2024年专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案.doc

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》

一、 （共75题,共150分）
1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番 （2分）
A.12 B.18 C.20 D.24
.标准答案：B

2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。 （2分）
A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通
.标准答案：C

3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。 （2分）
A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区
.标准答案：D

4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。 （2分）
A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽
.标准答案：A

5. （）表征了MOS器件的灵敏度。 （2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：C

6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具备不相同的（）。 （2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：B

7. 基本差分对电路中对共模增益影响最明显的原因是（）。 （2分）
A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值
B.负载不匹配
C.输入MOS不匹配
D.电路制造中的误差
.标准答案：C

8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。 （2分）
A.二极管负载差分放大器
B.电流源负载差分放大器
C.有源电流镜差分放大器
D.Cascode负载Casocde差分放大器
.标准答案：C

9. 镜像电流源一般要求相同的（）。 （2分）
A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L
.标准答案：D

10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽视M3的体效应。要使和严格相等，应取为（）。 （2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：A

11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。 （2分）
A.共源级放大器 B.源级跟随器
C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器
.标准答案：A

12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入电阻为（）。 （2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：A

13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。 （2分）
A.DC B.AC C.OP D.IC
.标准答案：C

14. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。 （2分）
A.电路设计 B.版图设计
C.规格定义 D.电路结构选择
.标准答案：C

15. （）可提升图中放大器的增益。 （2分）
A.减小，减小
B.增大，增大
C.增大，减小
D.减小，增大
.标准答案：A

16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析措施的是（）。 （2分）
A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻
.标准答案：C

17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析措施的是（）。 （2分）
A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置
.标准答案：A

18. 在NMOS中，若会使阈值电压（） （2分）
A.增大 B.不变 C.减小 D.可大可小
.标准答案：A

19. NMOS管中，假如VB变得更负，则耗尽层（）。 （2分）
A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变
.标准答案：C

20. 伴随微电子工艺水平提升,特性尺寸不停减小,这时电路的工作电压会（） （2分）
A.不停提升 B.不变 C.可大可小 D.不停减少
.标准答案：D

21. MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。 （2分）
A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻
.标准答案：C

22. 工作在饱和区的MOS管，能够被看作是一个（）。 （2分）
A.恒压源 B.电压控制电流源
C.恒流源 D.电流控制电压源
.标准答案：B

23. 密勒效应最明显的放大器是（）。 （2分）
A.共源极放大器 B.源极跟随器
C.共栅极放大器 D.共基极放大器
.标准答案：A

24. 不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。 （2分）
A.电阻负载 B.二极管连接负载
C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载
.标准答案：C

25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。 （2分）
A.电路设计 B.版图设计
C.规格定义 D.电路结构选择
.标准答案：B

26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具备最大的优势。 （2分）
A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS
.标准答案：B

27. MOS器件小信号模型中的是由MOS管的（）效应引起。 （2分）
A.二级 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通
.标准答案：B

28. PMOS管的导电沟道中依托（）导电。 （2分）
A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷
.标准答案：B

29. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。 A B C D （2分）
A.见图 B.见图 C.见图 D.见图
.标准答案：D

30. 假如MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。 （2分）
A.大 B.小 C.近似于W D.精准
.标准答案：A

31. MOS电容中对电容值贡献最大的是（）。 （2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：A

32. 下面几个电路中增益线性度最佳的是（）。 （2分）
A.电阻负载共源级放大器 B.电流源负载共源级放大器
C.二极管负载共源级放大器 D.源极负反馈共源级放大器
.标准答案：C

33. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提升放大器小信号增益的是（）。 （2分）
A.增大器件宽长比 B.增大负载电阻
C.减少输入信号直流电平 D.增大器件的沟道长度L
.标准答案：D

34. 电阻负载共源级放大器中，让输入信号从VDD下降，NMOS管首先进入（）区。 （2分）
A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区
.标准答案：B

35. 下图的共源共栅放大器中，选择适宜的偏置电压VB，让输入电压Vin从0逐渐增加，则先从饱和区进入线性区的MOS管是（）。 （2分）
A.M1 B.M2
C.两个同时进入 D.都有也许
.标准答案：D

36. 下面放大器的小信号增益为（）。 （2分）
A.
B.
C.1
D.理论上无穷大
.标准答案：A

37. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。 （2分）
A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通路
C.减小放大器的共模增益 D.提升放大器的增益
.标准答案：D

38. 下图电流镜的输出电压最小值为（）。 （2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：C

39. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）。 （2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：B

40. （）可提升图中放大器的增益。 （2分）
A.减小
B.仅增大
C.增大
D.仅减小
.标准答案：C

41. MOS管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。 （2分）
A.能 B.不能
C.不懂得能不能 D.在特殊的极限情况下能
.标准答案：A

42. CMOS工艺里不轻易加工的器件为（）。 （2分）
A.电阻 B.电容 C.电感 D.MOS管
.标准答案：C

43. MOS管的特性尺寸一般是指（）。 （2分）
A.W B.L C.W/L D.tox
.标准答案：B

44. MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。 （2分）
A.反型 B.夹断 C.耗尽 D.导通
.标准答案：C

45. 源极跟随器一般不能用作（）。 （2分）
A.缓冲器 B.放大器 C.电平移动 D.驱动器
.标准答案：B

46. 能较大范围提升阈值电压的措施是（）。 （2分）
A.增大MOS管尺寸 B.提升过驱动电压
C.制造时向沟道区域注入杂质 D.增大衬底偏置效应
.标准答案：C

47. PMOS管导电，依托的是沟道中的（）。 （2分）
A.电子 B.空穴 C.电荷 D.电子空穴对
.标准答案：B

48. 为了让MOS管对外体现出受控电流源的特性，我们一般让其工作在（）区。 （2分）
A.截止 B.三极管 C.线性 D.饱和
.标准答案：D

49. MOS管中最大的电容是（）。 （2分）
A.氧化层电容 B.耗尽层电容 C.交叠电容 D.结电容
.标准答案：A

50. MOS器件小信号模型中的是由MOS管的（）效应引起。 （2分）
A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通
.标准答案：C

51. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最轻易实现尺寸的按百分比缩小。 （2分）
A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS
.标准答案：B

52. （）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番 （2分）
A.比尔盖茨 B.摩尔 C.乔布斯 D.贝尔
.标准答案：B

53. 最常见的集成电路一般采取（）工艺制造。 （2分）
A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS
.标准答案：B

54. 工作在（）区的MOS管，能够被看作为电流源。 （2分）
A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和
.标准答案：D

55. 工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。 （2分）
A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和
.标准答案：D

56. 载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。 （2分）
A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层
.标准答案：B

57. 形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。 （2分）
A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层
.标准答案：B

58. NMOS管中，假如VBS变得更小，则耗尽层（）。 （2分）
A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变
.标准答案：C

59. NMOS管的导电沟道中依托（）导电。 （2分）
A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷
.标准答案：A

60. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。 A B C D （2分）
A.见图 B.见图 C.见图 D.见图
.标准答案：C

61. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流的能力。 （2分）
A.跨导 B.受控电流源 C.跨阻 D.小信号增益
.标准答案：A

62. 为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值（） （2分）
A.较大 B.较小 C.不变 D.不定
.标准答案：B

63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。 （2分）
A.低 B.一般 C.高 D.很高
.标准答案：D

64. NMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）。 （2分）
A.VBS B.VGS C.VDS D.W/L
.标准答案：A

65. Cascode放大器中两个尺寸相同的NMOS具备相同的（）效应。 （2分）
A.沟长调制 B.体 C.背栅 D.衬底偏置
.标准答案：A

66. 小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。 （2分）
A.共源级放大器 B.源级跟随器
C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器
.标准答案：B

67. 差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的变化的原因是（）。 （2分）
A.尾电流源输出阻抗为有限值 B.输入MOS管不完全对称
C.负载不完全对称 D.输入对管工作在饱和区
.标准答案：D

68. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。 （2分）
A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通路
C.减小放大器的共模增益 D.提升放大器的增益
.标准答案：D

69. 下面电路的差模小信号增益为（）。 （2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：D

70. 某一恒流源电流镜如图所示。忽视M3的体效应。若让M2管工作在饱和区边缘，应取为（）。 （2分）
A.
B.
C.
D.

.标准答案：B

71. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）。 （2分）
A.
B.
C.
D.
.标准答案：B

72. Hspice仿真中，耗时最长的一般是（）。 （2分）
A.直流工作点分析 B.瞬态分析
C.交流分析 D.直流分析
.标准答案：B

73. 模拟电路中，精度最高的电阻是（）。 （2分）
A.金属电阻 B.百分比电阻 C.多晶硅电阻 D.阱电阻
.标准答案：B

74. 密勒效应是（）。 （2分）
A.有害的
B.有利的
C.能够被我们利用来处理电路设计中的问题
D.实际不起作用
.标准答案：C

75. 为达成很好的稳定状态和响应速度，反馈系统的相位裕度一般取（）度。 （2分）
A.30 B.60 C.90 D.180
.标准答案：B