1、一、 选择题
1. 与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ).
A. 比绝缘体的大 B。 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同
2. 受主杂质电离后向半导体提供（ B ）,施主杂质电离后向半导体提供( C ），本征激发向半导体提供（ A ）。
A。 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子
3. 对于一定的N型半导体材料，在温度一定时,减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。
A。 上移 B. 下移 C. 不变
4. 在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和( B ）
2、有关
A. 杂质浓度和温度 B. 温度和禁带宽度
C. 杂质浓度和禁带宽度 D。 杂质类型和温度
5. MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( B ）。
A。 相同 B。 不同 C. 无关
6. 空穴是（ B )。
A.带正电的质量为正的粒子 B。带正电的质量为正的准粒子
C。带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子
7. 砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。
A。 直接 B. 间接
8. 将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（ A
3、 )杂质作用,若Si取代As则起（ B ）杂质作用。
A。 施主 B。 受主 C。 陷阱 D。 复合中心
9. 在热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为（ D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。
A。 大于1/2 B。 小于1/2 C. 等于1/2 D。 等于1 E. 等于0
10. 如图所示的P型半导体MIS结构
的C—V特性图中，AB段代表
( A )，CD段代表(B )。
A. 多子积累 B。 多子耗尽
C。 少子反型 D
4、 平带状态
11. P型半导体发生强反型的条件（ B ）。
A. B。
C。 D.
12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。
A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
C。 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
13. 一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载流子,若光照忽然停止后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（ A ).
A. 1/e B. 1/2 C。 0 D. 2/e
14. 载流子的漂移运动是
5、由（ A ）引起的,反映扩散运动强弱的物理量是（ B ）。
A。 电场 B。 浓度差 C。 热运动 D. E。 F。
15. 对掺杂的硅等原子半导体,主要散射机构是:( B ).
A. 声学波散射和光学波散射 B. 声学波散射和电离杂质散射
C。 光学波散射和电离杂质散射 D. 光学波散射
二、 证明题
对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFn>Ei。
三、 计算画图题
1. 三块半导体Si室温下电子浓度分布为，,（NC=3*1019cm—3，NV=1*1019cm-3,ni=
6、1010cm—3，ln3000＝8,
ln1000＝6.9）则
（1）、计算三块半导体的空穴浓度
（2）、画出三块半导体的能带图
（3）、计算出三块半导体的费米能级相对与的位置
（要求n型半导体求EC－EF，p型半导体求EF－Ev）（15分）
2. 室温下,本征锗的电阻率为47,试求本征载流子浓度.
若锗原子的浓度为，掺入施主杂质,使每个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度(设杂质全部电离)。试求该掺杂锗材料的电阻率。设, 且认为不随掺杂而变化。
若流过样品的电流密度为，求所加的电场强度.
3. 画出金属和N型半导体接触能带图（，且忽略间隙），并分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。
4. 如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图，画出对应的电荷分布图.（6分）
5. 光均匀照射在电阻率为6的n型Si样品上，电子－空穴对的产生率为4×1021cm—3s-1，样品寿命为8µs。试计算光照前后样品的电导率。（，）
浙ICP备2021020529号-1 | 浙B2-20240490 
