图形电镀流程介绍备课讲稿.ppt

按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,圖形電鍍流程介紹,目錄,一簡介,二流程介紹,三PD与Tenting流程對比,四PD流程示意圖,五PD個性站別作業重點介紹,六PD流程优缺點,七蝕刻因子与補償值,一簡介,圖形電鍍過程簡介即在經過一次電鍍銅PCB干膜圖形板上電鍍第二次銅英文名Plating in Dryfilm簡稱PD也叫做Pattern Plating第一次電鍍為一次銅第二次電鍍為二次銅,圖形電鍍流程設定目的簡介,1通過調節一二次銅的分配達到減小蝕刻銅厚從而降低蝕刻難度,2克服Tenting流程因干膜附著力不足帶來的線路open,3克服干膜不能覆蓋保護大的貫孔之缺點,4克服間距較小易產生曝光short,5克服干膜越高解析度而厚度又越薄易破之矛盾,6減少消耗銅球降低成本,二流程介紹,NC鑽孔高壓水洗（Deburr）除膠渣（Desmear）化學銅（PTH）,一次銅PD前處理預熱壓膜對片曝光顯影二次銅（含鍍錫）除膠鹼性蝕刻剝錫,AOI,三PD与Tenting流程對比,PD流程:,NC鑽孔高壓水洗（Deburr）除膠渣（Desmear）化學銅（PTH）,一次銅PD前處理預熱壓膜對片曝光顯影二次銅（含鍍錫）除膠鹼性蝕刻剝錫,AOI,Tenting流程:,NC鑽孔高壓水洗（Deburr）除膠渣（Desmear）化學銅（PTH）,全板電鍍銅（Panel Plating）DF前處理預熱壓膜對片曝光顯影酸性蝕刻除膠,AOI,四PD流程示意圖,NC,Deburr,Desmear,PTH,一次銅,壓膜（前處理略）,曝光（對片略）,顯影,二次銅,鍍錫,除膠,鹼性蝕刻,剝錫（鉛）,五PD個性站別作業重點介紹,一次銅,要求,1在孔內化學銅的基礎上電鍍一層電鍍銅确保在PD前處理微蝕及二次銅微蝕中不致孔內銅被咬蝕成破洞導致貫孔不良,2因蝕刻銅厚越厚蝕刻越為困難所以必須控制在一定范圍以內,3因二次銅受干膜厚度及板子特性限制（鍍得太多會產生夾膜及孔徑大小异常）二次銅的量不可以無限加大一般需要一次銅在蝕刻能力范圍內盡可能多鍍一點,不同線寬蝕刻銅厚（一次銅后表銅）最大值表,最小線寬,3mil,4mil,5mil,6mil,一次銅后表銅最大值,1.1mil max,1.4mil max,1.7mil max,2.0mil max,若某机种最小線寬5mil補償值（設定表中可查）3mil則3mil比原基准補償2mil大1mil則一次銅后表銅最大值管制上浮1/0.5*0.250.5mil則該机种表銅管制2.2milmax,PD壓膜,特點,1氣源壓較大,2范圍較大4.56.0kg/cm,2,氣源壓較大原因,Tenting做法壓膜壓力過大會造成孔口膜破所以其難以通過提高壓膜壓力來提高干膜附著力而壓膜壓力又是一個提高干膜附著力的十分顯著的因素,PD做法壓膜壓力過大孔口膜破只會對不貫孔產生影響風險性不大而且PD用的干膜厚度一般都在2mil以上即使壓膜壓力大一點也不會造成孔口膜破,范圍較大原因,是因實際作用到板子上的壓強會隨板幅變化,PD顯影因PD顯影后板子還要進行電鍍若顯影不盡或清洗不干淨會導致電鍍受阻或電鍍凸起引起電鍍粗糙所以控制要比Tenting來得嚴格,顯影點抓取要以全程法(即最大速度法）抓取方法如下,全程法選擇某一速度顯影1pnl某一厚度干膜控制板面干膜覆蓋率約3060根据板面殘留干膜圖形調整顯影均勻性（通過調整噴壓）直至均勻性 OK然后依次降低0.3m/min速度再顯影1pnl确認均勻性並作調整直至找到某一速度恰好使板面殘留干膜覆蓋率05左右然后以該速度乘以55即為該厚度干膜生產選用速度,水洗量水質及新液自動添加量要保証,水洗量不足會導致顯影sludge殘留,水質太臟會污染板面,足夠的新液自動添加量可以減少顯影sludge后帶減小水洗壓力,-導致主要不良,1二次銅粗糙（顯影水洗不淨）2干膜漂移3顯影未淨。,二次銅,特點,1因板子兩面圖形不同在同一電流密度下兩面電流不等所以不能用同一整流器同時給板子兩面提供電流必須板子兩面各用一個整流器控制,2前處理有微蝕槽以提高板面新鮮度增強一二次銅間結合力,3線上有鍍錫槽以提供鹼性蝕刻時的錫抗蝕層,導致主要不良,1夾膜2PD貫孔不良,鹼性蝕刻,特點,1溶液為弱鹼性,2不能用一般干膜作為抗蝕層抗蝕層一般為電鍍錫或錫鉛,3對電鍍金化學鎳金及電阻材料攻擊性較小可以利用這一特性制作一些特殊板子電鍍金化學鎳金在鹼性蝕刻時被當作抗蝕層利用,導致主要不良,1阻抗不符2蝕刻過度3蝕刻不全,槽液特性,因銅离子与OH,-,根會產生沉淀所以必須控制好溶液中NH,3,OH,-,的濃度平衡否則會導致沉淀死槽,如何保証槽液穩定性,依比重自動添加新液子液（不含銅离子）生產槽內藥水母液會隨蝕刻的進行銅离子會增加比重會增加當高于設定值時就會啟動自動添加系統,浮球比重自動添加系統一般工作原理圖,電磁閥,液位,浮球,鹼性蝕刻反應机理,2Cu+2Cu(NH,3,),4,Cl,2,4Cu(NH,3,),2,Cl,4Cu(NH,3,),2,Cl+4NH,3,+4NH,4,Cl+O,2,4Cu(NH,3,),4,Cl,2,+2H,2,O,蝕刻藥水以Cu(NH,3,),4,Cl,2,為咬蝕劑,O2為再生劑,六PD流程优缺點,优點,1貫孔大小作業不受限制（干膜Tenting大孔易膜破）如板邊電鍍Slot孔,2可以作業沒有ring的貫孔在DF作業則干膜沒有Tenting位置,3因一次銅電鍍較少銅厚均勻性對其影響較小,4對偏破不會造成貫孔不良,5對減少細密集線路open有一定幫助,缺點,1風險性較大當蝕刻初片發現問題時較難挽救,2二次銅易夾膜導致除膠困難,3對板子的形態選擇性較強一般殘銅率較小的板子不适合走PD流程,4鍍錫易出現异常產生PD貫孔不良,5蝕刻速度較快不貫孔內物質易蝕刻不盡給后制程造成影響,七蝕刻因子与補償值,蝕刻因子,原始蝕刻因子,側蝕寬度a,正蝕深度h,Dryfilm,Cu,基板,蝕刻因子h/a,實際蝕刻因子,h,a,實影,虛影,蝕刻因子h/a,補償值就是因為蝕刻時有側蝕會導致線寬在蝕刻過程中縮小并且真正蝕刻過程中要得到好的蝕刻因子必須要過蝕刻所以必須將線寬根据,蝕刻銅厚,加大以便線寬在蝕刻縮小過程中能夠達到客戶要求的范圍,謝謝,