存储器外部电路.pptx

2024/4/7 周日存储器外围电路存储器外围电路2024/4/7 周日TEE8502的总体结构2024/4/7 周日2024/4/7 周日2024/4/7 周日2024/4/7 周日2024/4/7 周日2024/4/7 周日2024/4/7 周日外围电路n内层外围电路：功能电路，它是直接控制存储矩阵工作的功能块。n外层外围电路：工作模式控制电路，它把把外部信号转换成若干内部控制信号，对内层外围电路进行控制。2024/4/7 周日1.内层外围电路n地址缓冲器n地址译码器n位写入电路n灵敏读放电路n存储管控制栅电平VCG产生电路n存储管源电平VS产生电路2024/4/7 周日（1）地址缓冲器2024/4/7 周日n地址缓冲器的功能n把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具有驱动大量地址译码器的能力。n执行工作模式控制2024/4/7 周日（2）地址译码器n行译码器n列译码器2024/4/7 周日（3）位写入电路n引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是双向信息通路。读出工作时，位读出电路工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。2024/4/7 周日（4）灵敏读放电路n灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅，另一方面要具有较大的放大系数，在较小负载电容的输出点上得到合适的电平和足够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。n灵敏放大器是影响读出速度的关键。2024/4/7 周日（5）存储管控制栅电平VCG产生电路n根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V，读操作时VCG应接近3V左右。2024/4/7 周日（6）存储管源电平VS产生电路n在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非写情况下接地，因此VS产生电路是由WRT信号控制的推挽电路。2024/4/7 周日2.外层外围电路n控制信号缓冲器n电平鉴别电路n片擦信号发生器n字节擦写信号发生器n写禁止/写信号发生器n擦除信号发生器n字节操作信号发生器n读信号发生器n擦写信号发生器