2023年天大秋模拟电子技术基础在线作业一.doc

(单项选择题) 1: 二 极 管 导 电 特 性 是（ ）。
A: 正向电阻小、反向电阻大
B: 正向电阻大、反向电阻小
C: 正反向电阻相同
正确答案:
(单项选择题) 2: 在集成运算放大器输入级，采取差动式电路结构主要目标是( )
A: 提升电压放大倍数
B: 提升输入电阻
C: 抑制零点漂移
正确答案:
(单项选择题) 3: 晶体管结构特点是（ ）。
A: 有一个PN结
B: 有二个PN结
C: 有三个PN结
正确答案:
(单项选择题) 4: 希望提升放大器输入电阻和带负载能力，需要引入负反馈方式是( )
A: 串联电压负反馈
B: 并联电压负反馈
C: 串联电流负反馈
正确答案:
(单项选择题) 5: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 6: 晶 体 管 电 流 放 大 系 数 是 指（ ）。
A: 工 作 在 饱 和 区 时 电 流 放 大 系 数
B: 工 作 在 截 止 区 时 电 流 放 大 系 数
C: 工 作 在 放 大 区 时 电 流 放 大 系 数
正确答案:
(单项选择题) 7: 硅 二 极 管 导 通 后 正 向 压 降 约 为（ ）。
A: 1.5V
B: 0.2 V
C: 0.6V
正确答案:
(单项选择题) 8: 在以下三种电力电子器件中，属于电压控制型器件是( )
A: 绝缘栅双极晶体管
B: 电力晶体管
C: 晶闸管
正确答案:
(单项选择题) 9: 某场效晶体管，在漏、源电压保持不变情况下，栅、源电压改变为2V时，对应漏极电流改变为4mA，该管跨导是（ ）。
A: 0.5mA/V
B: 1mA/V
C: 2mA/V
正确答案:
(单项选择题) 10: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 11: 在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 目 之 一 是 使 运 放 ( )
A: 工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性
B: 工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性
C: 工 作 在 非 线 性 区 ，提 高 稳 定 性
正确答案:
(单项选择题) 12: 已知某晶体管处于放大状态，测得其3个极电位分别为3V、3.7V和6V，则3V所对应电极为（ ）。
A: 集电极
B: 发射极
C: 基极
正确答案:
(单项选择题) 13:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 14: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 15: 两级共射极阻容耦合放大电路，若将第二级改成射极跟随器，则第一级电压放大倍数将( ) 。
A: 不变
B: 提升
C: 降低
正确答案:
(单项选择题) 16: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 17:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 18: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 19:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 20: 晶 体 管 穿 透 电 流 ICEO 是 表 明（ ）。
A: 该 管 温 度 稳 定 性 好 坏 参 数
B: 该 管 允 许 通 过 最 大 电 流 极 限 参 数
C: 该 管 放 大 能 力 参 数
正确答案:
(单项选择题) 21: 桥式RC正弦波振荡器振荡频率取决于（ ）。
A: 放大器开环电压放大倍数大小
B: 反馈电路中反馈系数F大小
C: 选频电路中RC大小
正确答案:
(单项选择题) 22: 晶体管处于截 止 状 态 时， 集 电 结 和 发 射 结 偏 置 情 况 为（ ）。
A: 发 射 结 反 偏，集 电 结 正 偏
B: 发 射 结、集 电 结 均 反 偏
C: 发 射 结、集 电 结 均 正 偏
D: 发 射 结 正 偏，集 电 结 反 偏
正确答案:
(单项选择题) 23:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 24:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 25:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 26: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 27: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 28: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 29: 工作在放大状态晶体管 ，其各极电流关系是（ ）。
A: IC<IB
B: IE<IC
C: IB<IC
正确答案:
(单项选择题) 30:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 31: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 32: 晶 闸 管 控 制 方式 是 （ ）。
A: 只能控制开通、不能控制关断
B: 只能控制关断、不能控制开通
C: 既能控制开通、也能控制关断
正确答案:
(单项选择题) 33:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 34:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 35: 理想运算放大器 ( )
A: 输入、输出电阻均很高
B: 输入电阻高，输出电阻低
C: 输入电阻低，输出电阻高
正确答案:
(单项选择题) 36:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 37:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 38: 已知两个高输入电阻单管放大器电压放大倍数分别为40和20，若将它们连接起来组成两级阻容耦合放大电路，其总电压放大倍数为（ ）。
A: 20
B: 60
C: 800
正确答案:
(单项选择题) 39: 射极跟随器是( )。
A: 共发射极电路
B: 共集电极电路
C: 共基极电路
正确答案:
(单项选择题) 40: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 1: 二 极 管 导 电 特 性 是（ ）。
A: 正向电阻小、反向电阻大
B: 正向电阻大、反向电阻小
C: 正反向电阻相同
正确答案:
(单项选择题) 2: 在集成运算放大器输入级，采取差动式电路结构主要目标是( )
A: 提升电压放大倍数
B: 提升输入电阻
C: 抑制零点漂移
正确答案:
(单项选择题) 3: 晶体管结构特点是（ ）。
A: 有一个PN结
B: 有二个PN结
C: 有三个PN结
正确答案:
(单项选择题) 4: 希望提升放大器输入电阻和带负载能力，需要引入负反馈方式是( )
A: 串联电压负反馈
B: 并联电压负反馈
C: 串联电流负反馈
正确答案:
(单项选择题) 5: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 6: 晶 体 管 电 流 放 大 系 数 是 指（ ）。
A: 工 作 在 饱 和 区 时 电 流 放 大 系 数
B: 工 作 在 截 止 区 时 电 流 放 大 系 数
C: 工 作 在 放 大 区 时 电 流 放 大 系 数
正确答案:
(单项选择题) 7: 硅 二 极 管 导 通 后 正 向 压 降 约 为（ ）。
A: 1.5V
B: 0.2 V
C: 0.6V
正确答案:
(单项选择题) 8: 在以下三种电力电子器件中，属于电压控制型器件是( )
A: 绝缘栅双极晶体管
B: 电力晶体管
C: 晶闸管
正确答案:
(单项选择题) 9: 某场效晶体管，在漏、源电压保持不变情况下，栅、源电压改变为2V时，对应漏极电流改变为4mA，该管跨导是（ ）。
A: 0.5mA/V
B: 1mA/V
C: 2mA/V
正确答案:
(单项选择题) 10: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 11: 在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 目 之 一 是 使 运 放 ( )
A: 工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性
B: 工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性
C: 工 作 在 非 线 性 区 ，提 高 稳 定 性
正确答案:
(单项选择题) 12: 已知某晶体管处于放大状态，测得其3个极电位分别为3V、3.7V和6V，则3V所对应电极为（ ）。
A: 集电极
B: 发射极
C: 基极
正确答案:
(单项选择题) 13:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 14: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 15: 两级共射极阻容耦合放大电路，若将第二级改成射极跟随器，则第一级电压放大倍数将( ) 。
A: 不变
B: 提升
C: 降低
正确答案:
(单项选择题) 16: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 17:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 18: 题目见图片
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案:
(单项选择题) 19:
A: A
B: B
C: C
D: D
正确答案: