150v 100A大电流mos管SVGP157R2NS规格参数_骊微电子.pdf

士兰微电子 SVGP157R2NS 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 9 页 第 1 页 100A、150V N沟道增强型场效应管 描述 SVGP157R2NS N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。 特点 100A，150V，RDS(on)（典型值）=6.2mVGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 1.栅极 2.漏极 3.源极231TO-263-2L13 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVGP157R2NSTR TO-263-2L P157R2NS 无卤 编带 士兰微电子 SVGP157R2NS 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 9 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明，TA=25C) 参数 符号 参数值 单位 漏源电压 VDS 150 V 栅源电压 VGS 20 V 漏极电流 TC=25 C ID 100 A TC=100 C 93 漏极脉冲电流（注 1） IDM 400 A 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 PD 313 W 2.1 W/C 单脉冲雪崩能量（注 2） EAS 825 mJ 工作结温范围 TJ -55+175 C 贮存温度范围 Tstg -55+175 C 热特性 参数 符号 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻，底部 RJC - 0.35 0.48 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - 62.5 C/W 士兰微电子 SVGP157R2NS 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 9 页 第 3 页 关键特性参数(除非特殊说明，Tj=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250A 150 165 - V 漏源漏电流 IDSS VDS=150V, VGS=0V,Tj=25 C - - 1.0 A VDS=150V, VGS=0V,Tj=125 C - 10 - A 栅源漏电流 IGSS VGS= 20V, VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS, ID=250A 2.0 3.0 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=100A - 6.2 7.2 m VGS=8V, ID=50A - 6.4 7.7 m 跨导 gfs VDS=2V, ID=20A 31 61 - S 栅极电阻 RG f=1MHz - 4.6 - 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V, VDS=75V 4018 5223 6790 pF 输出电容 Coss 530 689 896 反向传输电容 Crss 9.3 14 21 开启延迟时间 td(on) VDD=75V, VGS=10V, RG=1.6, ID=50A (注 3,4) 18 23 30 ns 开启上升时间 tr 37 48 62 关断延迟时间 td(off) 47 61 79 关断下降时间 tf 17 22 29 栅极电荷量 Qg VDD=75V, VGS=10V, ID=100A (注 3,4) 57 74 96 nC 栅极-源极电荷量 Qgs 26 34 44 栅极-漏极电荷量 Qgd 10 13 17 栅极-平台电压 Vplateau - 6.5 - V 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N结 - - 100 A 源极脉冲电流 ISM - - 400 源-漏二极管压降 VSD IS=100A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=100A,VGS=0V, dIF/dt=100A/s (注 3) 92 119 155 ns 反向恢复电荷 Qrr 324 421 547 nC 注：注： 1. 脉冲宽度=5S； 2. L=0.5mH，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 3. 脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%； 4. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVGP157R2NS 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 漏源导通电阻 RDS(on)(m)栅源电流 VGS(V)图 4. 导通电阻vs.栅源电压04103092015255注：ID=100A6栅源开启电压 VGS(th)(V)结温 TJ( C)图 5. 开启电压vs.温度特性0-10020055024-50100注：ID=250A01503105图 1. 输出特性漏极电流 - ID (A)0015漏-源电压 - VDS (V)50350150234100200250300VGS=5.0VVGS=5.5VVGS=6.0VVGS=6.5VVGS=7.0VVGS=8.0VVGS=4.5VVGS=10V图 2. 传输特性漏电流 - ID (A)450.1100671-55 C25 C150 C10012381000注：1.250S 脉冲测试2.VDS=5V栅-源电压 - VGS (V)注：1.250S 脉冲测试2.TC=25 C0120导通电阻 - RDS(ON) (m)漏极电流 - ID (A)图 3. 导通电阻 vs. 漏电流91505360VGS=10V注：TC=25 C74683090VGS=8V78TJ=25 CTJ=150 C100.20.8反向漏电流 - IDR(A)源-漏电压 - VSD (V)图 6. 体二极管正向压降 vs. 源电流和温度0.110001.41注：1.250S 脉冲测试2.VGS=0V100.40.61.01.2100-55 C25 C150 C 士兰微电子 SVGP157R2NS 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 9 页 第 5 页 典型特性曲线（续） 图 7. 电容特性电容 (pF)02060100漏源电压 - VDS(V)1011054080102103104注：1. VGS=0V2. f=1MHzCiss=Cgs+Cgd(Cds=短路)Coss=Cds+CgdCrss=CgdCissCossCrss栅源电压 - VGS(V)总栅极电荷 - QG (nC)0108212020注：ID=100A4046VDS=120VVDS=75VVDS=30V80图 8. 电荷量特性60漏源击穿电压 (标准化) BVDSS图9. 击穿电压 vs. 温度特性结温 - TJ( C)0.80.91.21.1-100-500501002001501.0注：1. VGS=0V2. ID=250uA0.01.02.02.5-1001002003.0500.50150注：1. VGS=10V2. ID=100A-50结温 - TJ( C)漏源导通电阻 (标准化) - RDS(ON)图 10. 导通电阻 vs. 温度特性1.510-110010-1101103漏极电流ID (A)图 11. 最大安全工作区域漏源电压 VDS (V)100基准温度：25 C101102103102此区域工作受限于RDS(ON)0.1ms1ms10msDC结温 - TC( C)耗散功率 - PD(W)图 12. 耗散功率 vs. 温度特性0501001502002503003500255075100125150175 士兰微电子 SVGP157R2NS 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 9 页 第 6 页 典型特性曲线（续） 图 13. 最大漏极电流VS.壳温漏极电流ID (A)壳温 - TC( C)跨导 Gfs(S)图15. 跨导 vs. 漏极电流漏极电流ID (A)02014010002040601008060注：TJ=25 C11011001000100010脉冲持续时间 - TAV(S)雪崩电流 - IAS(A)图 16. 雪崩特性100热阻抗（标准化）脉冲宽度(Sec)图14. 瞬态热阻抗-脉冲宽度10110010-110-210-310-510-110-610-310010-410-270%50%30%10%5%2%1%0.5%0.2%408012025 C100 C125 C020406080100120255075100125150175 士兰微电子 SVGP157R2NS 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 9 页 第 7 页 典型测试电路 与待测器件参数一致待测器件VGSIgVDSVGS10VChargeQgQgsQgd 栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDDVGSVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDDVGSLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =12LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件Vgs(th)Qg(th) 士兰微电子 SVGP157R2NS 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 9 页 第 8 页 封装外形图 TO-263-2L 单位: 毫米 A1c2HLAcEL1Db1bL2ee AA1bcDEL1LL24.304.574.720.710.810.910.300.608.509.359.8010.452.002.302.741.751.121.271.42H14.7015.75c21.171.271.37e2.54BSC00.100.25MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_ FOOT PRINT 9.7512.2016.903.505.08 1.60 士兰微电子 SVGP157R2NS 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 9 页 第 9 页 重要注意事项重要注意事项： 产品名称： SVGP157R2NS 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: / 版 本： 1.3 修改记录： 1. 修改工作结温为-55175 度； 2. 根据结温更新 PD 值、100 度下的 ID 值； 3. 更新相应的曲线，图 11（SOA 曲线） 、图 12（PD 曲线） 、图 13（ID 曲线） 4. 更新标准化后的封装外形图 版 本： 1.2 修改记录： 1. 增加动态参数的上下限值 2. 增加部分曲线 3. 增加 Foot print 版 本： 1.1 修改记录： 1. 修改电气图和典型电路图 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。和完整。 我司产品属于消费类和我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。或民用类电子产品。 在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。 购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。 转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 我司网站我司网站 http: /