高等教育模拟电子技术基础013讲义晶体管.pptx

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,#,总结,三、晶体管的共射特性曲线,特性曲线：,晶体管的各电极电压与电流之间的关系曲线。,（1）输入特性曲线：,输入特性曲线,由于发射结是正向偏置的,PN,结，所以它的曲线与,PN,结的曲线相似。,u,CE,增加时集电结反偏，发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应于相同,u,BE,，流向基极的电流比原来时减小。所以曲线往右移动。,（2）,输出特性曲线：,输出特性曲线,发射结电压小于开启电压,，且集电结反向偏置，此时,截止区,放大区,发射结电压大于开启电压，即,发射结正向偏,置，且,集电结反向偏置,，此时,饱和区,发射结正向偏置，且,集电结也正向偏置,，此时,当,CE,增加时，集电结上加的反向偏置电压也随之增加，当,CE,增加到一定电压（,V,(,BR,),CEO,）,时，集电结被击穿，,i,C,突然猛增。,击穿区,两个结都正偏，即,V,b,V,e,、V,b,V,c,(NPN),V,b,V,e,、V,b,V,b,V,e,(NPN),V,c,V,b,V,e,(PNP),发射结反偏，即,V,b,V,e,(PNP),总结,饱和区,截止区,放大区,例题,1,测得某放大电路中,BJT,的三个电极,A、B、C,的对地电压分别为,V,A,=6.7V，V,B,=6V，V,C,=9V,。,问：硅还是锗？管子是,NPN,还是,PNP？A、B、C,分别对应哪个极？,管子工作在,放大区,分析,A,对应基极、,B,对应发射极,V,C,最大,发射极和基极的电压降的绝对值或是,0.7,V,（,硅）或是,0.2,V,（,锗）,硅,管；,A,和,B,对应基极和发射极,V,A,-V,B,=0.7V,C,肯定是集电极,NPN,在放大区时,V,c,V,b,V,e,PNP,在放大区时,V,c,V,b,V,e,NPN,例题,2,测得,NPN,型、硅,BJT,的三个电极,b、e、c,的对地电压分别为,(1)V,b,=6.7V，V,e,=6V，V,C,=9V,(2)V,b,=8V，V,e,=7.3V，V,C,=7.6V,(3)V,b,=1V，V,e,=2V，V,C,=9V,问：管子工作在输出特性曲线的什么区,？,分析,(1)发射结正偏、集电结反偏；,工作在,放大区,。,(2)发射结正偏、集电结正偏；,工作在,饱和区,。,(3)发射结反偏；工作在截止区。,例题,3,测得,PNP,型、锗,BJT,的三个电极,b、e、c,的对地电压分别为,(1)V,b,=-6.2V，V,e,=-6V，V,C,=-9V,(2)V,b,=1V，V,e,=1.2V，V,C,=1.5V,(3)V,b,=8V，V,e,=7.8V，V,C,=7V,问：管子工作在输出特性曲线的什么区,？,分析,(1)发射结正偏、集电结反偏；,工作在,放大区,。,(2)发射结正偏、集电结正偏；,工作在,饱和区,。,(3)发射结反偏；工作在截止区。,共射极电流放大系数,和在晶体管的很大的一个工作范围之内近似相等。,的值一般选择在几十至一百多；太大，管子性能不稳定；太小，管子放大能力差,。,极间反向电流,集电极,基极反向饱和电流,I,CBO,集电极,发射极反向饱和电流,I,CEO,四、晶体管的主要参数,发射极开路，,c、b,间加上一定的反向电压时的反向电流。在一定温度下，这个反向电流基本上是个常数，所以成为,反向饱和电流,，这个电流很小，它随温度的变化而变化。,基极开路，,c、e,间加上一定的反向电压时的集电极电流。该电流从集电区穿过基区流至发射区，所以又称,穿透电流,。,I,CEO,=（1+）I,CBO,特征频率,f,T,由于晶体管,PN,结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数,是频率的函数。信号频率增加到一定程度时，,值下降。,极限参数,最大集电极电流,在,I,C,的一个很大的变化之内,值基本不变，但当,I,C,超过某一个值,I,CM,时,明显下降。该电流称为,最大集电极电流,。,集电结上允许损耗的功率最大值,P,CM,。,超过该值，管子发热，性能下降，甚至烧毁。温度越高，,P,CM,值越小，所以晶体管的使用受到环境温度的限制。硅管的上限温度达150、锗管的达70。为了降低温度，常采用加散热装置的方法。,最大集电极耗散功率,V,（BR）EBO,：,集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。,反向击穿电压,V,（BR）CBO,：,发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。,V,（BR）CEO,：,基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。,五、温度对晶体管的影响,I,CBO,：,随温度的升高而增加,。对硅管，该变化很小，所以对静态工作点的影响没有上两个因素重要。但对大功率硅管不能忽略。对锗管该变化也很重要。,20,40,20,40,：,随温度的升高而增加,，原因：温度升高，加快载流子的速度，基区复合减少，往集电区流的载流子增多。,V,BE,：,随温度的升高而减少,。,六、光电三极管,光电三极管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。所以光敏三极管的外形，有光窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线（有的没有）。制作材料一般为半导体硅，管型为,NPN,型，国产器件称为3,DU,系列。,作业,1-2,P67:1.15,P68:1.18,