1、 等级: 湖南工程学院应用技术学院 课 程 设 计 课程名称 电力电子技术 课题名称 DC-DC变换电路分析 专 业 电气工程 班 级 学 号 姓 名 指导教师 李祥来
2、 2014 年 月 日 湖南工程学院 课程设计任务书 课程名称: 电力电子技术 题 目:DC-DC变换电路分析 专业班级: 电气1184 学生姓名: 学号: 指导老师: 审 批: 任务书下达日期 2014年月日
3、 设计完成日期 2014年月日 设计内容与设计要求 一. 设计内容: 1、 分析研究DC-DC变换电路(Buck电路); 2、 用MATLAB对设计的电路进行仿真; 3、 根据仿真结果分析,电路各元件参数选择依据; 4、 完成报告撰写。 二. 设计要求: 1. 设计思路清晰,给出各种情况下的整体设计框图; 2. 给出具体设计思路和电路; 3. 分析各电路的原理,并进行相应的仿真; 4. 写出设计报告; 主要设计条件 1、 可提供实验与仿真条件
4、 说明书格式 1. 课程设计封面; 2. 任务书; 3. 说明书目录; 4. 每个电路总体思路,基本原理和框图; 5. 驱动电路设计分析(驱动电路电路图); 6. 电路实验、仿真等。 7. 分析总结; 8. 附录(完整电路图); 9. 参考文献; 11、课程设计成绩评分表 前 言 直流-直流变流电路(DC-DC Converter)的功能是将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电,包括直接直流变流电路和间接直流变流电路,直接直流变流电路也称斩波电路(DC Chopper),它的功能是将直流
5、电变为另一固定电压或者可调电压的直流电,一般是指直接将直流电变为另一直流电,这种情况下输入与输出之间不隔离。间接直流变流电路是在直流变流电路中增加了交流环节,在交流环节中通常采用变压器实现输入输出间的隔离,因此,也称为带隔离的直流-直流变流电路或直-交-直电路。习惯上,DC-DC变换器包括以上两种情况,且甚至更多地指后一种情况。 直流斩波电路的种类较多,包括6种基本斩波电路:降压斩波电路,升压斩波电路,升降压斩波电路,Cuk斩波电路,Sepic斩波电路和Zeta斩波电路,其中前两种是最基本的电路。一方面,这两种电路应用最为广泛,另一方面,理解了这两种电路可为理解其他的电路打下基础。 降压斩
6、波电路(Buck Chopper)的设计与分析是接下来课程设计的主要任务。 。 目录 一.降压斩波电路 6 1.1 降压斩波原理: 6 1.2 工作原理 7 1.3 IGBT结构及原理 7 二. 直流斩波电路的建模与仿真 10 2.1IGBT驱动电路的设计 10 2.2电路各元件的参数设定 10 2.3元件型号选择 10 2.4仿真软件介绍 10 2.5仿真电路及其仿真结果 10 2.6仿真结果分析 10 三.课设体会与总结 21 四.附录(完整电路图) 21 五.参考文献 21 六.课程设计成绩表 21
7、 一.降压斩波电路 1.1 降压斩波原理 降压斩波电路(Buck Chopper)的原理图及工作波形如下图所示。该电路使用一个全控器件V,图中为IGBT,也可使用其他器件,若采用晶闸管,需设置是晶闸管关断的辅助电路。图中,在为V关断时给负载中的电感电流提供通道,设置了续流二极管VD。斩波电路的典型用途之一是拖动直流电动机,也可带蓄电池负载,两种情况下负载中均会出现反电动势,如图中EM所示。若负载中无反电动势时,只需令EM=0.以下的分析及表达式均可适用。 由图b中V的栅射电压UGE波形可知,在t=0时刻驱动V导通,电源E向载提供电,负载电压U0=E,负载电流I0按
8、指数曲线上升。 负载电压的平均值,和负载电流的平均值: 式中为V处于通态的时间;为V处于断态的时间;T为开关周期;为导通占空比,简称占空比或导通比。 根据对输出电压平均值进行调制的方式不同,斩波电路有三种控制方式: 1) 保持开关周期T不变,调节开关导通时间,称为PWM。 2) 保持开关导通时间不变,改变开关周期T,称为频率调制或调频型。 3) 和T都可调,使占空比改变,称为混合型。 1.2 工作原理 1)t=0时刻驱动V导通,电源E向负载供电,负载电压uo=E,负载电流io按指数曲线上升。 2)
9、t=t1时刻控制V关断,负载电流经二极管VD续流,负载电压uo近似为零,负载电流呈指数曲线下降。为了使负载电流连续且脉动小通常使串接的电感L值较大 。 3)t=t2时刻,再次驱动V导通,重复上述过程。 l 基于“分段线性”的思想,对降压斩波电路进行解析 l 从能量传递关系出发进行的推导 l 由于L为无穷大,故负载电流维持为Io不变 l 电源只在V处于通态时提供能量,为E l 在整个周期T中,负载消耗的能量为(RT+T) 一周期中,忽略损耗,则电源提供的能量与负载消耗的能量相等 输出功率等于输入功率,可将降压斩波器看作直流降压变压器 该电路使用一个全控器件V,途中为IG
10、BT,也可使用其他器件,若采用晶闸管,需设置晶闸管关断的辅助电路。为在V关断时给负载的电感电流提供通道,设置了续流二极管VD。斩波电路的典型用途之一个拖动直流电动机,也可以带蓄电池负载,两种情况均会出现反电动势。 1.3 IGBT结构及原理 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降
11、大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 方法 IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转
12、换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。 导通 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内,那么,J1将处于正向偏
13、压,一些空穴注入N-区内,并调整阴阳极之间的电阻率,这种方式降低了功率导通的总损耗,并启动了第二个电荷流。最后的结果是,在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑:一个电子流(MOSFET 电流); 一个空穴电流(双极)。 关断 当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时,沟道被禁止,没有空穴注入N-区内。在任何情况下,如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降,集电极电流则逐渐降低,这是因为换向开始后,在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低,完全取决于关断时电荷的密度,而密度又与几种因素有关,如掺杂质的数量和拓扑,层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形,
14、集电极电流引起以下问题:功耗升高;交叉导通问题,特别是在使用续流二极管的设备上,问题更加明显。 鉴于尾流与少子的重组有关,尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此,根据所达到的温度,降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。 二. 直流斩波电路的建模与仿真 2.1 IGBT驱动电路的设计 IGBT的驱动是矩形波,所以我选择了由比较器LM358产生矩形波。 图2.1.1 LM358的引脚图 LM358简介:LM358 内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器,适合于电源电压范围很宽的单电源使用
15、也适用于双电源工作模式,在推荐的工作条件下,电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。 图2.1.2 比较器产生方波电路图 其中2、3口是输入口4、6接直流电源电压1为输出口。 2.2 电路各元件的参数设定 1. IGBT的参数设定 图2.2.1 IGBT的简化等效电路以及电气图形符号 术语 符号 定义及说明(测定条件参改说明书) 集电极、发射极间电压 VCES 栅极、发射极间短路时的集电极,发射极间的最大电压 栅
16、极发极间电压 VGES 集电极、发射极间短路时的栅极,发射极间最大电压 集电极电流 IC 集电极所允许的最大直流电流 耗散功率 PC 单个IGBT所允许的最大耗散功率 结温 Tj 元件连续工作时芯片温厦 关断电流 ICES 栅极、发射极间短路,在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。 表2.2.2 IGBT模块的术语及其说明 图2.2.3 降压斩波电路电路图 图2.2.4 降压斩波总电路图 由图3.2所示此次设计的电源电压为220V,当二极管VD导通时V的C和E两端承受的电压为电源电压,因此UCE=220V。 图2.2.5 IGBT的转移特
17、性和输出特性 UGE(th)随温度的升高略有下降,温度每升高1°C,其值下降5mV左右。在+25°C时,UGE(th)的值一般为2-6V。 参考电力电子技术课本可得: 式 3.1 式 3.2 式中,;;。 若取为10,则: 2. 续流二极管VD的参数设定 VD所承受的最大反向电压是当IGBT导通时的电源电压100V。所承受的最大电流是当IGBT关断瞬间电感L作用在VD上的电流,此电流为。 3. 电感的参数设定 由于电感L要尽量大一些否则会出现负载电流断续的情况,所以选择L的值为1。 2.3元件型号选择 考虑其安全裕度则IGBT的额定电压可以为2-
18、3倍峰值电压,所以额定电压可为440-660.额定电流33-44,二极管VD与其类似,VD的最大反向电压为220。 选择IGBT的型号为IRG4PC40U其额定电压为600,额定电流为40。 选择续流二极管的型号为HFA25TB60,其而定电压为600,额定电流为25。 2.4 仿真软件的介绍 此次仿真使用的是MATLAB软件。 Simulink是MATLAB最重要的组件之一,它提供一个动态系统建模、仿真和综合分析的集成环境。在该环境中,无需大量书写程序,而只需要通过简单直观的鼠标操作,就可构造出复杂的系统。Simulink具有适应
19、面广、结构和流程清晰及仿真精细、贴近实际、效率高、灵活等优点,并基于以上优点Simulink已被广泛应用于控制理论和数字信号处理的复杂仿真和设计。同时有大量的第三方软件和硬件可应用于或被要求应用于Simulink。 Simulink是MATLAB中的一种可视化仿真工具,是一种基于MATLAB的框图设计环境,是实现动态系统建模、仿真和分析的一个软件包,被广泛应用于线性系统、非线性系统、数字控制及数字信号处理的建模和仿真中。Simulink可以用连续采样时间、离散采样时间或两种混合的采样时间进行建模,它也支持多速率系统,也就是系统中的不同部分具有不同的采样速率。为了创建动态系统模型,Simu
20、link提供了一个建立模型方块图的图形用户接口(GUI) ,这个创建过程只需单击和拖动鼠标操作就能完成,它提供了一种更快捷、直接明了的方式,而且用户可以立即看到系统的仿真结果。 Simulink®是用于动态系统和嵌入式系统的多领域仿真和基于模型的设计工具。对各种时变系统,包括通讯、控制、信号处理、视频处理和图像处理系统,Simulink提供了交互式图形化环境和可定制模块库来对其进行设计、仿真、执行和测试。. 构架在Simulink基础之上的其他产品扩展了Simulink多领域建模功能,也提供了用于设计、执行、验证和确认任务的相应工具。Simulink与MATLAB&re
21、g; 紧密集成,可以直接访问MATLAB大量的工具来进行算法研发、仿真的分析和可视化、批处理脚本的创建、建模环境的定制以及信号参数和测试数据的定义。 2.5仿真电路及其仿真结果 1.仿真电路图 图2.5.1 降压斩波的MATLAB电路的模型 2.MATLAB的.仿真结果如下: 图2.5.2 =0.2时的仿真结果 图2.5.3 =0.4时的仿真结果 图2.5.4 =0.6时的仿真结果 图2.5.5 =0.8时的仿真结果 图2.5.6 =0.99时的仿真结果 2.6 仿真结果分析 由公式可得: 当时,=44 =0.4时,=8
22、8。 =0.6时,=132。 =0.8时,=176。 =0.99时,=217.8。 上面的数据与理论值相同,由于使用的是仿真软件所以没有误差。 三.课设总结与体会 四.附录(完整电路图) 五.参考文献 进 度 安 排 第1周星期一:课题内容介绍和查找资料; 星期二: 熟悉基本直流斩波电路; 星期三: 分析直流斩波电路; 星期四: 分析直流斩波电路; 星期五
23、 设计直流斩波电路; 第2周星期一: 设计直流斩波电路; 星期二:实验仿真、波形分析、参数计算等 星期三~四:写设计报告,打印相关图纸; 星期五:答辩及资料整理 参 考 文 献 [1].石玉 栗书贤.电力电子技术题例与电路设计指导.机械工业出版社,1998 [2].王兆安 黄俊.电力电子技术(第4版).机械工业出版社,2000 [3].浣喜明 姚为正.电力电子技术.高等教育出版社,2000 [4].莫正康.电力电子技术应用(第3版).机械工业出版社,2000 [5].郑琼林.耿学文.电力电子电路精选.机械工业出版社,19
24、96 [6].刘祖润 胡俊达.毕业设计指导.机械工业出版社,1995 [7].刘星平.电力电子技术及电力拖动自动控制系统.校内,1999 [8].康华光,陈大钦.电子技术基础[M].北京:高等教育出版社,1998:451—459. [9].薛永毅,王淑英,何希才,新型电源电路应用实例,电子工业出版社,2001.10 电气工程系课程设计评分表 项 目 评 价 优 良 中 及格 差 设计方案的合理性与创造性(10%) 硬件设计或软件编程完成情况(10%) 硬件测试或软件调试结果*(10%)
25、 设计说明书质量(10%) 设计图纸质量(10%) 答辩汇报的条理性和独特见解(10%) 答辩中对所提问题的回答情况(10%) 完成任务情况(10%) 独立工作能力(10%) 出勤情况(10%) 综 合 评 分 指导教师签名:________________ 日 期:________________ 注:①表中标*号项目是硬件制作或软件编程类课题必填内容; ②此表装订在课程设计说明书的最后一页。课程设计说明书装订顺序:封面、任务书、目录、正文、评分表、附件(非16K大小的图纸及程序清单)。






