美元）2017年至2023年IGBT国产化率IGBT行业全球市场规模（亿美元）IGBT行业全球竞争格局5155668297104121035701051402019A2020A2021A2022A2023E2024E2025E141720263032350102030402019A2020A2021A2022A2023E2024E2025E12.3%14.1%16.3%18.4%19.5%26.5%32.9%0%10%20%30%40%2017A2018A2019A2020A2021A2022A2023E英飞凌,29%富士电机,15%三菱,9%意法半导体,8%安森美,6%东芝,4%力特,4%士兰德,4%瑞萨,4%美格纳,3%其他,14%云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本 云岫资本|我国IGBT需求结构与全球市场不同，新能源汽车、消费电子和工控是IGBT需求占比最大的下游领域，市占率分别为3127%和20%我国IGBT在新能源汽车、新能源发电等领域应用占比远超全球平均水平，受益于国家“双碳”战略，行业需求旺盛，下游IGBT用量大幅增加，成为国内IGBT需求增长的主要驱动力工业控制工业控制新能源汽车新能源汽车新能源新能源发电发电家电家电轨交、电网及其他轨交、电网及其他37%18%9%28%8%新能源汽车新能源汽车消费电子消费电子工业控制工业控制新能源发电新能源发电轨交电网及其他轨交电网及其他31%11%20%27%11%全球及中国全球及中国IGBT下游需求结构占比情况（数据截至下游需求结构占比情况（数据截至2021年）年）0.00.61.21.82.4071421282020A2