150V耐压MOS管SVGP157R5NT增强型场效应管_骊微电子.pdf

士兰微电子 SVGP157R5NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 8 页 第 1 页 100A、150V N沟道增强型场效应管 描述 SVGP157R5NT N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。 特点 100A，150V，RDS(on)（典型值）=6.2mVGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 TO-220-3L1231.栅极 2.漏极 3.源极231 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVGP157R5NT TO-220-3L P157R5NT 无卤 料管 士兰微电子 SVGP157R5NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 8 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明，TA=25C) 参数 符号 参数值 单位 漏源电压 VDS 150 V 栅源电压 VGS 20 V 漏极电流 TC=25 C ID 100 A TC=100 C 63 漏极脉冲电流 IDM 400 A 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 PD 260 W 2.1 W/C 单脉冲雪崩能量（注 1） EAS 825 mJ 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数值 单位 芯片对管壳热阻 RJC 0.48 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TJ=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250A 150 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=150V，VGS=0V - - 1 A 栅源漏电流 IGSS VGS= 20V，VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250A 2.0 - 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=100A - 6.2 7.5 m VGS=8V，ID=50A - 6.4 7.7 m 栅极电阻 RG f=1MHz - 4.6 - 输入电容 Ciss f=1MHz，VGS=0V，VDS=75V - 5223 - pF 输出电容 Coss - 689 - 反向传输电容 Crss - 14 - 开启延迟时间 td(on) VDD=75V， VGS=10V， RG=1.6， ID=50A (注 2，3) - 23 - ns 开启上升时间 tr - 48 - 关断延迟时间 td(off) - 61 - 关断下降时间 tf - 22 - 栅极电荷量 Qg VDD=75V，VGS=10V，ID=100A (注 2，3) - 74 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 34 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 13 - 士兰微电子 SVGP157R5NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 8 页 第 3 页 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N结 - - 100 A 源极脉冲电流 ISM - - 400 源-漏二极管压降 VSD IS=100A，VGS0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=100A，VGS=0V， dIF/dt=100A/s (注 3) - 119 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 421 - nC 注：注： 1. L=0.5mH，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVGP157R5NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 8 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性图 3. 导通电阻 vs. 漏电流漏极电流 - ID (A)漏源电压 - VDS V)导通电阻 - RDS(ON) (m)漏极电流 - ID (A)反向漏电流 - IDR(A)源漏电压 - VSD (V)图 4. 体二极管正向压降 vs. 源电流和温度图 2. 传输特性漏极电流 - ID (A)栅源电压 - VGS (V)电容 (pF)漏源电压 - VDS(V)图 5. 电容特性栅源电压 - VGS(V)总栅极电荷 - QG (nC)图 6. 栅极电荷特性0015012091505360VGS=10V注：TC=25 C50350150注：1.250S 脉冲测试2.TC=25 C7400.20.80.110001.41注：1.250S 脉冲测试2.VGS=0V10020601001011052341000108212020注：ID=100A4046VDS=120VVDS=75VVDS=30V80450.1100671-55 C25 C150 C1001238100062002503000.40.660VGS=5.0VVGS=5.5VVGS=6.0VVGS=6.5VVGS=7.0VVGS=8.0VVGS=4.5VVGS=10V注：1.250S 脉冲测试2.VDS=5V83090VGS=8V1.01.2100-55 C25 C150 C4080102103104注：1. VGS=0V2. f=1MHzCiss=Cgs+Cgd(Cds=短路)Coss=Cds+CgdCrss=CgdCissCossCrss 士兰微电子 SVGP157R5NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 8 页 第 5 页 典型特性曲线（续） 图7. 击穿电压vs. 温度特性漏源击穿电压（标准化） BVDSS结温 TJ( C)漏极电流 - ID(A)漏源电压- VDS(V)图8. 导通电阻vs.温度特性漏源导通电阻(标准化) - RDS(ON)结温 TJ( C)图 9. 最大安全工作区域0.80.91.21.1-100-500501002001501.0注：1. VGS=0V2. ID=250uA0.01.02.02.5-1001002003.0500.50150注：1. VGS=10V2. ID=100A-501.510-110010-1101103100基准温度：25 C101102103102此区域工作受限于RDS(ON)0.1ms1ms10msDC 士兰微电子 SVGP157R5NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 8 页 第 6 页 典型测试电路 与待测器件参数一致待测器件VGSIgVDSVGS10VChargeQgQgsQgd 栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDDVGSVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDDVGSLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =12LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件Vgs(th)Qg(th) 士兰微电子 SVGP157R5NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 8 页 第 7 页 封装外形图 TO-220-3L 单位: 毫米 AA1bcDEL1LD1H1b1eA2QP 4.304.701.001.501.802.800.601.001.001.6015.1016.1015.708.1010.009.209.609.9010.402.54BSC2.603.206.107.004.500.300.7012.6013.0813.601.306.500.803.403.953.703.902.40MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETERAA1bcDEL1LD1H1b1eA2QP 重要注意事项重要注意事项： 1. 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。 2. 客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。括其中的电路操作注意事项。 3. 我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。 4. 在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。 5. 购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。 6. 转售、应用、出口时请遵守中国、联合国、美国、日本、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。转售、应用、出口时请遵守中国、联合国、美国、日本、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。 7. 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 8. 我司网站我司网站 http: / 士兰微电子 SVGP157R5NT 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 8 页 第 8 页 产品名称： SVGP157R5NT 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: / 版 本： 1.1 修改记录： 1. 更新电气图和典型电路图； 2. 更新重要注意事项； 3. 更新标准化后的封装外形图 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布