资源描述
概述
M8918是一款带有源功率因数校正的高精度降压 型LED恒流控制芯片，适用于85Vac-265Vac全范围输入电压的非隔离降压式LED恒流电源。M8918集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界连续模式，功率MOS管处于零电流开通状态，开关损 耗得以减小，同时电感的利用率也较高。
M8918内部集成600V功率MOSFET,只需要很少的外围器件，即可实现优异的恒流特性.
M8918采用专利的浮地 构架，对电感电流进行全周期采样，可实现高精度输出恒流控制，并达到优异的线电压调整率 和负载调整率。
M8918具有多重保护功能以加强系统可靠性，包括LED开路保护、LED短路保护、芯片供电欠压保护、电流采样电阻开路保 护和逐周期限流等。所有的保护状态都具有自动重启功能。另外，M8918具有过热调节功能，在驱动电源 过热时减小输出电流，以提高系统的可靠性。
特点
Ø 有源功率因数校正，高PF值，低THD
Ø 内置600V功率MOSFET
Ø 高达95%的系统效率
Ø ±3%LED输出 电 流精度
Ø 优异的线电压调整率和负载调 整率
Ø 电感电流临界连 续模式
Ø 超低(33uA)启动电流
Ø 超低(300uA)工作电流
Ø LED短路/开路保护
Ø 电流采样电阻开路保护
Ø 逐周期电流限流
Ø 芯片供电欠压保护
Ø 自动重启功能
Ø 过热调节功能
Ø 采用SOP-8/DIP-8封装
应用
Ø GU10/E27 LED球泡灯、射灯
Ø LEDPAR30、PAR38灯
Ø LED日光灯
Ø 其它LED照明
典型应用
定购信息
定购型号
封装
温度范围
包装形式
M8918PR
DIP8
-40℃到105℃
2,000颗/盒
M8918DR
SOP8
-40℃到105℃
2,500颗/盘
管脚封装
管脚描述
图2管脚封装图
极限参数(注1)
符号
参数
参数范围
单位
VDS
内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压
-0.3~600
V
IDD_MAX
VDD引脚最大钳位电流
10
mA
COMP
环路补偿点
-0.3~6
V
INV
辅助绕组的反馈端
-0.3~6
V
SEN
电流采样端
-0.3~6
V
PDMAX
功耗(注2)
0.45
W
θJA
PN结到环境的热阻
145
℃/W
TJ
工作结温范围
-40to150
℃
TSTG
储存温度范围
-55to150
℃
ESD(注3)
2
KV
注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX,θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注3：人体模型，100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。
推荐工作范围
符号
参数
参数范围
单位
ILED1
输出LED电流@Vout=72V(输入电压176V～265V)
<300
mA
ILED2
输出LED电流@Vout=36V(输入电压176V～265V)
<420
mA
VDD
电源电压
8.5~20
V
mA
电气参数(注4,5)（无特别说明情况下，VDD=17V,TA=25℃）
符号
参数描述
条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源电压
VDD_ON
VDD启动电压
VDD上升
18
V
VDD_UVLO
VDD欠压保护阈值
VDD下降
7.8
V
VDD_CLAMP
VDD钳位电压
22
V
IDD_UVLO
VDD关断电流
VDD上升,VDD=VDD-ON-1V
33
50
uA
IDD
VDD工作电流
FOP=10KHz
300
500
uA
INV反馈
VINV_FALL
INV下降阈值电压
INV下降
0.2
V
VINV_HYS
INV迟滞电压
INV上升
0.15
V
VINV_OVP
INV过压保护阈值
1.6
V
TON_MAX
最大导通时间
20
us
TOFF_MIN
最小关断时间
3
us
TOFF_MAX
最大关断时间
100
us
电流采样
VSEN_LIMIT
SEN峰值电压限制
1.0
V
TLEB_SEN
电流采样前沿消隐时间
350
ns
TDELAY
芯片关断延迟
200
ns
环路补偿
VREF
内部基准电压
0.194
0.2
0.206
V
VCOMP_LO
COMP下钳位电压
1.5
V
VCOMP
COMP线性工作范围
1.5
3.9
V
VCOMP_HI
COMP上钳位电压
4.0
V
功率管MOSFET
RDS_ON
功率MOSFET导通电阻
VGS=10V/IDS=0.5A
1.8
Ω
符号
参数描述
条件
最小值
典型值
最大值
单位
BVDSS
功率MOSFET击穿电压
VGS=0V/IDS=250uA
600
V
IDSS
功率MOSFET漏电流
VGS=0V/VDS=600V
1
uA
过热调节部分
TREG
过热调节温度
150
℃
注4：典型参数值为25˚C下测得的参数标准。
注5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。
内部结构框图
图3M8918内部框图
应用信息
M8918是一款内部集成600V功率MOSFET的有源功率因数校正LED恒流控制芯片，用于非隔离降压型电路，系统工作在电感电流临界连续模式，可以实现很高的功率因数、很低的总谐波失真和高效率。
2恒流控制，输出电流设置
M8918采用专利的浮地构架，对电感电流进行全周期采样，工作于电感电流临界连续模式，可以实现高精度输出恒流控制。
LED输出电流计算方法：
1启动
在系统上电后，母线电压通过启动电阻给VDD引脚的电容充电，当VDD电压上升到启动阈值电压后，
其中，
IOUT
» VREF
RSEN
芯片内部控制电路开始工作，COMP电压被快速上拉到1.5V。然后M8918开始输出脉冲信号，系统刚开始工作在10kHz开关频率，COMP电压从1.5V开始逐渐上升，电感峰值电流随之上升，从而实现输出LED电流的软启动，有效防止输出电流过冲。当输出电压建立之后，VDD电压由输出电压通过二极管供电，从而降低系统功耗。
VREF是内部基准电压
RSEN是电流采样电阻的值3反馈网络
M8918通过INV来检测输出电流过零的状态，INV的下降阈值电压设置在0.2V，迟滞电压为0.15V。INV引脚也可以用来探测输出过压保护（OVP），阈
值为1.6V。INV的上下分压电阻比例可以设置为：地线
其中，
RINVLRINVL+ RINVH
= 1.6VVOVP
电流采样电阻的功率地线尽可能粗，且要离芯片的地(Pin2)尽量近，以保证电流采样的准确性，否则可能会影响输出电流的调整率。另外，信号地需要单独连接到芯片的地引脚。
RINVL是反馈网络的下分压电阻RINVH是反馈网络的上分压电阻VOVP是输出电压过压保护设定点
建议将VOVP设定在比最高带载电压高30%倍左右。推荐INV下分压电阻设置在2KΩ--5KΩ左右,并联一个22pF左右的电容以防止开关噪声误触发OVP。
4过温调节功能
M8918具有过热调节功能，在驱动电源过热时逐渐减小输出电流，从而控制输出功率和温升，使电源温度保持在设定值，以提高系统的可靠性。芯片内部设定过热调节温度点为150℃。
5保护功能
M8918内置多重保护功能，保证了系统可靠性。当LED开路时，输出电压逐渐上升，INV引脚可以
在功率管关断时检测到输出电压。当INV升高到OVP保护阈值时，会触发保护逻辑并停止开关工作。
当LED短路时，系统工作在10kHz低频。由于输出电压很低，无法通过二极管给VDD供电，所以VDD电压逐渐下降直到欠压保护阈值。
系统进入保护状态后，VDD电压开始下降，当VDD到
达欠压保护阈值时，系统将重启。同时系统不断的检测系统状态，如果故障解除，系统会重新开始正常工作。
当输出短路或者变压器饱和时，SEN峰值电压将会比较高。当SEN电压上升到内部限制值（1V）时，该开关周期马上停止。此逐周期限流功能可以保护功率MOS管、功率电感和输出续流二极管。
6PCB设计
在设计M8918PCB板时，需要注意以下事项：
旁路电容
VDD的旁路电容需要紧靠芯片VDD和GND引脚。
功率环路的面积.
减小大电流环路的面积，如功率电感、功率管、
母线电容的环路面积，以及功率电感、续流二极
管、输出电容的环路面积，以减小EMI辐射。
INV引脚
接到INV的分压电阻必须靠近INV引脚，且节点要远离功率电感的动点（DRAIN引脚走线），否则系统噪声容易误触发INVOVP保护功能。
Drain引脚
适当增加Drain引脚的铺铜面积以提高芯片散热。
封装信息丝印描述
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封装信息丝印描述
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