25低介装置陶瓷解析.pptx

单击此处编辑母,版,标题样式,第二层,第三层,第四层,第五层,#,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,2-1,低介装置瓷的基本知识,2-2,典型低介装置瓷,2-3,低温共烧陶瓷,2,低介装置陶瓷,第,6,章,Internet,应用基础,2-1,低介装置瓷的基本知识,2-1-1,低介装置瓷的概念,用于电子技术、微电子技术和光电子技术中起,绝缘、支撑、保护,作用的陶瓷装置零件、陶瓷基片以及多层陶瓷封装等的瓷料。,例如：高频绝缘子骨架、电子管底座、电阻器基片、厚薄膜混合集成电路基片、微波集成电路基片等。,第,6,章,Internet,应用基础,陶瓷基片,陶瓷封装,电子用陶瓷零件,2-1,低介装置瓷的基本知识,第,6,章,Internet,应用基础,2-1-2,低介装置瓷的性能,1.,电性能,：,a,、介电系数低，,10,b,、介电损耗小，,tg,为,210,-4,910,-3,c,、抗电强度高，,10kv/mm,d,、绝缘电阻高，,10,12,(20),2.,机械性能,：,a,、抗弯强度（,45,300,）,MPa,b,、抗拉强度（,400,2000,）,MPa,3.,热性能,：,a,、线热膨胀系数小,b,、热导率高,c,、耐热冲击、热稳定性好,2-1,低介装置瓷的基本知识,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,2-2-1,滑石瓷,2-2-2,氧化铝瓷,2-2-3,高热导率陶瓷基片,2-2-4,透明陶瓷,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,2-2-1,滑石瓷,1,、,滑石的结构,滑石瓷分子式：,3MgO4SiO,2,H,2,O,滑石矿为层状结构的镁硅酸盐，属单斜晶系，,SiO,4,四面体联结成连续的六方平面网，,活性氧离子朝向一边，每两个六方网状层的活性氧离子彼此相对，通过一层水镁氧层联结成复合层。,复合层,共价键,离子键,分子键,原顽辉石结构（斜方）,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,2,、滑石的相变,120200,，脱去吸附水,1000,，脱去结构水，转变为偏硅酸镁,1557,，再次失去,Si,，生成镁橄榄石,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,呈单链状辉石结构，它有三种晶型：,顽辉石,原顽辉石,斜顽辉石,偏硅酸镁,原顽辉石是,滑石瓷的主晶相，有少量斜顽辉石,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,3,、滑石瓷存在的问题及解决方案,(1),老化,(2),开裂,(3),烧结温区过窄,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(1),老化（粉化）,:,老化原因：,防老化措施：,a.,用粘度大的玻璃相包裹晶粒，防止相变,b.,抑制晶粒生长,c.,去除游离石英,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(2),开裂,开裂原因：,防开裂措施：,a.13001350,高温预烧,b.,热压铸成型,成型过程中的定向排列,外因,各向异性,层状结构,内因,),(,),(,晶粒结构定向排列,密度各向异性,收缩各向异性,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(3),烧结温区过窄,MgO-Al,2,O,3,-SiO,2,系统的最低共熔点为,1335,，其组成为,MgO(20%),、,Al,2,O,3,(18.3%),、,SiO,2,(61.4%),，与滑石瓷的组成非常接近，故滑石瓷在,1350,左右开始出现液相，并随温度的升高，液相数量急剧增加，使胚体软化、变形、甚至报废。,由于粉料经高温预烧后活性下降，烧结温度过低会出现生烧。因此滑石瓷的烧结温区一般为,1020,。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,扩大烧结温区的措施：,扩展下限：,a),、提高粉料的活性：粉料细化，降低预烧温度或采用一次配料成瓷；,b),、加入助熔剂,BaCO,3,：在,800950,出现,Ba-Al-Si,玻璃，包裹偏硅酸镁晶粒促进烧结；,扩展上限：,a),、提高玻璃相黏度：,b),、加入阻制剂,ZrO,2,、,ZnO,，使,Mg-Al-Si,液相黏度大，胚体不易变形。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,4,、滑石瓷的用途,滑石瓷便宜，但热稳定性差，主要用于制造,绝缘子,线圈骨架,波段开关,管座,电阻基体,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,5,、其他滑石类瓷简介,(1),镁橄榄石瓷（,MgO,SiO,2,）,(2),堇青石瓷（,2MgO,2Al,2,O,3,5SiO,2,）,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(1),镁橄榄石,a,、镁橄榄石瓷在高温、高频下介电性能优于滑石瓷；,b,、高温下，绝缘电阻高；,c,、热膨胀系数与,Ti-Ag-Cu,或,Ti-Ni,合金相匹配，有利于真空封接；,d,、可作金属膜电阻，碳膜电阻和绕线电阻的基体以及,IC,基片；,e,、线膨胀系数大，抗热冲击性能差；,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(2),堇青石瓷,a,、线膨胀系数小，室温到,800,：,0.91.410,-6,/,，陶瓷材料中最小。,b,、烧成温度范围很窄（几度）。,c,、材料中离子排列不够紧密，晶格内存在大的空隙，很难烧结。,d,、机电性能差。,改进措施,:,i.,超细粉料,1,m,；,ii.,加入矿化剂（长石、,LiF,、,B,2,O,3,、,BaCO,3,等）；,iii.,制成多孔陶瓷；,iiii.,制成低热膨胀、高机械强度的陶瓷材料（掺加刚玉）。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,2-2-2,氧化铝瓷,1,、氧化铝瓷的分类、性能与用途,2,、氧化铝瓷原料的制备,3,、降低烧结温度、改进工艺性能的措施,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,1,、氧化铝瓷的分类、性能与用途,以,Al,2,O,3,为主要原料，,-Al,2,O,3,为主晶相的陶瓷称为氧化铝瓷。,根据氧化铝瓷的含量，将氧化铝瓷分为莫来石瓷、刚玉,-,莫来石瓷、刚玉瓷，含,Al,2,O,3,75%,以上的称为高铝瓷。,根据氧化铝瓷的颜色和透光性能，可分为白色,Al,2,O,3,瓷、黑色,Al,2,O,3,瓷、透明,Al,2,O,3,瓷。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,瓷料类别,Al,2,O,3,含量,相组成,结晶相,玻璃相,莫来石瓷,4570,8590%,莫来石,1015%,刚玉莫来石瓷,7090,8090%,莫来石和刚玉,1020%,刚玉瓷,9099.5,80100%,刚玉,1020%,或以下,氧化铝陶瓷按,Al,2,O,3,含量分类,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,氧化铝瓷的性能：,可见，随,Al,2,O,3,含量的增加，,Al,2,O,3,的机电性能和热性能愈来愈好，表现在：,，硬度，,tg,，热导率；,但是，随着,Al,2,O,3,含量的增加，氧化铝瓷的工艺性能却愈来愈差，表现在：可塑性，烧结温度，机加工难度，对原材料的要求,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,氧化铝瓷的用途：,a,、用于一般滑石瓷场所,b,、高温、高压、高频、大功率特殊情况下,c,、特殊环境，如：,集成电路外壳（黑色,Al,2,O,3,）,钠灯（透明,Al,2,O,3,）,宇宙飞船的视窗（透明,Al,2,O,3,）,导弹制导系统的保护罩,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,2,、氧化铝瓷原料的制备,(1),天然矿物,(2),化学法,(3),冷冻干燥法,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(1),天然矿物,由铝矾土矿（,Al,2,O,3,3H,2,O,）经化学方法处理得到，是炼铝工业生产的中间产物，纯度不高，,2080,m,氧化铝的三种晶型：高温,型、低温,型和中温的,型，,只有,-Al,2,O,3,具有优良的电器性能,，结构紧密、硬度大、损耗小、绝缘好，,-Al,2,O,3,的性能最差。故对,工业,Al,2,O,3,在配料前必须经高温煅烧（预烧），使,-Al,2,O,3,-Al,2,O,3,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,预烧的作用,:,促使晶型转变,减少胚体的烧结收缩率，保证产品尺寸的准确性,可使碱金属离子减少或去除，起纯化的作用，破坏,Al,2,O,3,颗粒聚集状态，以获得细颗粒的原料。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(2),化学法,铝的草酸盐热分解,醇盐水解,sol-gel,法,(,溶胶,-,凝胶法,),可获得高纯、高均匀度的超细粉料,平均粒径,1030nm,，比表面积,55010%m,2,/g,，纯度高达,99%,以上。,溶胶凝胶法的化学过程首先是将原料分散在溶剂中，然后经过水解反应生成活性单体，活性单体进行聚合，开始成为溶胶，进而生成具有一定空间结构的凝胶，经过干燥和热处理制备出纳米粒子和所需要材料。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(3),冷冻干燥法,将含,Al,3+,溶液雾化成微小液滴，快速冻结为固体，加热使液滴中的水升华气化，干燥形成无水盐，焙烧后得到球型颗粒。,特点：,疏松而脆，容易粉碎成均匀，超细原料,成分均匀,适于批量化生产，设备简单，成本低,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,3,、降低烧结温度、改进工艺性能的措施,加入变价金属氧化物,MnO,2,、,TiO,2,加入助熔剂，固液烧结,利用超细粉体，提高粉体烧结活性,采用还原气氛烧结或热压烧结,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,2-2-3,高热导率陶瓷基片,1,、基片应具有的机电性能,2,、电介质导热机制,3,、高热导率晶体的结构特征,4,、高导热陶瓷材料特征比较,5,、多芯片组装,-,多层基片,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,1,、基片应具有的机电性能,高热导率，低膨胀系数,，,高绝缘电阻和抗电强度，低介电常数和低的介质损耗。,机械性能优良，易机械加工,表面平滑度好，气孔率小，微晶化,规模生产具可行性，适应金属化、成本低,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,2,、电介质导热机制,金属导热的主要机制是通过大量质量很轻的自由电子的运动来迅速实现热量的交换，因而具有较大的热导率，,但不适合制作,IC,基片（导电性）。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,陶瓷是绝缘体，没有自由电子，其热传导机理是由晶格振动的格波来实现的，根据量子理论，晶格波或热波可以作为声子的运动来描述，即热波既具有波动性，又具有粒子性。通过声子间的相互碰撞，高密度区的声子向低密度区扩散，声子的扩散同时伴随着,热的传递。,T1,高温端,T2,低温端,声子热传导（类似于气体）,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,陶瓷的热传导公式：,K-,热导率，,C-,声子的热容，,V-,声子的速度，,l,-,声子的平均自由程，,v-,声子的振动频率。,声子的散射机制：声子的平均自由程除受到格波间的耦合作用外（声子间的散射），还受到材料中的各种缺陷、杂质以及样品边界（表面、晶界）的影响。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,3,、高导热晶体的结构特征,共价键很强的晶体；,结构单元种类较少，原子量或平均原子量均较低；,不是层状结构；,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,高热导率晶体都是由,原子量较低的元素,构成的,共价键或共价键很强,的,单质晶体,或,二元化合物,。,此类非金属晶体有：,金刚石（昂贵）、石墨（电子电导）、立方,BN,（昂贵）、,SiC,（难烧结，需热压）、,BP,（对杂质敏感）、,BeO,、,AlN,。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,4,、高导热陶瓷材料特征比较,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(1),氧化铍瓷,性能,指标,密度,/(g/cm,3,),2.9,热导率,/(W/m,),310,热膨胀系数,/(10,-6,/,),7.2,抗弯强度,/(MN/m,2,),195,介电常数,6.57.5,介电损耗,0.005,绝缘电阻率,/,m,10,12,关键：降低烧结温度,添加剂：,MgO,、,Al,2,O,3,问题：加入添加剂会使热导率降低,Be-O,共价键较强,平均原子量仅,12,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,(2),氮化铝瓷,性能,指标,热导率,/(W/m,),可达,280,热膨胀系数,/(10,-6,/,),3.5,抗弯强度,/(MPa),500,介电常数,(1MHz),8.8,介电损耗,510,-4,绝缘电阻率,/,m,510,11,Al-N,共价键强,平均原子量,20.49,热导率高,热膨胀系数与,Si,接近,3,3.8,晶体结构,晶系,主要半导体材料,金刚石型,立方,C(,金刚石,),、,Si,、,Ge,、灰,-,锡,闪锌矿型,立方,BN,，,BP,，,AlP,，,GaP,，,InP,，,BAs,，,AlAs,，,GaAs,，,InAs,，,BSb,，,AlSb,。,GaSb,，,InSb,，,ZnO,，,ZnS,，,CbS,，,HgS,，,ZnSe,，,CdSe,，,HgSe,，,ZnTe,，,CdTe,纤锌矿型,六方,BN,，,AlN,，,GaN,，,InN,，,ZnO,ZnS,，,CdS,，,HgS,。,CdSe,氯化钠型,立方,CdO,，,PbS,，,PbSe,，,PbTe,纤锌矿型多出现于两种原子间负电性差大、化学键中离子键成分高的二元化合物中,1.,氮化铝粉末制备,（,1,）直接氮化法。这也是最早用来制备氮化铝,粉末的方法。其反应式为：,2Al+N,2,2AlN,该反应属强放热反应，故必须小心控制工艺，,以免形成大的的熔融,“,铝珠,”,，此反应属气固扩散,控制，因此需高温长时间反应，产物晶粒粗大，,质量稳定性差。为加速氮化反应，有时加入,CaF,2,或,NaF,作触媒。,(2),自蔓延法，其反应式与上述一样。,此工艺特点是反应速度极快，成本低廉，,适于工业化生产，所得粉体粒径小于,10m,粒径分布不均匀。,（,3,）碳,热还原氮化法,。,其反应式：,2,Al,2,O,3,+3C+N,2,2AlN+3CO,为保证反应完全，在配料中往往加入过量碳，,因此得到的,AlN,粉需在空气中,700,进行脱碳,处理，除去残余的碳，得到,AlN,粉末粒度细，,含氧量低，纯度高。,（,4,）铝的卤化物与氮反应法。,此法也称气相法，其反应式为：,AlCl,3,+NH,3,AlN+3HCl,由于副产品为,HCl,，故产业化比较麻烦。,（,5,）有机盐裂解法。其反应式为：,-RH -RH -RH,R,3,Al+NH,3,R,3,AlNH,3,(R,2,AlNH,2,）,2,（,RAlNH,）,x,AlN,此工艺特点是可连续生产，制备粉末高纯超细，,原料成本昂贵。,（,6,）,超微,AlN,粉末制备,。,此工艺是将铝粉在电弧等离子体中蒸发并,与氨反应生成,AlN,，可制得粒度为,30nm,，比表,面为,60-100 m,2,/g,的超细粉末。此外，还可将,铝在低压,N,2,或,NH,3,中用电子来加热使之蒸发并与,含氮气体反应，可制得粒度小于,10nm,的超微,AlN,粉。,2.,氮化铝陶瓷制备技术,氮化铝属共价键化合物，一般需采用,添加烧结助剂，在高温下与,AlN,粉表面的,氧化铝反应形成液相，通过液相烧结机制,完成致密化，常用烧结技术有常压烧结和,热压烧结。,氮化铝作为电子工业应用，其热导率是考虑,的重要性能指标。大量研究表明，氧的存在是影,响,AlN,热导的主要因素，因此在考虑选择烧结,助剂时，除了能促进致密化外，还能消耗掉氮化,铝颗粒表面上的氧去形成第二相（通常为铝酸,盐）。碱土金属氧化物和稀土金属氧化物在往,是考虑的对象。,从显微结构上考虑，要提高,AlN,热导必须,尽量减少晶界相量，净化,AlN,晶粒间接触，第,二相应处于三晶粒交接处，或完全被排除。,为此通过选用适当配比的烧结助剂形成可迁,移液相，在还原性气氛中长时间烧成或进行,烧结后热处理，使液相转移至三叉晶界处以,至排出烧结体，这样使,AlN,陶瓷导热性能提高。,近年来,AlN,陶瓷另一个研究动向是降低,烧结温度，把烧结温度降至,1600,附近，使烧,结成本降低，以提高,AlN,陶瓷产品的竞争力，,研究表明,YF,3,是一种能降低烧结温度有效的烧结,助剂,在,1600-48h,条件下，能得到热导率接近,240W/m,K,的,AlN,陶瓷。,随着粉料制备和材料工艺改进，导致了,AlN,陶瓷在性能上取得很大提高，除了在电子、信,息方面应用外，已重新考虑在热,-,机械性能方面,应用，因此对,AlN,基复合材料开展了大量研究。,如,SiCW-AlN,复合材料和,TiCP-AlN,复合材料。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,5,、多芯片组件技术,-,多层基片,MCM,（,Multi Chip Module,）,将多个半导体集成电路元件以裸芯片的状态搭载在不同类型的布线板上，经整体封装而构成的多芯片组件。,MCM,的核心是多层基板技术。,应用：武器系统、航天电子、高频雷达、超级计算机（,CPU,封装）、通讯、传真、数据处理、高清晰度电视、摄像机、汽车电子等。,第,6,章,Internet,应用基础,2-2,典型低介装置瓷,要求：多层布线层,间隔介质的,小,（减少信号传输延迟时间，实现信号高速处理），,高热导率,（层数（,10,12,m,，保证信号线间的绝缘性,低介电常数，减少信号延迟,低介电损耗，减小在交变电场中的损耗,烧结温度,8501000,，可使用阻值低的导体材料（,Pd-Ag,、,Au,、,Cu,），减小布线电阻,基片的热膨胀系数接近硅的热膨胀系数，减少热应力,高的热导率，防止多层基板过热,足够高的机械强度,化学性能稳定,低介电常数陶瓷材料。为了满足高速信号,的传输，要求基片材料的介电常数小，以减少,传输延迟时间（例如，电话通讯时不希望应答,迟缓）。下图示出了不同的基片材料的介电常,数与传输延迟的关系。材料的介电系数愈小，,传输延迟愈小。实线所示是目前已生产的陶瓷，,虚线所示是正在进行研究的基片材料。,信号延迟时间,t,与有效介电常数,k,1/2,成正比,以下是一些典型材料的介电常数,(,在,1Mhz,下,),：,真空,1.0,纯,PTFE 2.1,GY PTFE 2.2-2.3,GX-PTFE 2.55,氰酸酯,/,玻璃,3.2,氰酸酯,/,石英,2.8-3.4,聚酰亚胺石英,3.5-3.8,聚酰亚胺玻璃,4.0-4.6,环氧树脂玻璃（,FR4,）,4.4-5.2,无纺芳香胺,(aramid)3.8-4.1,芳香胺,(,织布,)3.8-4.1,陶瓷填充聚四氟乙烯,6.0-10.2,Foamclad(Arlon,专利,)1.15-1.3,水,70.0,对于高速、高频应用而言，最理想的材料是由铜箔包裹的空气介质。,第,6,章,Internet,应用基础,2-3,低温共烧陶瓷基片,2-3-3 LTCC,的研究现状,目前已实现多达,50,层、,16,英寸，应用频率为,50MHz,5GHz,的,LTCC,集成电路,日本富士通已研制出,61,层，,245mm,的共烧结构,美国,IBM,公司研制出了,66,层,LTCC,基板的多芯片组件,采用低温烧成多层陶瓷基片，有利于将电阻、,电容、电感等无源元件同时制作在基板内部，使,产品更加小型、轻量化，因此，低温烧成多层陶,瓷基板被用作第五代电子元件组装用基板而受到,极大的重视。,MOTOROLA,陶瓷研究室研制成一种,低微波损耗、温度稳定性好的低温烧成（,850,）,的微晶玻璃,-,Al,2,O,3,复合陶瓷，,其,Q,值,1000,（,1-5GHz,），材料的合成工艺简图：,第,6,章,Internet,应用基础,2-3,低温共烧陶瓷,2-3-4 LTCC,材料体系,1,、,LTCC,的实现方法（降低烧结温度）,掺杂适量的烧结助剂，进行液相活性烧结,采用化学法制取表面活性高的粉体,采用颗粒粒度细、主晶相合成温度低的材料,采用微晶玻璃或非晶玻璃,第,6,章,Internet,应用基础,2-3,低温共烧陶瓷,2,、,LTCC,材料体系,单相陶瓷系,玻璃陶瓷复合,系,结晶玻璃系,四类,氧化铝中添加物,系,第,6,章,Internet,应用基础,2-3,低温共烧陶瓷,基板材料,烧成温度,/,介电常数,1MHz,介电损耗,/10,-2,电阻率,/cm,热膨胀系数,/10,-6,/,抗弯强度,10,2,MPa,热导率,/W/mk,共烧导体材料,Al,2,O,3,+,硼硅酸玻璃,900,1050,4.85.7,0.2,10,16,45,1.52.5,1.84,Cu,Al,2,O,3,+,玻璃,+,镁橄榄石,900,6.5,0.15,10,14,6.0,2.0,2.9,Cu/Ag,/Cu,硼硅酸玻璃,+,石英玻璃,+,堇青石,900,4.4,0.2,10,14,3.2,1.6,/,Cu/Ag,/Cu,SiO,2,+,硼硅酸玻璃,850,900,4.255,/,/,37.9,1.5,2.4,Au/Cu,晶化玻璃（堇青石）,950,5.6,0.13,(10GHz),510,13,2.53.0,1.7,2.5,Au/Cu,晶化玻璃（硅灰石）,850,5.76.1,0.2,10,14,8,1.6,2.0,Ag/Cu,Al,2,O,3,+,硼硅酸玻璃,+ZrSiO,4,830,5.5,/,10,13,/,2.0,1.6,PdAg,已实用化的一些基板材料的性能,第,6,章,Internet,应用基础,2-3,低温共烧陶瓷,2-3-5 LTCC,的用途,LTCC,适用于高密度电子封装用的三维立体布线多层基板。,特别适合于射频、微波、毫米波器件等。目前，随着电子设备向轻、薄、短、小方向的发展，设备工作频率的提高,(,例如从目前手机的,400,800MHz,提高到,3GHz,，甚至,30,40GHz),，以及军用设备向民用设备的转化，,LTCC,多层基板将以其极大的优势成为无线通讯、军事及民用等领域重要发展方向之一。,第,6,章,Internet,应用基础,2-3,低温共烧陶瓷,超级计算机用多层基板。用以满足元器件小型化、信号超高速化的要求。,下一代汽车用多层基板,(ECU,部件,),。利用其高密度、多层化、混合电路化等特点，以及其良好的耐热性，作为下一代汽车电子控制系统部件，受到广泛关注。,高频部件,(,电压控制振荡器,VCO,温度控制水晶振荡器,TCXO,等,),。对于进入,GHz,频带的超高频通信，,LTCC,多层基板将在手机、,GPS,定位系统等许多高频部件广泛应用。,各种制式的手机、蓝牙模块、,GPS,、,PDA,、数码相机、,WLAN,、汽车电子、光驱等。其中，手机的用量占据主要部分，约达,80%,以上。其次，是蓝牙模块和,WLAN,。由于,LTCC,产品的可靠性高，汽车电子中的应用也日益上升。,手机中使用的,LTCC,产品包括,LC,滤波器、双工器、功能模块、收发开关功能模块、平衡,-,不平衡转换器、耦合器、功分器、共模扼流圈等。,按产品技术层次，我们可粗略地分为以下四类：,1,、高精度片式元件：如高精度片式,电感器,、电阻器、片式微波,电容,器等，以及这些元件的阵列。,2,、无源集成功能器件：如片式射频无源集成组件，包括,LC,滤波器,及其阵列、定向耦合器、功分器、功率合成器、,Balun,、天线、延迟线、衰减器，共模扼流圈及其阵列，,EMI,抑制器等。,3,、无源集成,基板,/,封装,：如蓝牙模块,基板,、手机前端模块,基板,、集中参数环行器,基板,等。,4,、功能模块：如蓝牙模块、手机前端模块、天线,开关,模块、功放模块等。,