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电子元器件基子元器件基础知知识培培训弱电必备银泰商业工程物业部制作：张志永演讲：张志永 技技术是木桶的底，其它因素都是木桶的帮，是木桶的底，其它因素都是木桶的帮，没有桶底，桶帮再高也没用。没有桶底，桶帮再高也没用。市场经济最终有两个主宰：一是市场，二是技术；虽然技术本身不是市场，但技术可以垄断市场，没有技术，最终没有市场。本章主本章主讲电子元器件的基本知子元器件的基本知识一、常用电子元器件介绍；（一）、电阻器件 与 电容器件；（二）、电感器件 与 变压器；（三）、晶体管（半导体）二极管、三极管；二、晶振；三、其它电子器件；四、贴片元器件介绍；五、IC芯片；（集成电路）的介绍；（一）（一）.电阻阻（器）用字母（器）用字母R表示表示 图形如下形如下1电阻的分类：安结构分为：固定电阻、可变电阻、排式电阻、贴片电阻；安材料分为：碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、热敏电阻等安功率分为：1/16W、1/8W、1/4W，1/2W、1W、2W、3W等作用：分流、限流、分压、偏置、降压保护及阻抗匹配等；2电阻器的阻器的单位及位及换算算1M(兆欧）=1000k（千欧）=1000 000（欧）3.电阻器阻阻器阻值大小的表示法大小的表示法、色环表示法：四色环表示法，五色环表示法，、最接近边缘的一道 色环为第一道色环，末尾间距最大的一道色环表示误差数字表示法，（多为贴片器件或印在PCB板上）注：如、R22：表示电路中的第22个电阻器；4电阻器色环代码表色色环第一道色第一道色环：阻阻值第一位数第一位数第二道色第二道色环：阻阻值第二位数第二位数第三道色第三道色环：阻阻值第三位数第三位数第四道色第四道色环：表示阻表示阻值误差差值棕棕11101红221002橙橙331000黄黄441000 0绿551000 000.5蓝661000 0000.25紫紫771000 000 00.1灰灰881000 000 00白白991000 000 00050、20黑黑001金金0.10.05银0.010.1无色无色0.25.四色环电阻器的色环识别第一道、第二道色环的数值为真实有效值，第三道色环的数值为乘以10的倍数，第四道色环为误差色环；橙3，橙3，黑0，金5%；333310100 0=335%6.五色环电阻器的色环识别 阻阻值为：黄4，黄4，黑0，银0.01，棕1%；440 10-2 =4.4 1%7.数字表示电阻器阻值的读取2002053345R110310k20%35%4k753阻值：10k误差：20%阻值：0.3误差：5%阻值：4.7k误差：20%阻值：5.3误差：10%级5%级10%级20%2 000 0002M330 000330k5.120第一位、第二位数为有效数字末位数字表示“0“的个数符号符号误差数差数值F1%G2%J5%K10%M20%N30%8、电阻器的阻器的产品型号代品型号代码意意义R :电阻W：电位器M：敏感电阻T：碳膜H：合成碳膜S：有机实芯N：无机实芯J：金属膜Y：氧化膜C：沉积膜I：玻璃釉膜X：线绕P：硼碳膜U：硅碳膜G：光敏0：1：普通2：普通3：超高频4：高阻5：高温6：7：精密8：高压9：特殊G：高功率W：微调T：可调D：多圈可调X：小型Z：正温度系数序列号为一个数字或无数字表示如：RJ72：表示为精密金属膜电阻；如：WHT2：表示为可调合成碳膜电位器。、用指针万用表测量电阻的阻值：首先选择测量档位，将倍率档旋钮置于适当的档位；一般100以下的可选R1档，100 1K的可选R10档，1K 10K的可选R100档，10K 100K的可选R1K档，100K以上的可选R10K档；9、指、指针、数字万用表欧姆档、数字万用表欧姆档 选档档：数字万用表选档，首先将万用表的档位旋钮调到档的适当档位；一般200以下的可选200档，200 2K可选2K档，2K 20K可选20K档，20K200K可选200K档，200K 2M选择2M档，2M 20M选择20M档，20M以上的选择200M档；注：不同型号的万用表，档位标注与范围有所不通。10、使用万用表、使用万用表对电阻的阻的检测、测量档位选定后，对万用表电阻挡进行校0,方法是：将红、黑两表笔短接，观察指针是否归0位,如不归0位，调整调零旋钮至指针指向0位；、然后将万用表的两表笔（不分正负）分别和电阻的两端相接，表针应指向相应的阻值刻度上，如果表针不动和指示不稳定或与电阻上的标示值相差很大，说明该电阻已损坏。：注意：测量时，特别是在测几十k以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻需从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测量产生影响，造成测量误差。：色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测量一下其实际阻值。11、测量量电阻阻时的注意事的注意事项注注：更更换电阻阻时同等阻同等阻值情况下，大功率的可以代替小功率的。情况下，大功率的可以代替小功率的。严禁带电测量12、电位器（可位器（可调电阻器）阻器）电位器：是指其阻值在一定范围内可连续调节的电器；按形式分为线绕式电位器、合成碳膜电位器、有机实芯电位器、直滑式电位器、多圈电位器、带开关电位器。多用于手动电压调节、亮度调节、音量调节等调节电路。13 、热敏敏电阻器阻器NTC：负温度系数热敏电阻；随温度升高、阻值减小；电压缓冲，限制开机电流的作用；串联于L线上。PTC：正温度系数热敏电阻；随温度升高、阻值增大；（也叫防雷管）作用相当于保险管；并联于L、N线之间。14 .压敏敏电阻器阻器（也叫突波吸收器）在直流电路中，常选用压敏电压为直流电压额定值1.82倍的压敏电阻。在交流电路中，应选用压敏电压为额定电压2.22.5倍的压敏电阻。压敏电压标称含义：如10471表示10K470V,应用：1kA（8/20s电流波）的压敏电阻可用在可控硅整流器的保护上；3kA的用在电器设备的浪涌吸收上；5kA的用在对雷击及电子设备的过电压吸收上；10kA的用在对雷击的保护上。注：压敏电阻的失效模式主要是短路，当通过的过电流太大时，也可能造成阀片被炸裂而开路。（二（二）、）、电容（容（电容器）容器）1.电容的单位及作用；1F(法拉)=1000 000uF（微法）=1000 000 000nF（纳法）=1000 000 000 000pF（皮法）特性：通交流阻直流，作用：稳压、滤波、功率补偿，调谐、耦合、旁路、延时、能量转换，提高设备出力。2.电容器容器 用字母用字母C表示，表示，图形如下形如下3电容器的分容器的分类从结构分为：固定电容和可调电容；从构造分为：有极性电容：电解电容、等；无极性电容：云母电容、纸质电容、瓷片电容、条纶电容等注：电容的标称有容量和耐压之分。4电容分容分类介介绍根据介质的不同，分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解电容；陶瓷电容：以高介电常数，低损耗的陶瓷材料为介质，体积小，自体电感小。云母电容：以云母片作介质的电容器，性能优良，高稳定，高精密。纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，结缘介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁壳以提高防潮性，价格低，容量大。薄膜电容：用聚苯乙烯，聚四氟乙烯或条纶等有机薄膜代替纸介质，做成的各种电容器，体积小，但损耗大，不稳定。电解电容：以铝、担、锯、钛等金属氧化膜作介质的电容器，容量大，稳定性差。（使用时应注意极性）5、电容器的分容器的分类型号介型号介绍C电容器C:1类陶瓷介质Y：云母介质I:玻璃釉介质O：玻璃膜介质Z：纸介质J：金属化纸介质B：非极性有机薄膜L：极性有机薄膜介质Q：漆膜介质T：2类陶瓷介质S：3类陶瓷介质H：复合介质D：铝电解A：钽电解N：铌电解G：合金电解E：其他材料电解1：圆形（非密封/金属箔）2：管形（圆柱/金属化）3：片（密封/金属箔）4：多层（独石/金属化）5：穿心6：支柱式（交流）7：片式（标准/无极性）8：高压9：特殊第四部分为：序号；表示对主称、材料相同，仅尺寸、性能指标略有不同（不影响互换使用，给予同一序号；若不能互换使用的则在序号后面用大写字母作为区别代号）6电容器容量的容器容量的标示示一种是用数字直接标示出来；一种是用色点作代码间接表示出来（其原理和色环电阻识别一样）注：注：电容的耐容的耐压值表示此表示此电容只能在其容只能在其标称的称的电压范范围内使内使 用，如超用，如超过使用使用电压范范围否否则会会损坏炸裂或失效。坏炸裂或失效。7 .聚脂膜（涤纶）电容标称方法常用型号如2A222J、2J222J、2A102J、2A104J、2A473J等。前面是额定电压：2A表示50V；2J表示630V 后面表示容量：223表示22000PF；222表示2200PF J表示一等品；K表示二等品；注：数字标注法前两位为有效数字，第三位标示“0”的个数。8 .电容的方向性：在在PCB板上板上标注有极性的注有极性的电容要容要分清方向，无极性分清方向，无极性电容不用分。容不用分。、电容本体上有特殊颜色条（如灰色）的一侧为负极.、通过引脚判断:长正短负.注：插入电路板上时正负极方向相反，则会出现电容爆裂现象(电容鼓起或开裂)、对于电解电容的正、负极标志不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。注：注：在容在容值相同的情况下，耐相同的情况下，耐压值大的可以代替小的，大的可以代替小的，电容容体体积的大小无影响的大小无影响。9、用指、用指针式万用表式万用表对电容器的容器的检测、脱离线路检测 采用万用表挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当两表笔刚接通电容两极时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，最后表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，最好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。注：在板子上焊拆、测量电容器时（特别是大容量耐压高的）都应先放掉残余电荷，以免电击或影响测量结果。焊拆前先放电反正测量法10、电容器指容器指针万用表万用表检测说明明测 量量不同容量不同容量 47 uF量程量程选档档R 10KR 1KR 100检 测常见现象指针现象测量结果说明正 常先向右偏转，再向左回归在同一电阻档中：、指针向右偏转幅度越大，电容器容量越大；、指针回转幅度越大，说明漏电阻越小，性能越好；、电解电容器的反向漏电阻略小于正向漏电电阻；容量太小或衰减过大指针不动击穿短路指针不回转漏电现象指针回转幅度小11、电容器容量的容器容量的测量及量及选档档、电容器容量的测量，使用的是“F”档，表笔接口用“Cx”，不分正负极性；常用单位“uF”微法，“nF”纳法；换算关系为：1uF=1 000nF =1 000 000pF注：不同型号的万用表，标示、范围及用法 各有不同，但其功能原理、作用是相同的。、测量电容容量的选档为：一般2nF以下的选用2nF档；2nF 20nF的选用20nF档；20nF 200nF的选用200nF档；200nF 2uF的选用2uF档；2uF 20uF的选用20uF档；20uF 200uF的选用200uF档。（二）、（二）、电感器（感器（电感感线圈）与圈）与变压器器 电感器是依据电磁感应原理，由导线绕制而成。是一种储能元件，能将电能转换成磁能并储存起来；具有通直流阻交流、通低频阻高频的特性，作用：滤波、陷波、耦合、延迟、补偿及电子偏转聚焦电路，谐振电路的振荡元件等。1、定定义：凡能产生电感作用的器件称为电感器。在导线或线圈中流过电流时，其周围就会产生磁场，线圈中电流发生变化时线圈周围的磁场也发生变化，变化的磁场可使线圈自身产生感应电动势，这就是自感作用，2、常用常用电感符号感符号（如（如图）3、电感的分感的分类及及单位位、在电路图中用符号L表示，主要参数是电感量又叫自感系数，是表示线圈产生自感能力的物理量，其大小与线圈的直径、线圈匝数、绕制方法、有无磁芯及磁芯材质等有关；单位是亨利，用H表示，常用的有毫亨（mH）、微亨（uH）、毫微亨（nH）,换算关系为：1H=1000mH=1000 000uH=1000 000 000nH数值读取法与电阻识别方法相同；依据电磁感应原理，电感器派生出很多种器件。、电感的分类；固定电感、可变电感；绕线电感：单层、多层、蜂房电感；空心电感、磁芯电感、铁芯电感；磁环电感，色环电感；扼流圈；4、电感的感的组成及工作原理成及工作原理、电感感线圈的圈的绕制方法和常用磁芯制方法和常用磁芯线圈基本圈基本组成成：骨架、：骨架、绕组、磁芯、屏蔽。、磁芯、屏蔽。绕制方法制方法：电感器是用漆包线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的一种能够存储磁场能的电子元件。单层绕组：间绕和密和密绕。用于高频谐振电路的线圈都采用间绕法，以减小线圈的固有电容；用于中短波的谐振线圈多采用单层密绕法。单层绕电感量较小，约几uH-几十uH，常用在高频电路中。多层绕组：平平绕绕、乱、乱绕绕、蜂房式、蜂房式绕绕等等 当当电电感量大于感量大于300uH时采用多采用多层绕。平平绕层与与层之之间、匝与匝之、匝与匝之间分布分布电容大，蜂房容大，蜂房绕法可减小分布法可减小分布电容。容。5、电感器的好坏感器的好坏检测 电感的质量检测包括外观和阻值测量，首先检查电感器的外观是否完好，磁性体有无缺损，裂缝，金属部分有无腐蚀氧化，标识完整，接线有无断裂和拆伤等；再用万用表对电感作初步检测，测线圈电阻，并与原已知的正常阻值进行对比；如测得值比正常值显著增大，或指针不动，可能是电感器本体断路，若比正常值小许多，可判断电感器本体严重短路，线圈的局部短路，需用专用仪器进行检测。4、电感器和感器和变压器器电感器通常分为两大类：一类是应用自感作用的电感线圈。另一类是应用互感作用的变压器。变压器也是一种电感器。它是将两组及以上的线圈绕在同一个线圈骨架上，或绕在同一铁心上制成的。是利用两个电感线圈的互感应现象来传递交流电信号和电能的。在电路中可以起到电压变换和阻抗变换的作用，是电子产品中十分常见的无源器件。5、变压器的器的组成成 和分和分类 变压器一般由线圈、铁（磁）心和骨架等组成，变压器接电源的线圈称初级，其余均为次级。当初级加上交流电电压时，在铁心中产生交变磁场，由于铁心的耦合作用，在次级中产生感应电压。变压器可以根据其工作频率、用途及铁心形状等进行分类。变压器按其用途可分为：电源变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器、恒压变压器、耦合变压器、自耦变压器、隔离变压器等多种。6、常、常见变压器的介器的介绍、电源变压器：有交流变压器、交直变压器；交流变压器是把高压交流电变成需要的低压交流电的设备；输入为交流高压电，输出为低压交流电。交直变压器是把交流电变成所需要的直流电压的设备。输入为交流高压电，输出为低压直流电。、音频变压器：是工作于音频范围的变压器。音频功率放大器中的输入变压器和输出变压器都属于音频变压器，有线广播中的线路变压器也属于音频变压器，主要参数是阻抗比和功率。多用于广播、音频功率放大等系统。、中频变压器的特点 中频变压器的结构特点是磁芯可以调节，以便微调电感量。磁芯杆带有螺纹，可上下旋转移动。当磁芯向下移动时电感量增大，向上移动时电感量减小。中频变压器的主要参数是谐振频率（配以指定电容器）、通频带和电压传输系数。多用于无线电类，如超外差式收音机、电视机等。7、常、常见变压器的介器的介绍（三）、晶体管 （二极管）1.晶体二极管；2二极管的分二极管的分类；按功能分为：整流二极管、开关二极管、稳压二极管、发光二极管、双向二极管、光敏二极管、变容二极管等；按材质分为：硅管（Si）、锗管（Ge）；按结面积分为：点接触型、面接触型；4、二极管、二极管标注符号注符号图形形二极管在PCB板上用字母 D、LED、ZD 表示，图形如下表示：5.二极管的标称方法：用字母和数字直接表示出来，每一个型号代表不同的用途。如D3,ZD5注：安装、检测二极管时要分清极性（方向）。5、二极管特性及用途、二极管特性及用途单向导电特性 二极管的正极电位高于负极电位，二极管导通；正极电位低于负极电位，二极管截止；即二极管正偏导通，反偏截止。注：二极管正偏电阻小，具有非线性；反偏电阻大，存在电击穿现象。正负、整流二极管：利用单向导电性把交流电变成直流电的二极管；、稳压二极管：利用反向击穿特性进行稳压的二极管；、发光二极管：利用磷化镓把电能转变成光能的二极管；、光敏二极管：将光信号转变为电信号的二极管；、变容二极管：利用反向偏压改变PN结电容量的二极管。6、二极管的型号代、二极管的型号代码“2”表示二极管“A”：为N型锗材料“B”：为P型锗材料“C”：为N型硅材料“D”：为P型硅材料“P”普通管“V”微波管“W”稳压管“Z”整流管“L”整流堆“U”光敏管“K”开关管“C”变容管2CZ62整流二极管2CW60稳压二极管7、二极管极性、二极管极性识别小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极）,也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管（指示灯）的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负；或者迎光看本体内部的分布情况来区分，原则是少正多负。注：“P”、“N”为两种不同的半导体材料，这两种半导体材料在一起做成的导电极称之为PN结。PN正极阳极负极阴极PNP型区 PN结 N型区8、晶体管的点接触型与面接、晶体管的点接触型与面接触型触型引线正极引线负极锗片底座触丝引线正极引线负极塑料外壳晶片触丝锗管硅管触丝热压在半导体薄片上，PN结：半导体与触丝的接触面触丝与半导体的金属面很小，难以通过较大电流结电容小，可在较高频率下工作用于检波、变频、开关电路等及小电流的整流电路中引线正极引线负极合金电极锗片焊锡底座锗管硅管N型硅片金锑合金层引线正极引线负极铝合金小球支架扩散、多用合金及外延等掺杂质工艺PN结接触面大，可通过较大电流结电容相对较大，只能在较低频率下工作用于大电流整流电路或在脉冲数字电路中作开关管点接触型点接触型面接触型面接触型9、晶体二极管的判定方法晶体二极管的判定方法利用数字万用表的“”档进行测量，注意表笔的正负方向，测量时显示值为正向导通阻值。或利用万用表的“”档测量不鸣叫报警即为良品。用数字式万用表去用数字式万用表去测二极管二极管时，红表笔接二极管的正表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的极，黑表笔接二极管的负极，此极，此时测得的阻得的阻值才是二才是二极管的正向极管的正向导通阻通阻值，这与指与指针式万用表的表笔接法式万用表的表笔接法刚好相反。好相反。10、常用整流二极管、常用整流二极管常用的IN4000系列二极管耐压比较如下：电流（A）均为1 快速恢复整流二极管快速恢复整流二极管：不能用普通整流二极管替换使用 电流（A）均为1 其中常用的FR107的trr=0.5uS(max).型号型号IN4001IN4002IN4003IN4004IN4005IN4006IN4007耐压（V）501002004006008001000型号型号FR101FR102FR103FR104FR105FR106FR107耐压（V）50100200400600800100011、稳压二极管常用IN系列型号如下:型号型号IN4728IN4729IN4730IN4732IN4733IN4734IN4735IN4744IN4750IN4751稳压值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。HZ系列常用型号:稳压（齐纳）二极管 HZ11C3、HZ12C1、HZ6B1、HZ5C2、HZ4A3、HZ20-2等12、其它二极管介、其它二极管介绍肖特基管：（SBD）是以其发明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基势垒二极管的缩写。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作，而是利用金属（金、银、铝、铂等）与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管。是功耗低、电流大、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。阳极金属N-外延层N型基片N+阴极层阴极金属SiO2N欧姆接触电极金属触针晶片支架SiO2Al正极N型Si负极欧姆接触电极SiO2硅片13、桥堆（堆（桥式整流）式整流）桥式整流是使用最多的一种整流电路；用四支二极管围成一个圈就可连接成“桥”式结构，具有全波整流的优点，且优于全波整流。R晶体管 （三极管）1晶体三极管的实物外形及分类：从功率上分有：小功率管、中功率管、大功率管从频率上分有：低频管、高频管、超高频管、从结构上分有：NPN型和PNP型，硅三极管和锗三极管三极管的三极管的发明，明，电子子时代的革命代的革命1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。晶体管的发展带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。2、晶体三极管用字母、晶体三极管用字母Q表示，表示，图形如下形如下NPN型PNP型集电极发射极基极发射极集电极基极3、三极管的、三极管的结构构有三块半导体材料构成、NPN型结构；N P N集电极与基极之间的PN结为集电极发射极与基极之间的PN结为发射极N型材料和P型材料交界处形成一个PN结为基极、PNP型结构；P N P集电极与基极之间的PN结为集电极发射极与基极之间的PN结为发射极N型材料和P型材料交界处形成一个PN结为基极从三个区引出相从三个区引出相应应的的电电极，极，分分别为别为基极基极b发发射极射极e和集和集电电极极c。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区发射的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区发射的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。PNPNPN4、晶体三极管的、晶体三极管的结构和构和类型型 发射极基极集电极发射极基极集电极5三极管的方向性三极管的方向性在电路板上安装插件时要注意方向：E、B、C极。此三个极一般不能从外观鉴别，只能用仪表测量出来。或参见对应的晶体管式样书。利用万用表的hFE档,将NPN型PNP型 三极管插入对应的孔内,测试值约200300 时对应的即是.6、简单判断三极管良品的方法：判断三极管良品的方法：利用数字万用表的“”档进行测量，注意表笔的正负方向：看e、b两端箭头的方向，箭头的起始端接表笔正极，箭头末端接表笔负极。测量时“b”极表笔不动，另一表笔依次对应e、c极测量，显示值为导通电阻值，利用万用表的“”档测量：表笔正极对其他引脚测量均不鸣叫报警即为良品。有时三极管会处于“软导通”状态（工作时不良），静态时无法测量，只能更换确认。7.常用晶体三极管常用晶体三极管型号型号极性极性功能功能耐耐压电流流功率功率频率率配配对管管8050NPN高频放大40V1.5A1W100MHz85508550PNP高频放大40V1.5A1W100MHz80509014NPN低噪放大50V0.1A0.4W150MHz90159015PNP低噪放大50V0.1A0.4W150MHz9014A950PNP通用30V0.8A0.6WA733PNP通用50V0.1A180MHzC945NPN通用50V0.1A0.5W250MHzC2383NPN视频开关160V1A0.9WA1013A1013PNP视频放大160V1A0.9WC2383A708PNP音频开关80V0.7A0.8WB647PNP通用120V1A0.9W140MHzD667D667NPN通用120V1A0.9W140MHzB647MJE13005NPN功放开关400V4A60W2SC3279NPN30V2A0.75W、场效应晶体管：（FET）简称；是利用电场效应原理控制半导体中电流工作的半导体器件，是一种电压控制型半导体器件；与普通双极型晶体管（电流控制）相比，场效应管具有输入阻抗高、功率增益大、动态范围大、功耗小，温度稳定性好、噪音低、信号失真小、无二次击穿现象、安全工作区域宽、易于集成等特点，得到广泛应用。按其结构分为：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型（MOS）。结型场效应管因有两个PN结而得名；绝缘栅型因栅极与其它电极完全绝缘而得名；而在这两大类场效应管中，按沟道材料的不同有N沟道场效应管和P沟道场效应管GSDGSDN沟道P沟道栅极源极漏极8、场效效应晶体管晶体管9、其它常用三极管介、其它常用三极管介绍 又称复合管。它将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管。这等于效三极管的放大倍数是二者之积。在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN；达林达林顿管：管：前二种是同极性接法，后二种是异极性接法，等效三极管极性。达林顿管的典型应用：1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。2、驱动小型继电器。3、驱动LED智能显示屏。10、晶、晶闸管（可控硅）管（可控硅）全称为闸流晶体管；也是一种半导体器件，它除了单向导电的整流作用外，还可作为可控开关使用。普通晶闸管（SCR）是由两只P型半导体和两只N型半导体交替叠合成PNPN结构。有门极关断晶闸管（GTO）、光控晶闸管（LAT）等。其三个电极分别为阳极A、阴极K和门极G。特点为：在一定电压条件下，只要有一个触发的脉冲信号就可导通，触发脉冲信号消失，晶闸管仍能维持导通状态，可以用微小的功率控制大的功率，常用于驱动控制电路，以及电源中作过载保护器件等。KAGPNPNAGK符号结构AKG等效电路11、双向晶、双向晶闸管（双向可控硅）管（双向可控硅）缩写（TRIAC）；是由NPNPN五层半导体材料构成的，相当于两只普通晶闸管反相并联。它也有三个电极分别为主电极T1、主电极T2和门极G。T1T2GT1GT2GNNNNNPPGT2T1符号等效电路结构二、晶振（振二、晶振（振荡器）器）晶振：晶振是晶体振荡器的简称，能产生具有一定幅度和频率波形的振荡器，（其实是一个频率产生器，主要把传进去的电压转化为频率信号）一般概念中把晶振等同于谐振器理解；后者就是通常所指的钟振。是时钟电路中最重要的部分，主要作用是向控制主板、显卡、网卡等配件的各部分提供基准频率，就像个标尺，工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定，自然容易出现问题。晶振还有个作用是在电路产生震荡电流发出时钟信号。按功能分为；有源晶振、无源晶振；按材料分为：石英晶振、陶瓷晶振等；晶振单位：赫兹，符号：“Hz”（1Hz=1/s）注：石英（SiO2 二氧化硅的结晶体）1千赫兹（KHz）：1000Hz1兆赫兹（MHz）：1000000Hz1吉赫兹（GHz）：109 Hz1太赫兹（THz）：1012 Hz还有拍赫兹（PHz）和艾赫兹（EHz）1、无源晶振与有源晶振的区、无源晶振与有源晶振的区别 无源晶体无源晶体需要用DSP片内的振荡器，在时间（日期）上有建议的连接方法。无源晶体相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差，通常需要精确匹配外围电路（用于信号匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。有源晶振有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单不需要复杂的配置电路。灵活性较差，而且价格高。2、石英晶振工作原理、石英晶振工作原理 石英晶体的压电效应：若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。注意，这种效应是可逆的。如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。3、晶振的不同、晶振的不同应用用 现在我们知道了晶振是一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。、晶振在数字电路的基本作用是提供一个时序控制的标准时刻。数字电路的工作是根据电路设计，在某个时刻专门完成特定的任务，如果没有一个时序控制的标准时刻，整个数字电路就会成为“聋子”，不知道什么时刻该做什么事情了。、晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振，而通过电子调整频率的方法保持同步。、晶振通常与锁相环电路配合使用，以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要不同频率的时钟信号，可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。4、晶振的、晶振的测量量 、测量电阻方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏.、动态测量方法:用示波器在电路工作时测量它的实际振荡频是否符合该晶体的额定振荡频率,如果是,说明该晶振是正常的,如果该晶体的额定振荡频率偏低,偏高或根本不起振,表明该晶振已漏电或击穿损坏。三、其它三、其它电子器件子器件保保险管管液晶屏液晶屏继电器器按按钮开关开关拨码指示灯指示灯蜂蜂鸣器（喇叭）器（喇叭）排（跳）排（跳）线端口端子端口端子光耦光耦步步进电机机常用的1、继电器器继电器是一种电控制器件，具有控制控制系统和被控制系统之间的互动关系，多应用于自动化控制电路中。它实际上是用小电流去控制大电流运作的一种自动开关；故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。在电路中用字母K或KR表示；2、液晶屏幕（液晶、液晶屏幕（液晶显示屏）示屏）液晶是指在某一个温度范围内兼有液体和晶体特性的物质。液晶不是三态（液、固、气）之一，而是物质的第四态。液晶对电场、磁场、光线、温度的作用相当敏感，利用此特性将它们转换为可视信号（靠外激光的不同反射和透射形成不同的对比度来达到显示的目的）这就是液晶显示器的原理。外界光越强，显示内容也越清晰；更适合人眼视觉，不易引起眼睛疲劳。、具有使用寿命长、无辐射污染；、低电压、低功耗器件；工作电压一般为23V，所需电流也只有几微安；明显优于阴极射线管显示器。、液晶本身无色，采用滤色膜便可实现彩色化。特点：特点：3、光耦、光耦光耦：光、电转换器件；是把光信号转化成电信号的一种器件。多应用于反馈、隔离电路中。磷砷化镓发光二极管光敏元件4、拨码 拨码的应用从最初的拨码开关到现在的数值调节、转换及地址码设置，通信编码等；地址编码的方式有：二进制编码、八进制编码、十进制编码、十六进制编码等；1 2 3 4 5 6 7O N8“1”：表示“1”“2”：表示“2”“3”：表示“4”“4”：表示“8”“5”：表示“16”“6”：表示“32”“7”：表示“64”“8”：表示“128”可以设置255以内的数字四四、贴片（片（SMT）元器件）元器件 贴片元器件：顾名思义，表面安装的元器件也称无脚元器件；问世于20世纪70年代末期，习惯上把表面安装的无源元器件，如片式电阻、电容、电感、称为SMT；而将有源元器件，如小外形晶体管SOT及四方扁平组件QFP称为SMD。与传统的通孔元器件相比其有以下特点：、尺寸小、重量轻、安装密度高；、可靠性好、抗振性好；、高频特性好；减少了引线分布特性影响，降低了寄生电容和电感，增强了抗电磁干扰和射频干扰能力。、形状标准化，易于实现自动化生产、安装。缺点：体积小，不便于维修检测和更换元器件。1、贴片元器件的片元器件的规格格分分类英制英制(inch)公制公制（mm）长（L）宽（W）高（高（t)焊脚面脚面ab功率功率（W）020106030.600.300.230.100.151/20040210051.000.500.300.200.251/16060316081.600.800.400.300.301/10080520122.001.250.500.400.401/8120632163.201.600.550.500.501/4121032253.202.500.550.500.501/3181248324.503.200.550.500.501/2201050255.002.500.550.600.603/4251264326.403.200.550.600.6011英寸=2.54cm2、贴片元器件的片元器件的识别元件上标有数字标注的如“103”、“205”、“6803”等为贴片电阻；元件上无数字标注一码色的为贴片电容；Y2=2TY=T06=B6=8550，Y1=J3Y=W04=8050，五五、IC（集成（集成电路）的介路）的介绍 集成电路是在一块单晶硅片上,用光刻法制作出很多三极管,二极管,电阻和电容,并按照特定的要求把他们连接起来,构成一个完整的电路.由于集成电路具有体积小,重量轻,可靠性高和性能稳定等优点,所以特别是大规模和超大规模的集成电路的出现,是电子设备在微型化,可靠性和灵活性方面向前推进了一大步.电路中的表示符号:“U”小型集成电路，集成的电子元器件数为10100；中型集成电路，集成的电子元器件数为1001000；大规模集成电路，集成的元器件数为1000100 000；超大规模集成电路，集成的元器件数为 100 000以上。1、集成、集成电路常路常见的封装形式的封装形式BGA：球栅阵列(封装)QFP：四面有鸥翼型脚(封装)SOIC：两面有鸥翼型脚(封装)PLCC：四边有内勾型脚(封装)SOJ：两边有内勾型脚(封装)2、集成、集成电路的脚位判路的脚位判别;对于BGA封装（用坐标表示）：在打点或是有颜色标示处逆时针开始数用英文字母表示A,B,C,D,E(其中I,O基本不用)，顺时针用数字表示1，2，3，4，5，6其中字母位横坐标，数字为纵坐标 如：A1,A2对于其他的封装：在打点，有凹槽或是有颜色标示处逆时针开始数为第一脚，第二脚，第三脚3、集成、集成电路常用的路常用的检测方法方法 有在线测量法、非在线测量法和代换法。1非在线测量法是指在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比，以确定其是否正常。2在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量