1、单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,北,op amp,Ch.,9,#,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,北大微电子：模拟集成电路原理,op amp,Ch.,9,#,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,北大微电子：模拟集成电路原理,op amp,Ch.,9,#,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,北大微电子：模拟集成电路原理,op amp,Ch.,9,#,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处
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3、9,#,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,op amp,Ch.,9,#,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,op amp,Ch.,9,#,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,op amp,Ch.,9,#,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,op amp,Ch.,9,#,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,op amp,Ch.,9,#
4、CMOS,模拟集成电路设计,复 习 题 一,op amp,Ch.,9,#,1,北大微电子：模拟集成电路原理,1.,以,N,型,MOSFET,为例，画出相应的,I-V,特性曲线，即,I,DS,与,V,DS,V,GS,的关系，并标出,MOSFET,的线性区和饱和区范围，给出各区域成立的条件,op amp,Ch.,9,#,2,北大微电子：模拟集成电路原理,2.,画出一个典型P阱,CMOS,工艺反向器的垂直剖面示意图，要求器件的各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地电位,op amp,Ch.,9,#,3,北大微电子：模拟集成电路原理,3.,什么是,MOSFET,小信号跨导，给出饱和区,MOSF
5、ET,小信号跨导的三种表达形式,op amp,Ch.,9,#,4,北大微电子：模拟集成电路原理,4.,什么是,MOSFET,的亚阈区，指出亚阈区的电流与栅源电压的关系,op amp,Ch.,9,#,5,北大微电子：模拟集成电路原理,1.解释什么是体效应？,在初步分析MOSFET的时候我们假设衬底和源级是接到地的。而实际上当VBVS时，器件仍能正常工作，但是随着VSB的增加，阈值电压VTH会随之增加，这种体电位（相对于源）的变化影响阈值电压的效应称为体效应，也称为“背栅效应”,2.解释什么是沟道长度调制效应？,当沟道发生夹断后，如果VDS继续增大，有效沟道长度L会随之减小，导致漏源电流 Id的大
6、小略有上升。这一效应成为“沟道”,op amp,Ch.,9,#,6,北大微电子：模拟集成电路原理,4.,图,(a),是什么结构？图,(b),忽略了沟道调制效应和体效应。如果体效应不能忽略，请画出,Vin,和,Vout,的关系曲线，并作出解释。,op amp,Ch.,9,#,7,北大微电子：模拟集成电路原理,op amp,Ch.,9,#,8,北大微电子：模拟集成电路原理,5.,图中,MOS,管的作用是什么？应该工作在什么工作区？,op amp,Ch.,9,#,9,北大微电子：模拟集成电路原理,即,NMOS,开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关,相对的，,PMOS,开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想的开关,op amp,Ch.,9,#,10,北大微电子：模拟集成电路原理,op amp,Ch.,9,#,11,北大微电子：模拟集成电路原理,6.,计算电路的小信号增益,op amp,Ch.,9,#,12,北大微电子：模拟集成电路原理,7.,画出下图的小信号等效电路，推导,Rin,的表达式,op amp,Ch.,9,#,13,北大微电子：模拟集成电路原理,8.,op amp,Ch.,9,#,14,北大微电子：模拟集成电路原理,op amp,Ch.,9,#,15,北大微电子：模拟集成电路原理,
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