电磁学六1教学内容.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,电磁学六1,磁化：,就是在外磁场作用下大量分子电流,混乱分布（无序）整齐排列（有序）,每一个分子电流提供一个分子磁矩,磁化了的介质内分子磁矩矢量和,分子磁矩的整齐排列贡献宏观上的磁化电流 （虽然不同的磁介质的磁化机制不同）,磁化强度矢量,描述磁介质的磁化状态（磁化方向和强度）,单位体积内分子磁矩的矢量和,磁化强度矢量,与,磁化电流,关系,磁化强度矢量沿任意闭合回路,L,的积分等于通过,以,L,为周界的曲面,S,的磁化电流的代数和，即,通过以,L,为界,S,面内全部分子电流的代数和,证明,:,把每个宏观体积元内的分子看成是完全一样的电流环，具有同样的面积,a,、取向和电流,I,，从而具有相同的磁矩，即用平均分子磁矩代替每一个分子的真实磁矩,设单位体积内的分子环流数为,n,，则磁化强度,设想在磁介质中划出任意一宏观面,S,来考察：令其周界线为,L,，则介质中的分子环流分为三类,不与,S,相交,A,整个为,S,所切割，即分子电 流与,S,相交两次,B,被,L,穿过的分子电流，即与,S,相交一次,C,A,与,B,对,S,面总电流无贡献，,只有,C,有贡献,在,L,上取一线元,d,l,以,d,l,为轴线，,a,为底，作一圆柱体,体积为,V,=,a,d,l,cos,，,凡是中心处在,V,内的分子环流都为,d,l,所穿过，,V,内共有分子数,对通过面,S,的分子电流的贡献,沿闭合回路,L,积分得普遍关系,介质均匀磁化：,M,为常数，内部没有磁化电流，,磁化电流只分布在介质表面,磁化强度矢量,与,表面磁化电流,关系,表面磁化,电流密度,证明,：,在介质表面取闭合回路，,穿过回路的磁化电流,传导电流,:,载流子的定向流动，是电荷迁移的结果，会,产生焦耳热,.,磁化电流,:,磁介质受到磁场作用后被磁化的后果，是大量分子电流叠加形成的在宏观范围内流动的电流，是,大量分子电流统计平均的宏观效果,.,不能传导，束缚在介质内部，也叫束缚电流。,各向同性的磁介质只有介质表面处，分子电流未被抵消，形成磁化电流,分子电流运行无阻力，即,无热效应,相同之处,：,同样可以产生磁场，遵从电流产生磁场规律,既满足毕奥,-,萨伐尔定律,2.,磁介质内的磁感应强度,例：,长为,L,，直径为,d,的均匀磁介质圆柱体在外磁场中沿轴线被均匀磁化，磁化强度矢量为,M,，求,(1),圆柱表面的磁化电流,;(2),柱轴线上中点处的附加磁感应强度矢量,解,:,先求出磁化电流,与有限长密绕螺线管类比,可以用计算载流螺线管内磁场的公式计算,对轴线中点,所以附加场,讨论,：,无限长磁介质圆柱体,薄磁介质圆片,3.,磁场强度矢量 与有磁介质时的,安培环路定理和高斯定理,有磁介质时的磁场性质,产生,使介质磁化,产生附加场,传导电流,产生,磁化电流,产生,+,总磁场遵从的规律,高斯定理,磁场强度矢量,满足的安培环路定理：,磁场强度 沿任意闭合环路的线积分总等于穿过以闭合环路为周界的任意曲面的,传导,电流强度的代数和。,真空中：,磁场强度的单位：,此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢,