2023年中国存储行业研究报告：DRAM与NAND+Flash市场发展态势分析.pdf

2023年中国存储行业研究报告：DRAM与NAND Flash市场发展态势分析2023 China Storage Industry Research Report:Analysis of the Market Development Trend of DRAM and NAND Flash2023年中国業界研究報告：DRAMNAND Flash市場発展態勢分析报告提供的任何内容（包括但不限于数据、文字、图表、图像等）均系头豹研究院独有的高度机密性文件（在报告中另行标明出处者除外）。未经头豹研究院事先书面许可，任何人不得以任何方式擅自复制、再造、传播、出版、引用、改编、汇编本报告内容，若有违反上述约定的行为发生，头豹研究院保留采取法律措施、追究相关人员责任的权利。头豹研究院开展的所有商业活动均使用“头豹研究院”或“头豹”的商号、商标，头豹研究院无任何前述名称之外的其他分支机构，也未授权或聘用其他任何第三方代表头豹研究院开展商业活动。报告标签：存储，DRAM，NAND Flash行业概览 2023/06中国：存储系列行业概览|2023/400-072-55882摘要 DRAM市场规模：市场规模出现下滑，行业处于下行周期2022年，智能手机、PC消费需求持续疲软，数据中心服务器也面临着库存调整，以上使得全球DRAM行业进入下行周期。2023Q1，三星、美光、SK海力士等全球头部DRAM厂商的营收环比仍持续下降。作为供应商的DRAM原厂纷纷选择减产、降低资本支持以调整供需关系。因此，预计2023年全球DRAM市场规模将同比下降30%至553亿美元。NAND Flash市场规模：预计2023年市场规模仍保持下滑2022年，PC需求疲软，以及数据中心面临剧烈的库存调整，使得数据中心及企业级SSD需求持续下降。2023年一季度，PC、SSD等终端需求不振，库存高涨现象显著，NAND Flash市场仍处于极度不平衡的状况。头部存储厂商纷纷减产来缓解价格的下跌、解决库存过剩的问题。2023年下半年备货旺季将至，NAND Flash价格有望止跌，但预计全年市场规模仍保持下滑。海外与中国存储厂商竞争态势及市场动向美光“被禁”有望加速中国存储芯片国产化替代进程，然而美国对先进工艺制造设备的出口管制，使得国内存储厂商难以短时间内扩大产能，且国产存储厂商与三星、SK海力士仍存在技术差距，短期内瓜分美光遗留市场困难重重。按照读写方式，外部存储器中的半导体存储器可分为只读存储器ROM（EEPROM、PROM、EPROM）和闪存存储介质（NOR Flash、NANDFlash）。磁存储器件主要包含磁带、磁盘。光存储器件主要包含蓝光光盘（BD）、归档光盘（AD）、全息存储、玻璃存储等。其中，半导体存储器是目前全球最大的存储细分市场，其分为易失性存储器（SRAM、DRAM）和非易失性存储器（NOR Flash、NAND Flash）。目前，DRAM和NAND Flash两种主流存储器合计占据全球超90%的存储器市场份额。半导体存储器是目前全球最大的存储细分市场，本篇将重点讨论半导体存储器件中的DRAM和NAND Flash。中国：存储系列行业概览|2023/400-072-55883存储行业综述-04存储器分类：总体分为外部存储器和内部存储器-05存储发展历程：存储介质从早期穿孔卡演进至固态硬盘-06半导体存储器：NAND Flash和DRAM占据全球超90%份额-07DRAM与NAND Flash行业分析-08DRAM：广泛应用于手机、电脑内存条领域-09DRAM市场规模：市场规模出现下滑，行业处于下行周期-11DRAM价格：智能手机与PC需求疲软，价格持续衰退-12NAND Flash：广泛应用于 eMMC/EMCP，U盘，SSD-13NAND Flash市场规模：预计2023年市场规模仍保持下滑-14NAND Flash价格：PC与SSD需求减弱，三季度有望回暖-15海外与中国存储厂商竞争态势及市场动向-16存储产业相关政策-18中国存储企业推荐-19长鑫存储-20长江存储-21兆易创新-22方法论-25法律声明-26目录Chapter 1存储行业综述中国存储器综述存储器分类：总体分为外部存储器和内部存储器存储发展历程：存储介质从早期穿孔卡演进至固态硬盘半导体存储器：NAND Flash和DRAM占据全球超90%份额中国：存储系列行业概览|2023/400-072-55885存储器分类：总体分为外部存储器和内部存储器存储器可分为外部存储器和内部存储器，其中，外部存储器包括半导体存储器、磁存储器和光存储器，内部存储器包括易失性存储器和新型非易失性存储器来源：存储联盟，头豹研究院存储器分类 存储器通过使用地址编址和电子静态存储技术实现存储和读取数据，其大体上可分为外部存储器和内部存储器存储器的工作原理为：通过使用地址编址和电子静态存储技术实现存储和读取数据，通常被组织成一个二维矩阵，其中的每个单元称为一个存储位置。在计算机需要读取或写入数据时，向存储器发送地址信号，通过数据总线与存储器进行数据的传输。存储器主要可分为外部存储器和内部存储器。其中，外部存储器包含半导体存储器、磁存储器和光存储器，内部存储器包含易失性存储器和新型非易失性存储器。按照读写方式，外部存储器中的半导体存储器可分为只读存储器ROM（EEPROM、PROM、EPROM）和闪存存储介质（NOR Flash、NAND Flash）。磁存储器件主要包含磁带、磁盘。光存储器件主要包含蓝光光盘（BD）、归档光盘（AD）、全息存储、玻璃存储等。半导体存储器是目前全球最大的存储细分市场，本篇将重点讨论半导体存储器件。存储器外部存储器内部存储器EEPROMNAND FlashPROMEPROMNOR Flash闪存存储介质ROM只读存储器半导体存储器件磁存储器件磁盘磁带光存储器件蓝光光盘（BD）归档光盘（AD）全息存储玻璃存储RAM（断电数据丢失）SRAMDRAM新型存储器件（断电数据不丢失）RRAM（阻变）MRAM（磁阻）FRAM（铁电）PCM（相变）中国：存储系列行业概览|2023/400-072-55886存储发展历程：存储介质从早期穿孔卡演进至固态硬盘存储介质在工业革命兴起后经历了从穿孔纸带、磁带、磁鼓存储器、磁芯存储器、软盘、光盘等传统存储设备，到固态硬盘、U盘、SD卡等现代存储设备的演进来源：中科院半导体所，头豹研究院存储发展历程 在经历了结绳记事、甲骨、石碑、纸张等存储介质的演进后，工业革命的兴起也使得存储介质经历了从穿孔卡到固态硬盘等设备的变迁穿孔卡和穿孔纸带机械化信息最初的存储形式：1890年，美国统计学家Herman Hollerith发明了打孔卡制表机，最多可记录960bits，用于收集并统计人口普查数据，标志着半自动化数据处理系统时代的开始。磁带磁性存储时代的开始：1928年，德国雷德斯诺工程师Fritz Pfleumer发明了录音磁带，可以存储模拟信号。1980年出现了小型的盒式磁带，长度为90分钟的磁带每面壳记录约660kb的数据。磁鼓存储器磁盘驱动器的前身：1932年，IBM公司的奥地利裔工程师Gustav Tauschek发明了磁鼓存储器，在磁存储器出现前广泛用于计算机内存，被认为是硬盘驱动器的前身。磁芯存储器随机存取存储器（RAM）的早期版本：1949年，美国哈佛大学实验室的王安博士实现了对磁芯存储器“读后即写”的技术，其在20世纪70年代被广泛用作计算机的主存储器，直到Intel的半导体DRAM内存批量生产。硬盘驱动器磁盘存储时代：1956年，IBM的Reynold B.Johnson带领研发团队发明了世界上第一块硬盘 IBM 305 RAMAC。该驱动器约有两个冰箱大小，重达一吨，包含50个24英寸盘片，容量仅为5MB，数据传输速度10K/S。软盘个人计算机中最早使用的可移介质：1971年，软盘由IBM引入，从上世纪70年代中期到90年代末期被广泛使用。光盘以光信息为存储的载体：1982年，索尼和飞利浦公司发布了世界上第一部商用CD音频播放器CDP-101，光盘开始普及。固态硬盘简化的计算机系统：1089年，第一款固态硬盘出现，又称固态驱动器，是用固态电子存储芯片阵列制成的硬盘。此后，固态硬盘逐渐市场化，并应用于专业领域，如医疗、航空和军事。U盘以闪存芯片为存储介质的存储设备：1998年，U盘首次面市。2004年，中国朗科科技公司获得美国国家专利局正式授权的闪存盘基础发明专利。SD卡基于半导体闪存工艺的存储卡：1999年，日本松下、东芝和美国SanDisk公司共同研制了SD卡。1890192819321949195619711982198919981999穿孔卡和穿孔纸带磁带磁鼓存储器磁芯存储器硬盘驱动器软盘光盘固态硬盘U盘SD卡早期存储设备现代存储设备中国：存储系列行业概览|2023/400-072-55887半导体存储器：NAND Flash和DRAM占据全球超90%份额半导体存储器是目前全球最大的存储细分市场，其分为易失性存储器（SRAM、DRAM）和非易失性存储器（NOR Flash、NAND Flash）。目前，DRAM和NAND Flash两种主流存储器合计占据全球超90%的存储器市场份额来源：存储联盟，头豹研究院计算机系统中的典型存储器层次结构及其使用的存储技术 在半导体存储器中，典型易失性存储器包含SRAM和DRAM，典型非易失性存储器包含NAND Flash和NOR Flash，其中，DRAM和NAND Flash合计占据全球超90%的存储器市场份额在半导体存储器件中，存储器被分为易失性存储器（内存）和非易失性存储器（外存）两大类，前者在掉电时数据会立即消失，后者则不受断电影响，持久储存数据。其中，易失性存储器主要以SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）为主。非易失性存储器技术则在不断演进，从早期的ROM（PROM、EPROM、EEPROM）到闪存（NOR Flash和NAND Flash）。目前，DRAM和NAND Flash两种主流存储器合计占据全球超90%的存储器市场份额。根据传输速度、容量、数据可擦除性等关键参数，不同存储器拥有各自的职责，以计算机系统中使用的存储器来看：SRAM速度够快，通常作为中央处理器（CPU）的缓存使用，DRAM价格低廉、容量大，通常用作内存，NOR Flash通常用于代码存储，而NAND Flash则用于大数据存储。类型SRAMDRAMNAND FlashNOR Flash非易失性不支持不支持支持支持每GB单价高低非常低低读取速度极快快慢快写入速度极快快慢慢最小写入单位字节字节页字节最小读取单位字节页页字节性能高高中中固态硬盘SSD持久性存储器主存储器2级/3级缓存1级缓存机械硬盘HDD磁盘NAND Flash3D XpointDRAMSRAM/eDRAMSRAMBIOSCPU四大主流半导体存储器对比Chapter 2DRAM与NAND Flash行业分析DRAM与NAND Flash行业分析DRAM：广泛应用于手机、电脑内存条领域DRAM市场规模：市场规模出现下滑，行业处于下行周期DRAM价格：智能手机与PC需求疲软，价格持续衰退NAND Flash：广泛应用于 eMMC/EMCP，U盘，SSDNAND Flash市场规模：预计2023年市场规模仍保持下滑NAND Flash价格：PC与SSD需求减弱，三季度有望回暖海外与中国存储厂商竞争态势及市场动向存储产业相关政策中国：存储系列行业概览|2023/400-072-55889DRAM：广泛应用于手机、电脑内存条领域JEDEC（固态技术协会）将DRAM定义为标准DDR、移动DDR、图形DDR三个类别，分别指代的是电脑内存、手机运存、显卡显存。目前，标准类DDR5已成为主流，DDR6处于研发早期阶段，预计2025年后有望商用来源：固态技术协会，头豹研究院 DRAM（动态随机存储器）广泛应用于手机、电脑的内存条领域，其主要分为标准DDR、移动DDR和图形DDR，分别指代电脑内存、手机运存和显卡显存DRAM，动态随机存储器（Dynamic RAM）。“动态”两字指的是每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。这是因为DRAM的基本单元是一个晶体管加一个电容，并用电容有无电荷来表示数字信息0和1，电容漏电很快，为防止电容漏电而导致读取信息出错，需要周期性地给DRAM的电容充电，因此DRAM速度比SRAM慢。另一方面，这种简单的存储模式也使得DRAM的集成度远高于SRAM，一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容，而每个SRAM单元需要四到六个晶体管和其他零件，因此，DRAM在高密度（大容量）以及价格方面均比SRAM有优势。SRAM多用于对性能要求极高的地方（如CPU的一级二级缓冲），而DRAM则主要用于手机、计算机的内 JEDEC（固态技术协会）将DRAM定义为标准DDR、移动DDR、图形DDR三个类别，分别指代的是电脑内存、手机运存、显卡显存DDR4与DDR5对比功能DDR4DDR5DDR5优势数据传输速率数据传输速率达1.6-3.2GBps时钟频率达0.8-1.6GHz数据传输速率达4.8-8.4GBps时钟频率达1.6-4.2GHz更高的带宽通道架构72位宽数据通道（64位数据+8位 ECC）每个DIMM有1个通道40位宽数据通道（32位数据+8位 ECC）每个DIMM有2个通道更高的内存效率更低的时延CA总线32位SDR，每个引脚均分配了功能每通道10位DDR，对引脚采用分组协议在DIMM引脚数量变少的情况下仍能够为两个通道提供必要的CA带宽突发长度BC4，BL8BC8，BL16更高的内存效率DRAM芯片密度16GB SDP-64 GB DIMMs3DS-CID支持8-hi堆线64GB SDP-256 GB DIMMs3DS CID 支持16-hi堆线更大容量的DIMMs输入/输出电压1.2v 电压V|CA SSTL1.1V|CA PODL更低的功耗标准DDR：支持更宽的通道宽度、更高的密度和不同的形状尺寸，面向服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机等消费类应用。目前JEDEC已公布的最高标准是DDR5。DDR4和DDR5主要在带宽、单芯片密度及工作频率等方面有区别。带宽速度方面，DDR4的带宽为25.6GB/s，DDR5的带宽为32GB/s；单芯片密度方面，DDR4为4GB的单片芯片密度，单条内存的最大容量达128GB，而DDR5会有单片超过16GB的芯片密度，可达到单条更高容量；工作频率方面，DDR4的最低工作频率标准为1600MHz，最高工作频率为3200MHz。DDR5的最高工作频率则为6400MHz；功耗方面，DDR4内存的单条功耗为1.2V，DDR5内存的功耗则降低至1.1V。目前，DDR5已成为主流，而DDR6也已处于早起开发过程。三星预计DDR6设计将在2024年完成，但预计2025年之后才会商用。中国：存储系列行业概览|2023/400-072-558810DRAM：广泛应用于手机、电脑内存条领域（续）移动DDR目前最高标准为LPDDR5X，面向移动设备和汽车等规格和功耗敏感的领域。图形DDR最高标准为GDDR6X，面向图形应用程序、数据中心加速及AI应用，预计美光将在2024年一季度推出GDDR7显存来源：固态技术协会，头豹研究院LPDDR各标准对比移动DDR：提供更窄的通道宽度和较低的功耗，面向移动设备和汽车等规格和功耗敏感的领域。目前已公布的最高标准是LPDDR5X。与LPDDR4X的4266Mbps相比也快了近30%。而LPDDR5X整体要比上一代的JEDECLPDDR5相较于LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200Mbps翻番提升到6400Mbps，的发展，LPDDR也将应用于更多新兴领域，如智能后视镜、VR、商显、智能家居等。LPDDR3LPDDR4LPDDR4XLPDDR5LPDDR5X最大密度32 Gbit64 Gbit32 Gbit最大速率2133Mbps4266Mbps6400Mbps8533Mbps通道数121最大位宽3232（216）16Banks（每组）888-1616电压（Vdd）1.2V1.1V可变（最大1.1V）电压（Vddq）1.2V1.1V0.6V0.5V图形DDR：提供极高的吞吐量，面向图形应用程序、数据中心加速以及AI的数据密集型应用程序。目前JEDEC已公布的最高标准是GDDR6。目前，GDDR6X显存是NVDIA和美光联手研发，还没被JEDEC标准化。GDDR6X的显存带宽比GDDR6增加了约35%，能耗降低约15%。此外，将很多DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起，就构成了另一种形式的显存，即HBM。目前，JEDEC已公布的最高标准是HBM3。据悉，美光计划在2024年第一季度推出GDDR7显存，其将会采用PAM3编码，让显存速率更上一层楼，最高可以达到36Gbps，接近于主流GDDR6显存的2倍。GDDR各标准对比GDDR5GDDR5XGDDR6GDDR6X密度512Mb-8GB8GB8BG，16GB8BG，16GB电压（Vdd和Vddq）1.5V或1.35V1.35V1.35V或1.25V1.35V或1.25VVppN/A1.8V1.8V1.8V最大速率最高8GB/s最高12GB/s最高16GB/s19GB/S，21GB/s，21GB/s通道数1122访问粒度32bytes64bytes2ch 32bytes2ch 32bytes突发长度816/8168（PAM4 mode）16（RDQS mode）中国：存储系列行业概览|2023/400-072-558811DRAM市场规模：市场规模出现下滑，行业处于下行周期2022年，全球DRAM市场规模达790.61亿美元，同比下跌16.7%。2023Q1，三星、美光、SK海力士等全球头部DRAM厂商营收环比仍持续下降，其纷纷选择减产，降低资本支出以调整供需关系来源：CFM闪存市场，头豹研究院全球DRAM市场规模，2016-2023E 2022年，全球DRAM市场规模达790.61亿美元，同比下跌16.7%。预计2023年市场规模降至553亿美元2022年，全球DRAM市场规模为790.61亿美元，同比下跌16.7%。2023年第一季度，全球DRAM市场规模为95.27亿美元，环比减少21.6%，同比减少60.2%。其中，三星在2023Q1的DRAM销售收入达40.65亿美元，环比减少24.8%，市场份额为42.7%。美光和SK海力士2023Q1则分别实现DRAM收入27.22亿美元和23.15亿美元，分别环比下降3.8%和32.1%，市场份额分别为28.5%和24.3%。2022年，智能手机、PC消费需求持续疲软，数据中心服务器也面临着库存调整，以上使得全球DRAM行业进入下行周期。2023Q1，三星、美光、SK海力士等全球头部DRAM厂商的营收环比仍持续下降。作为供应商的DRAM原厂纷纷选择减产、降低资本支持以调整供需关系。因此，预计2023年全球DRAM市场规模将同比下降30%至553亿美元。408 717 990 620 674 949 791 553 75.7%38.1%-37.4%8.7%40.8%-16.7%-30.0%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%02004006008001,0001,20020162017201820192020202120222023E全球DRAM市场规模增速单位：亿美元单位：%各厂商DRAM营收排名及市场份额，2023Q1排名企业23Q1 DRAM营收（$M）QoQ1三星4,065-24.8%2美光2,722-3.8%3SK海力士2,315-32.1%4南亚科技212-16.4%5华邦电子101-6.5%其他113-26.3%总计9,527-21.6%42.7%28.5%24.3%2.2%1.1%1.2%全球DRAM厂商市占率，2023Q1三星美光SK海力士南亚科技华邦电子其他中国：存储系列行业概览|2023/400-072-558812DRAM价格：智能手机与PC需求疲软，价格持续衰退DRAM现货与合约均价持续下跌，主要由于智能手机、PC需求疲软，内存厂商持续低价销售。美光、SK海力士、三星纷纷减产控制供需平衡，同时三大存储厂商均希望在今年三季度拉高DRAM价格来源：DRAMexchange，Wind，头豹研究院DRAM现货平均价格走势，23/05/23-30/06/23单位：美元 PC与智能手机需求减少，DRAM厂商持续低价销售。头部DRAM厂商有望于今年三季度拉高DRAM价格根据DRAMexchange的数据，6月30日，DRAM（DDR4 16Gb 1G16 3200Mbps）现货平均价格为2.92美元，月跌幅1.35%。DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8 3200Mbps）现货平均价为1.50美元，月跌幅0.20%；DRAM（DDR58GB SO-DIMM）和DRAM（DDR4 8GB SO-DIMM）5月合约价分别为15.18美元和13.20美元，月跌幅均为2.94%。存储器DRAM现货与合约价格持续下跌，主要由于PC、智能手机需求减少，内存厂商持续低价销售。据市场消息人士称，“DRAM现在的价格正接近原料成本”。作为内存头部厂商的美国美光（Micron）、韩国SK海力士在2022年秋天表明减产DRAM，随后三星也于今年4月宣布减产。通常DRAM生产需要3个月时间，因此，三星的减产效应预计于今年7月后显现。同时，尽管今年三季度仍存在库存和终端需求的不确定性，但在DRAM价格持续下跌后，三大存储器厂商都希望拉动三季度DRAM价格上涨。2.98 2.96 2.92 1.51 1.51 1.50 1.001.201.401.601.802.002.202.402.602.803.00DRAM:DDR4 16Gb 1Gx16 3200MbpsDRAM:DDR4 8Gb 1Gx8 3200MbpsDRAM合约平均价格走势，01/03/23-01/05/23单位：美元18.98 15.64 15.18 16.50 13.60 13.20 0.005.0010.0015.0020.002023-03-012023-04-012023-05-01DRAM:DDR5 8GB SO-DIMMDRAM:DDR4 8GB SO-DIMM中国：存储系列行业概览|2023/400-072-558813NAND Flash：广泛应用于 eMMC/EMCP，U盘，SSDNAND Flash是目前闪存中的主要产品，其具有非易失、高密度、低成本的优势，被广泛应用于eMMC/EMCP，U盘，SSD等市场。NAND Flash可通过提升制程节点和叠加层数来获取高密度和大容量，进而降低单位成本来源：世界电子元器件，头豹研究院 NAND Flash是闪存中的主要产品，广泛应用于eMMC/EMCP，U盘，SSD等市场NAND Flash是目前闪存中最主要的产品，具备非易失，高密度，低成本的优势。在NAND闪存中，数据是以位（bit）的方式保存在Memory Cell中，一个Cell存储一个bit，这些Cell或8个或16个为单位，连成bit line，而这些line组合起来会构成Page，而NAND闪存就是以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据，故其写入和擦除速度虽比DRAM大约慢3-4个数量级，却也比传统的机械硬盘快3个数量级，被广泛用于eMMC/EMCP，U盘，SSD等市场。各种NAND Flash技术对比SLCpSLCMLC3D pSLC3D TLC3D QLC每位元成本可靠性与耐用性高温支持写入性能数据保留耐久性注：极优优良一般差 NAND拥有SLC、MLC、TLC、QLC四种不同的存储技术，在性能、功耗、可靠性等方面存在差异NAND Flash属于数据型闪存芯片，是海量数据的核心，可以实现大容量存储、高写入和擦除速度，多应用于大容量数据存储。拥有SLC、MLC、TLC、QLC四种不同存储技术，依次代表每个存储单元存储的数据分别为1位、2位、3位与4位。由SLC到QLC存储密度逐步提升，单位比特（Bit）成本也会随之降低。但相对的，性能、功耗、可靠性与P/E循环（擦写循环次数，即寿命）会下降。目前，NAND可通过两个方向提高性能：1）提升制程节点；2）通过纵向叠加NANDFlash层数来获取高密度和大容量，进而降低单位成本，即3D NAND Flash，类似于机械硬盘增加碟数来提高容量密度。通常情况下，常见的SSD固态硬盘、U盘、手机闪存、SD卡均属于大容量3D NAND Flash的范畴。中国：存储系列行业概览|2023/400-072-558814NAND Flash市场规模：预计2023年市场规模仍保持下滑2022年，全球NAND Flash市场规模为601.26亿美元，同比下跌11%。2023Q1，全球NAND Flash市场规模为85.94亿美元，环比减少18%。PC需求疲软，数据中心与企业级SSD需求下降，使得NAND市场规模持续下滑来源：CFM闪存市场，头豹研究院全球NAND Flash市场规模，2017-2023E 2022年全球NAND Flash市场规模达601亿美元，同比下跌16.7%。预计2023年市场规模降至421亿美元2022年，全球NAND Flash市场规模为601.26亿美元，同比下跌11%。2023年第一季度，全球NAND Flash市场规模为85.94亿美元，环比减少18%。预计2023年全年，NAND Flash市场规模将持续下跌30%至421亿美元。2023Q1，三星NAND Flash销售收入达29.35亿美元，环比减少17.3%，市场份额为34.2%。铠侠实现NANDFlash收入18.53亿美元，环比减少5.8%，市场份额为21.6%。SK海力士（包括Solidigm）实现NAND Flash收入13.18亿美元，环比减少25.2%，市场份额为15.3%。2022年，PC需求疲软，以及数据中心面临剧烈的库存调整，使得数据中心及企业级SSD需求持续下降。2023年一季度，PC、SSD等终端需求不振，库存高涨现象显著，NAND Flash市场仍处于极度不平衡的状况。头部存储厂商纷纷减产来缓解价格的下跌、解决库存过剩的问题。2023年下半年备货旺季将至，NANDFlash价格有望止跌，但预计全年市场规模仍保持下滑。单位：亿美元单位：%各厂商NAND Flash营收排名及市场份额，2023Q1排名1三星2,9352铠侠1,853-5.8%3SK海力士+Solidigm1,318-25.2%4西部数据1.307-21.1%5美光885-19.8%其他296-35.9%总计8,594-18.1%34.2%21.6%15.3%15.2%10.3%3.4%全球NAND Flash厂商市占率，2023Q1三星铠侠SK海力士+Solidigm西部数据美光其他400 644 460 566 679 601 421 61.0%-30.0%23.0%20.0%-11.0%-30.0%-50%0%50%100%02004006008002017201820192020202120222023E全球NAND Flash 市场规模增速中国：存储系列行业概览|2023/400-072-558815NAND Flash价格：PC与SSD需求减弱，三季度有望回暖NAND Flash现货与合约均价都较全年同期有所下跌，主要由于PC消费疲软，以及数据中心和企业级SSD需求急剧减弱。今年下半年的旺季备货周期将至，需求有望回暖，采购量有机会逐季增长来源：DRAMexchange，Wind，头豹研究院NAND Flash现货平均价格走势，23/05/23-30/06/23单位：美元 PC、数据中心和企业级SSD需求急剧减弱，NAND Flash价格较去年同期下降。今年三季度备货旺季有望需求回暖根据DRAMexchange的数据，6月30日，NAND Flash（64Gb 8Gx8 MLC）现货平均价格为3.853美元，月跌幅0.03%，较去年同期下降4.01%。NAND Flash（32Gb 4Gx8 MLC）现货平均价为2.067美元，较去年同期下降4.22%；NAND Flash（64Gb 8Gx8 MLC）和NAND Flash（32Gb 4Gx8 MLC）5月合约价分别为2.76美元和2.43美元，与去年同期相比分别下跌19.77%和18.90%。NAND Flash现货与合约均价都较去年同期有所下跌，主要由于PC消费的疲软，以及数据中心服务器面临剧烈的库存调整，使得数据中心和企业级SSD需求急剧减弱，NAND Flash厂商也因此纷纷减产并持续低价供货。目前，终端需求仍表现不佳，成交情绪不振，但自5月底以来，NAND Flash现货价格开始止跌。今年下半年的旺季备货周期将至，旺季需求有望回暖，采购量有机会逐季增长。预计今年第三季度起NANDFlash价格将转为上涨。NAND Flash合约平均价格走势，31/05/22-31/05/23单位：美元3.854 3.853 2.067 2.067 0.0001.0002.0003.0004.0005.000NAND Flash:64Gb 8Gx8 MLCNAND Flash:32Gb 4Gx8 MLC3.44 2.76 3.00 2.43 0.001.002.003.004.00NAND Flash:NAND 64Gb 8Gx8 MLCNAND Flash:NAND 32Gb 4Gx8 MLC中国：存储系列行业概览|2023/400-072-558816海外与中国存储厂商竞争态势及市场动向2023Q1，三星、美光、SK海力士合计占据全球DRAM市场96%的市场份额；三星、铠侠、SK海力士（包括Solidigm）、西部数据、美光合计占据全球NAND Flash市场97%的市场份额来源：头豹研究院海外与中国存储厂商产品优势及核心技术地区企业产品优势核心技术海外三星全球DRAM和NAND芯片龙头2020年引入EUV技术制造DRAM并在加速推动3D DRAM商业化2022年12月，三星开发出首款采用12nm级工艺技术打造的16GB DDR5 DRAMSK海力士全球DRAM和NAND芯片龙头2021年引入EUV技术来制造DRAM并在加速推动3D DRAM商业化2023年1月12日，SK海力士宣布其用于服务器的DDR5 DRAM采用EUV光刻技术的1nm技术采用成熟的尖端纳米制造和光刻技术进行1的生产，计划从2024年将EUV纳入DRAM开发路线图2022年11月，美光将1 DRAM产品送往客户的产品验证流水线，率先进入了1节点中国长鑫存储中国DRAM龙头DRAM设计和制造工艺技术最先进的量产芯片包括19nm工艺的DDR4、LPDDR4X等，具有高良率，正在大批量产，打破DRAM国际巨头垄断长江存储中国3D NAND龙头Xtacking 3D NAND晶栈技术2022年闪存峰会（FMS）上正式发布了基于晶栈（Xtacking）3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070兆易创新中国NOR Flash和MCU龙头与合肥长鑫密切合作，2021年6月推出首款自有品牌DRAM产品，19nm工艺，主要面向利基市场，已完成NOR Flash、NAND Flash和DRAM三大产品线的布局北京君正中国车载存储龙头Xburst系列CPU Core（基于MIPS指令集）、Helix/Radix系列VPU、Tiziano图像处理器、君正AIE算力引擎、ISSI存储技术中国：存储系列行业概览|2023/400-072-558817海外与中国存储厂商竞争态势及市场动向（续）美光“被禁”有望加速中国存储芯片国产化替代进程，然而美国对先进工艺制造设备的出口管制，使国内存储厂商难以短时间内扩大产能，且国产存储厂商与三星、SK海力士仍存在技术差距，短期内瓜分美光遗留市场困难重重来源：CFM闪存市场，中国网信网，头豹研究院海外与中国存储厂商产品优势及核心技术地区企业产品优势核心技术中国东芯半导体中国SLC NAND龙头NAND/NOR/DRAM/MCP设计工艺技术澜起科技中国内存接口芯片龙头高性能DDR内存缓冲控制器、动态安全监控技术（DSC）、异构计算与互联技术江波龙中国综合性存储模组龙头存储算法与固件、存储芯片封测技术。可提供车规级存储、工规级存储和企业级存储的完成存储解决方案拥有存储芯片封装和测试产线佰维存储中国嵌入式存储龙头拥有半导体存储器和先进封测制造核心竞争力及以SiP为核心的先进封测服务聚辰半导体中国EEPROM龙头串行EEPROM、逻辑加密卡，零漂移轨到轨输入输出运放 2023Q1，三星、美光、SK海力士合计占据全球DRAM市场96%的市场份额；三星、铠侠、SK海力士（包括Solidigm）、西部数据、美光合计占据全球NAND Flash市场97%的市场份额2023Q1，在全球DRAM市场，三星、美光、SK海力士占据市场前三，市占率分别达42.7%、28.5%、24.3%，合计占据全球约96%的市场份额；在全球NAND市场，三星、铠侠、SK海力士（包括Solidigm）、西部数据、美光占据市场前五，市占率分别达34.2%、21.6%、15.3%、15.2%、10.3%，合计占据全球约97%的市场份额。美光“被禁”有望加速存储芯片国产化替代进程，重塑中国存储芯片市场供需格局2023年5月21日晚间，中国网络安全审查办公室官网发布了美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查的结果。公告内容显示，审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照网络安全法等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。美光2022年实现营收307.58亿美元，其中，中国市场（其中中国大陆收入约33亿美元）占比16%，无疑是美光的重要市场之一。此次中国市场的禁售，无疑是在美光2023Q2营收同比下降53%的情况下雪上加霜。此次限制主要针对美光DRAM和NAND Flash存储产品在中国国内关键信息基础设施供应链上的销售。目前，中国存储市场需求庞大，但严重依赖进口，存储器与晶圆两大领域的海外品牌占比超90%。此次美光的“出局”，对于如长鑫存储、长江存储、北京君正、兆易创新等国产厂商来说是重要的机会。然而，美国持续加大对先进工艺制造设备的出口限制，将生产18nm以下制程DRAM、128层以上NAND Flash相关设备都列入管制当中。国内存储厂商要在短时间内扩大产能较为困难。并且，国内存储厂商与三星、SK海力士这种国际头部存储企业在技术上仍存在差距。因此，国内头部存储厂商想要瓜分美光留下的市场仍面临巨大挑战。中国：存储系列行业概览|2023/400-072-558818存储产业相关政策国家高度重视并出台了若干政策，大力支持包括存储器在内的集成电路产业发展。在“十四五”国家信息化规划、“十四五”大数据产业规划等政策中，“存储”作为热词频频出现来源：国务院，工信部，国家发改委，中央网信办，头豹研究院存储产业相关政策，2020-2023政策发布时间发布主体内容关于做好享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知2023-3-22国家发改委等五部门通知明确2023年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单（以下简称“清单”）制定工作，延用2022年清单制定程序、享受税收优惠政策的企业条件和项目标准。其中存储芯片为享受税收优惠政策的重点集成电路设计领域。“十四五”国家信息化规划2021-12-27中央网络安全和信息化委员会规划强调，要布局战略性前沿性技术。瞄准可能引发信息化领域范式变革的重要方向，前瞻布局战略性、前沿性、原创性、颠覆性技术。加强人工智能、量子信息、集成电路、空天信息、