传感器与检测技术-图文pp模块三.ppt

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,Company Logo,*,传感器与检测技术项目教程,学习单元一,电阻应变式传感器,学习单元二,压阻式传感器,学习单元三,压电式传感器,学习单元四,电容式传感器,学习单元五,力敏传感器应用实例,模块三 力敏传感器,模块三 力敏传感器,模块导读,随着计算机控制、通信、网络等技术的发展，信息交换沟通的领域正在迅速覆盖从工厂的现场设备层到控制、管理各个层次。集控数据处理平台业已成熟，网络数据采集传感器在国内尚处萌芽。在力敏传感器的基础上进行技术拓展，提升其信息化水平，形成具有数字化、无线化、智能化和网络化功能的新型智能化网络力敏传感器。,模块三 力敏传感器,模块导读,力敏传感器的种类很多，有直接将力变换为电量的如压电式、压阻式等，有经弹性敏感元件转换后转换成电量的如电阻式、电容式和电感式等。它主要用于两个方面：测力和称重。本模块介绍以下几种传感器：电阻应变式传感器；压阻式传感器；压电式传感器；电容式传感器。针对常见的力敏传感器进行教学，使学生能够掌握利用力敏传感器进行测量的各种方法。,模块三 力敏传感器,力是物理基本量之一，因此测量各种动态、静态的力是十分重要的。,力敏传感器是能对各种力或者能转化为力的物理量产生反应，并能将其转变为电参数的装置或元件。很显然，要成为真正实用意义上的力敏传感器，这个由力转化为电参数的过程最好是成线性关系。常见的力敏传感器如图,3-1,图,3-3,所示。,图,3,1,电阻应变式传感器,模块三 力敏传感器,图,3,2,硅压阻式传感器,图,3,3,压电式传感器,学习单元一 电阻应变式传感器,电阻应变式传感器是利用应变效应原理制成的一种测量微小机械变化量的理想传感器。它具有悠久的历史，但新型应变片仍在不断出现，目前仍广泛用于测量力、力矩、加速度、重量等物理量。电阻应变式传感器由弹性敏感元件、电阻应变计、补偿电阻和外壳组成，可根据具体测量要求设计成多种结构形式。弹性敏感元件受到所测量的力而产生变形，并使附着其上的电阻应变计一起变形。电阻应变计将变形转换为电阻值的变化，从而可以测量力、扭矩、位移、加速度和温度等多种物理量。,学习单元一 电阻应变式传感器,电阻应变效应,一、,导体或半导体材料在受到外界力,(,拉力或压力,),的作用下发生机械变形，机械变形会导致其电阻值变化，这种现象称为应变效应，如图,3-4,所示。,图,3-4,金属电阻丝的应变效应,学习单元一 电阻应变式传感器,设有一根长度为,l,，横截面积为,S,，电阻率为的金属丝，在未受力时，其原始电阻值为,（,3-1,）,设电阻丝在外力,F,的作用下被拉伸,(,或压缩,),，则其、,l,、,S,均发生变化，变化量分别为,d,、,dl,、,dS,，电阻值相应变化为,dR,，则,有,（,3-2,）,用相对变化量来表示，则,有,（,3-3,）,学习单元一 电阻应变式传感器,假设电阻丝的半径为,r,，电阻丝的横截面积为,S=,r,2,，则有,dS=2,rdr,，所以,dS/S=2dr/r,。令电阻丝轴向（纵向）应变,=dl/l,，横向应变为,dr/r,，由材料力学泊松定律可知,式中，为泊松比。,整理得,（,3-4,）,用增量表示则有,（,3-5,）,学习单元一 电阻应变式传感器,设,，其中,k,0,为电阻丝的灵敏系数，即单位应变所引起的电阻的相对变化。通常把单位应变能引起的电阻值变化称为电阻丝的灵敏系数，其物理意义是单位应变所引起的电阻相对变化量。,由,可知，电阻丝的灵敏系数受两个因素的影响：一个是应变片受力后材料几何尺寸的变化，即,1+2,，对某种材料来说，它是一个常数；另一个是,，它是由电阻丝电阻率的改变而引起的。,（,1,）对于金属材料，,是常数，并且比,1+2,小很多，往往可以忽略不计，故,。,学习单元一 电阻应变式传感器,（,2,）对于半导体材料，,的值比,1+2,大得多，电阻丝的灵敏系数主要由电阻率相对变化所决定。,（,3,）大量实验也表明，在金属电阻丝拉伸比例极限内，电阻相对变化与轴向应变成正比。通常，金属丝的灵敏系数,k,0,为,2,左右，不超过,45,，半导体应变片的灵敏系数为,100200,。,半导体应变片的灵敏系数比金属电阻丝式应变片高几十倍，但半导体材料的温度系数大，应变时非线性比较严重，使它的应用范围受到一定的限制。,(d,/,)/,学习单元一 电阻应变式传感器,电阻应变片的结构和特性,二、,应变片的分类与结构,1.,应变片可分为金属式和半导体式两大类。金属式又分为丝式、箔式和薄膜式，而半导体式也可分为薄膜式和扩散式。应变片根据基底材料不同又可分为纸基、胶基和金属片基等。各种电阻应变片的结构大致相同，如图,3-5,所示。,图,3-5,应变片的结构,学习单元一 电阻应变式传感器,其中，敏感栅是应变片中把应变量转换成电阻变化量的敏感部分，它是用金属丝或半导体材料制成的单丝或栅状体。引线是从敏感栅引出电信号的丝状或带状导线。,(1),黏结剂。黏结剂是具有一定电绝缘性能的黏结材料，用它将敏感栅固定在基底上。,(2),覆盖层。覆盖层是用来保护敏感栅而覆盖在上面的绝缘层。,(3),基底。基底用以保护敏感栅，并固定引线的几何形状和相对位置。用应变片测量应变或应力时，将应变片粘贴到被测对象的表面上。,学习单元一 电阻应变式传感器,应变片的类型和材料,2.,根据敏感栅的形状，金属电阻应变片分为丝式、箔式和薄膜式三种，其中前两种均须用黏结剂安装在被测试件上，属于粘贴式应变片。,学习单元一 电阻应变式传感器,1,）金属丝式应变片,敏感栅是应变片的核心部分，它是应变片中将应变量转换成电阻变化量的电阻体，表面上有一层起保护作用的覆盖层。对电阻丝（敏感栅）材料应有如下要求：,（,1,）灵敏系数大，且在相当大的应变范围内保持常数。,（,2,）值大，同样横截面积的电阻丝中具有较大的电阻值。,（,3,）电阻温度系数小，否则因环境温度变化也会改变其阻值。,（,4,）与铜线的焊接性能好，与其他金属的接触电势小。,（,5,）机械强度高，具有优良的机械加工性能。,常用材料为康铜、镍铬铝合金、铁铬铝合金及铂、铂钨合金等。,学习单元一 电阻应变式传感器,2,）金属箔式应变片,金属箔式应变片（见图,3-6,）是利用照相制版或光刻技术将厚度为,0.0030.01 mm,的金属箔片制成所需图形的敏感栅，也称为应变花。,图,3-6,金属箔式应变片,学习单元一 电阻应变式传感器,其优点是：可制成多种复杂形状和尺寸准确的敏感栅，栅长可做到,0.2 mm,，以适应不同的测量要求；与被测件粘贴结面积大；散热条件好，允许通过的电流大，提高了输出灵敏度；横向效应小；蠕变和机械滞后小，疲劳寿命长。其主要缺点是电阻值的分散性比金属丝的大，有的相差几十欧姆，须做阻值调整。在常温下，金属箔式应变片已逐步取代了金属丝式应变片。,学习单元一 电阻应变式传感器,3,）金属薄膜式应变片,金属薄膜式应变片是薄膜技术发展的产物。它采用真空蒸发或真空沉积等方法在薄的绝缘基片上形成厚度在,0.1,m,以下的金属电阻材料薄膜的敏感栅，最后加上保护层。,它的优点是应变灵敏系数大，允许电流密度大，工作范围广，可达,-197+317,，易实现工业化生产；缺点是难于控制电阻与温度和时间的变化关系。,学习单元一 电阻应变式传感器,电阻应变片的测量电路及温度补偿,三、,（一）,测量电路,应变片把机械应变转化为有对应关系的电阻变化后，需要将电阻的变化转换为电压或电流的变化。由于应变量非常小，通常采用测量电桥，将微小的电阻变化转化为电压或电流的变化。根据电源的不同，可将电桥分为直流电桥和交流电桥。电桥的一般形式如图,3-7,所示。,图,3-7,电桥的一般形式,学习单元一 电阻应变式传感器,A,、,B,、,C,、,D,为电桥的顶点，,E,是直流电源，它以应变片或电阻元件作为桥臂。可取,R,1,为应变片，,R,1,、,R,2,为应变片或,R,1,R,4,均为应变片等几种形式。在其余桥臂中接入电阻温度系数很小的精密无感固定电阻。顶点,A,、,C,和,B,、,D,分别称为电桥的输入端和输出端。,下面推导输入端加有一定电压时，电桥输出电压的表达式。,先讨论输出端开路的情况。电桥的输出总是接到放大器的输入端，而放大器的输入阻抗一般很大，以致可近似认为电桥的输出端是开路的。在电桥设计中，这种电桥称为电压桥。这样，问题就变为求,B,、,D,两点间的电位差。,学习单元一 电阻应变式传感器,如图,3-7,所示，设输入电压,E,恒定。因为,B,、,D,间开路，所以电流为,（,3-7,）,电阻,R,1,和,R,3,上的电压降分别为,（,3-8,）,U,AB,为,A,点与,B,点之间的电压，,U,AD,为,A,点与,D,点之间的电压，即,U,AB,=U,A,U,B,U,AD,=U,A,U,D,将两式相减，可得,D,、,B,两点间的电位差，即电桥的输出电压为,学习单元一 电阻应变式传感器,当,U=0,时，表示电桥处于平衡状态，可知,R,1,R,4,=R,2,R,3,或,R,1,/R,2,=R,3,/R,4,（,3-11,）,应变片测量电桥在工作前应使电桥平衡，即预调平衡，其相邻两桥臂电阻的比值应相等，或相对两桥臂电阻的乘积应相等，使工作时电桥输出电压只与应变计感受应变所引起的电阻变化有关。,学习单元一 电阻应变式传感器,（,1,）单臂工作。只将应变片接入电桥一臂，电桥原来处于平衡状态，,R,1,为工作应变片，,R,2,、,R,3,、,R,4,固定不变，当受力时，,R,1,变化为,R,1,+,R,1,，此时电桥不平衡，电桥产生电压输出。,（,3-12,）,学习单元一 电阻应变式传感器,设桥臂比,n=R,2,/R,1,，由于电桥初始平衡条件为,R,1,/R,2,=R,3,/R,4,，并且考虑到,R,1,R,1,，分母中的,R,1,/R,1,非常小，可以略去，式（,3-12,）可简化为,（,3-13,）,电桥的灵敏度定义为,，可得单臂应变片的电桥电压灵敏度为,（,3-14,）,由式（,3-14,）可以看出，单臂应变片的电桥电压灵敏度,k,u,与电桥电源电压成正比，电源电压越高，电桥电压灵敏度,k,u,越高。电桥电压灵敏度,k,u,是桥臂比,n,的函数，如果恰当选择桥臂比,n,，可使电桥具有较高的电压灵敏度。,学习单元一 电阻应变式传感器,下面分析当电源电压,E,值确定后，桥臂比,n,取何值时才能使电压灵敏度,k,u,最大。设,d k,u,/dn=0,，得到,(1,n)/(1+n),3,=0,，所以,n=1,时，即,R,1,=R,2,，,R,3,=R,4,时电桥的电压灵敏度,k,u,最大。,当,n=1,时，由式（,3-13,）得到,（,3-15,）,（,3-16,）,从式（,3-15,）和式（,3-16,）可以看出，当电源电压,E,和电阻相对变化量值一定时，电桥的输出电压及其灵敏度也是定值，且与各桥臂电阻阻值的大小无关。,n=1,时的电桥称为对称电桥，实际中常采用这种电桥形式。,学习单元一 电阻应变式传感器,（,2,）半桥工作（差动电桥）。单臂电桥电路的非线性误差与,R,1,/R,1,成正比。对于金属丝应变片，,R,非常小，非线性误差可以忽略；对于半导体应变片，受力产生应变时的,R,很大，非线性误差不可忽略。为了减小和克服非线性误差，常采用半桥电路（差动电桥），即在试件上安装两个工作应变片，一个受力产生拉应变，另一个受力产生压应变，则这两只应变片的电阻变化相等、大小相反。将这两只应变片接入电桥相邻桥臂，称为半桥差动电路，如图,3-8(a),所示。,学习单元一 电阻应变式传感器,可得差动电桥的输出电压为,（,3-17,）,设初始条件为,R,1,=R,2,=R,3,=R,4,=R,，,R,1,=,R,2,=,R,，带入式（,3-17,）可得,（,3-18,）,此时电路输出电压,U,与,R/R,成线性关系，无非线性误差，电压灵敏度是单臂工作时的,2,倍。此外，电路还具有温度补偿作用。,学习单元一 电阻应变式传感器,（,3,）全桥工作。若将电桥四臂均接入应变片，如图,3-8(b),所示，即两个受拉应变、两个受压应变，将两个应变符号相反的应变片接入相邻桥臂上，两个应变符号相同的应变片接入相对桥臂上，就构成全桥差动电路。与半桥差动电路同理，可得全桥差动电路的输出电压为,（,3-19,）,此时电路输出电压,U,与,R/R,成线性关系，无非线性误差，电压灵敏度是单臂工作时的,4,倍。,学习单元一 电阻应变式传感器,图,3-8,差动电桥,学习单元一 电阻应变式传感器,（二）,温度误差及温度补偿,用应变片进行实际测量时，由于环境温度变化引起的电阻变化与试件应变而产生的电阻变化基本有相同的数量级，因此会产生很大的测量误差。,学习单元一 电阻应变式传感器,温度误差,1.,（,1,）敏感栅电阻随温度变化引起的误差。设当环境温度变化,t,时，应变片敏感栅材料的电阻温度系数为,at,，则引起敏感栅电阻相对变化为,（,3-20,）,学习单元一 电阻应变式传感器,（,2,）敏感栅材料和被测量试件材料的线性膨胀系数不同引起的误差。当环境温度变化,t,时，由于敏感栅材料和被测量试件材料的线性膨胀系数不同，应变片将产生附加拉长或压缩，从而引起电阻相对变化为,（,3-21,）,式中，,k,为应变片的灵敏度系数；,g,为试件的膨胀系数；,s,为应变片敏感栅材料的膨胀系数。,所以，当环境温度变化,t,时，应变片产生总的电阻相对变化为,（,3-22,）,学习单元一 电阻应变式传感器,温度补偿,2.,为使应变片的输出与温度变化无关，需要进行温度补偿。温度补偿的常用方法有应变片自补偿法和电路补偿法。,学习单元一 电阻应变式传感器,1,）应变片自补偿法,（,1,）单丝自补偿法。为使应变片的输出与温度变化无关，须使热输出为零，,t,=0,，即满足,a,t,=,k(,g,s,),（,3-24,）,对于每种材料的被测试件，其线性膨胀系数,g,为定值。如果适当选择应变片敏感栅的温度系数和膨胀系数，以满足式（,3-24,），就可以在一定温度范围内实现自补偿，称这种敏感栅应变片为单丝自补偿应变片。,单丝自补偿应变片的优点是结构简单，应变片容易加工和制造，成本低；缺点是只能在一定温度范围内适用于特定的试件材料。,学习单元一 电阻应变式传感器,（,2,）双丝组合式自补偿法。两种不同电阻温度系数（一种为正值，一种为负值）的金属丝串接组成金属栅丝。当环境温度在一定范围内变化时，在一定材料上的试件可以实现温度补偿。通过调节两段敏感栅丝的长度来实现应变片的温度自补偿。补偿效果可以达到,0.45,m/,。,学习单元一 电阻应变式传感器,2,）电路补偿法,电路补偿法是常用的最好的补偿方法。如图,3-9,所示，使用两个特性相同的应变片，一个为工作应变片,R,1,，安装在被测试件的表面；另一个为补偿应变片,R,B,，安装在与被测试件相同的补偿件上，温度与试件相同，但不承受应变仅随温度发生变形。,R,1,与,R,B,接入电桥相邻桥臂上，当环境温度变化时，应变片和补偿应变片产生的温度误差,R,1t,与,R,Bt,相同，根据前面的电桥的理论可知，输出电压与温度变化无关。,学习单元一 电阻应变式传感器,图,3-9,电路补偿法,学习单元一 电阻应变式传感器,某些情况下，根据被测试件所受的应变情况，可以无须另外使用补偿试件，而是将补偿片贴在被测试件上。图,3-10,所示为一种测量梁弯曲应变的方法。,图,3-10,一种测量梁弯曲应变的方法,学习单元一 电阻应变式传感器,应变式传感器的应用,四、,应变式传感器广泛用于测量机械、仪器及工程结构的应力、应变，还常与弹性元件配合，用于测量力、扭矩、位移和加速度等。,学习单元一 电阻应变式传感器,柱式力传感器,1.,柱式力传感器的弹性元件分为空心（筒形）和实心（柱形）两种（截面积为,S,，材料弹性模量为,E,），当柱体轴向受拉（压）力,F,作用时，在弹性范围内，应力与应变成正比。空心圆筒多用于小集中力的测量。贴片在柱面上的展开位置及其在桥路中的连接如图,3-11,所示。,图,3-11,贴片在柱面上的展开位置及其在桥路的连接,学习单元一 电阻应变式传感器,其特点是,R,1,、,R,3,串联，,R,2,、,R,4,串联并置于相对位置的臂上，以减少弯矩的影响。横向贴片用于温度补偿。地磅秤一般采用柱式力传感器，如图,3-12,所示。,图,3-12,地磅秤,学习单元一 电阻应变式传感器,悬臂梁式力传感器,2.,悬臂梁式力传感器是一种精度高、性能优良的称重测力传感器，采用弹性梁和应变片作为转换元件。当力作用在弹性元件（梁）上时，金属与应变片一起变形，使应变片的电阻变化。如图,3-13,所示。,图,3-13,悬臂梁式力传感器,学习单元一 电阻应变式传感器,薄壁圆环式力传感器,3.,圆环式弹性元件结构也比较简单。如图,3-14,所示，薄壁的厚度为,h,。它的特点是在外力作用下，各点的应力差别较大。它采用图示贴片方式，其非线性误差可达,0.2%,。测量时，上下受力方向必须在同一条直径上，而且为点接触。,图,3-14,薄壁圆环式力传感器的结构,学习单元一 电阻应变式传感器,轮辐式力传感器,4.,轮辐式力传感器的结构如图,3-15,所示，主要由五部分组成：轮毂、轮圈、轮辐条、受拉和受压应变片。矩形轮辐条产生平行四边形变形，轮辐条对角线方向产生,45,的线应变。将应变片按,45,方向粘贴，,8,个应变片分别粘贴在,4,个轮辐条的正反两面，组成全桥。,图,3-15,轮辐式力传感器的结构,学习单元一 电阻应变式传感器,思考与练习,问题,1,电阻应变式传感器常用的转换电路有哪些？各有什么优缺点？,思考：,问题,2,电阻应变式传感器常用什么方法进行温度补偿,?,思考：,学习单元二 压阻式传感器,半导体单晶硅材料在受到外力作用，产生肉眼根本察觉不到的极微小应变时，其原子结构内部的电子能级状态发生变化，从而导致其电阻率剧烈的变化，由其材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应开发的传感器称为压阻式传感器。它有两种类型：一种是利用半导体材料的体电阻，其灵敏度要比金属应变片高,2,个数量级；另一种是在半导体单晶硅、锗的基底上利用半导体集成工艺中的扩散技术，将弹性敏感元件与转换元件合二为一，制成扩散硅压阻式传感器。,学习单元二 压阻式传感器,压阻式传感器的工作原理,一、,由前述可知，压阻效应的数学描述可用公式表示如下：,（,3-25,）,式中，是压阻系数，是表征固态材料压阻效应的特性参数。不同材料的压阻系数不同，而且各向异性的同一材料在不同方向其压阻系数也各不相同，所以有,（,3-26,）,式中，,r,、,t,分别为纵向应力和横向应力（切向应力）；,r,为纵向压阻系数，反映由纵向应力引起的纵向电阻的变化率；,t,为横向压阻系数，反映由横向应力引起的横向电阻的变化率，大小由所扩散电阻的晶向来决定。,学习单元二 压阻式传感器,硅压阻式传感器是典型的物性型传感器，它的结构特点是敏感元件由弹性体和转换元件合为一体。这种传感器的灵敏度高（比金属应变计高,5080,倍）、分辨力高，动态响应好，因无须胶接而滞迟、蠕变、老化现象小，便于生产，成本低。,学习单元二 压阻式传感器,压阻式传感器的应用,二、,压阻式传感器广泛应用于航天、航空、航海、石油化工、动力机械、生物医学工程、气象、地质、地震测量等各个领域。在航天和航空工业中，压力是一个关键参数，静态和动态压力、局部压力和整个压力场都要求有很高的测量精度。压阻式传感器是用于这方面的较理想的传感器，如用于测量直升机机翼的气流压力分布，测试发动机进气口的动态畸变、叶栅的脉动压力和机翼的抖动等。在飞机喷气发动机中心压力的测量中，使用专门设计的硅压力传感器，其工作温度达,500,以上。在波音客机的大气数据测量系统中采用了精度高达,0.05%,的配套硅压力传感器。,学习单元二 压阻式传感器,在尺寸缩小的风洞模型试验中，压阻式传感器能密集安装在风洞进口处和发动机进气管道模型中。单个传感器直径仅为,2.36 mm,，固有频率高达,300 kHz,，非线性和滞后均为全量程的,0.22%,。在生物医学方面，压阻式传感器也是理想的检测工具。已制成扩散硅膜薄到,10,m,，外径仅为,0.5 mm,的注射针型压阻式压力传感器和能测量心血管、颅内、尿道、子宫和眼球内压力的传感器。,学习单元二 压阻式传感器,图,3-16,所示为一种用于测量脑压的传感器的结构图。压阻式传感器还有效地应用于爆炸压力和冲击波的测量、真空测量、监测和控制汽车发动机的性能及诸如测量枪炮膛内压力、发射冲击波等兵器方面的测量。,图,3-16,脑压传感器结构图,学习单元二 压阻式传感器,扩散型压阻式压力传感器,1.,扩散型压阻式压力传感器属于半导体应变片传感器，它是直接在硅弹性元件上扩散出敏感栅，而不是用黏结剂将敏感栅粘贴在弹性元件上。,图,3-17,（,a,）所示为扩散型压阻式压力传感器的结构简图，其核心部分是一块圆形硅膜片，在膜片上，利用扩散工艺设置四个阻值相等的电阻，用导线将其构成平衡电桥。膜片的四周用圆环（硅环）固定，如图,3-17,（,b,）所示。膜片的两边有两个压力腔，一个是与被测系统相连接的高压腔，另一个是低压腔，一般与大气相通。,学习单元二 压阻式传感器,当膜片两边存在压力差时，膜片产生变形，膜片上各点产生应力。,4,个电阻在应力作用下阻值产生变化，电桥失去平衡，输出相应的电压。这样，测得不平衡电桥的输出电压，就测出了膜片所受压力。,图,3-17,扩散型压阻式压力传感器的结构,学习单元二 压阻式传感器,加速度测量,2.,这种传感器的弹性元件是单晶硅制成的悬臂梁（见图,3-18,），在它的自由端上下两面上，对称地连接着两个力矩器线圈，这两个线圈分别空套在上、下磁钢与轭铁形成的环形工作气隙中。在硅梁上还扩散有压阻电桥。当传感器感受到外界加速度时，与硅梁自由端连接的力矩器线圈受到惯性力的作用，使得硅梁发生应变，在硅梁根部的力敏电阻电桥输出电信号。这个信号经放大、整流后再输出时，也把相应的直流电流反馈到力矩线圈中，经与永磁体磁场的相互作用，而产生一个与惯性力大小相等、方向相反的平衡力作用于硅梁自由端，从而实现了零位检测。,学习单元二 压阻式传感器,由于闭环压阻式加速度传感器采用力平衡工作方式弹性硅梁没有过大的挠度，因而有利于提高动态频响特性和改善线性。它还具有自检功能。闭环压阻式加速度传感器的特点是精度高，动态范围大，结构复杂，质量和尺寸都相对较大，成本也较高。,图,3-18,闭环压阻式加速度传感器结构原理图,1,硅梁组件；,2,力矩器线圈；,3,壳体；,4,下磁路组件；,5,插头座；,6,压阻电桥；,7,力矩器磁钢,学习单元二 压阻式传感器,思考与练习,问题 压阻式传感器与电阻应变式传感器有什么区别？,思考：,学习单元三 压电式传感器,电阻式、电感式和电容式传感器都是无源器件，即它们需要电源才能产生与被测量有关的电信号输出，而压电式传感器是将被测量变化转换成材料受机械力产生静电电荷或电压变化的传感器。它是一种典型的有源、双向机电能量转换型传感器或自发电型传感器。压电元件是机电转换元件，它可以测量最终能变换为力的非电物理量，如力、加速度等。压电式传感器具有使用频带宽（零点几赫兹到数万赫兹）、灵敏度高、信噪比高、结构简单、工作可靠、质量小等优点。近年来，由于电子技术的飞速发展，与之配套的二次仪表及低噪声、小电容、高绝缘电阻电缆的出现，使压电式传感器的使用更为方便。因此，在工程力学、,学习单元三 压电式传感器,各种动态力、机械冲击与振动测量、生物医学、电声学、宇航等许多技术领域中，压电式传感器获得了广泛的应用。压电式加速度传感器如图,3-19,所示。,图,3-19,压电式加速度传感器,学习单元三 压电式传感器,压电效应,1.,压电效应及压电材料,一、,当晶体受到某固定方向拉力或压力的作用时会发生变形，内部就产生电极化现象，同时在某两个表面上产生符号相反的电荷；这种现象称为正压电效应。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的，如图,3-20,所示。,图,3-20,正压电效应,学习单元三 压电式传感器,相反，当对某些物质在极化方向上施加一定电场时，材料将产生机械形变，当外电场撤销时，形变也消失，这种现象称为逆压电效应，又称为电致伸缩。用逆压电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。压电效应的可逆性如图,3-21,所示，利用这一特性可实现机电能量的相互转换。,图,3-21,压电效应的可逆性,学习单元三 压电式传感器,压电材料,2.,1,）石英晶体,石英晶体是一种性能良好的压电晶体。石英是硅石的一种，现在已能人工制造，它的化学成分是,SiO,2,，其晶体单元的形状为六角锥体，如图,3-22,所示。其突出的优点是性能非常稳定，介电常数与压电系数的温度稳定性特别好，且居里点高，可以达到,575,。此外，石英晶体还具有机械强度高、绝缘性能好、动态响应快、线性范围宽、迟滞小等优点。但石英晶体压电系数较小，灵敏度较低，且价格较贵，所以只在标准传感器、高精度传感器或高温环境下工作的传感器中作为压电元件使用。,学习单元三 压电式传感器,石英晶体分为天然与人造两种。,石英晶体各方向的特性不同。为了便于研究，人们根据石英晶体的物理特性，在石英晶体内画出三种几何对称轴。连接两个锥顶点的一根轴称为光轴（,z,轴），它是晶体的对称轴，光线沿,z,轴通过晶体时，不产生双折射现象，因而以它作为基准轴，又称为中性轴；连接晶体横截面中对角线的三条轴称为电轴（,x,轴），该轴的压电效应最为显著；横截面中与电轴相互垂直的三条轴称为机械轴（,y,轴），在此轴上加电场，产生机械形变最大，故又称为力轴。,学习单元三 压电式传感器,若从晶体上沿,y,轴方向切下一块图,3-22,（,c,）所示的晶片，当在电轴,x,方向施加作用力时，在与电轴垂直的平面上将产生电荷，其大小为,q,x,=d,11,F,x,（,3-27,）,式中，,d,11,为,x,轴方向受力时的压电系数；,F,x,为作用力。,图,3-22,石英晶体结构,学习单元三 压电式传感器,若在同一切片上，沿机械轴方向施加作用力,F,y,，则仍在与,x,轴垂直的平面上产生电荷,q,y,，其大小为,（,3-28,）,式中，,d,12,为,y,轴方向受力时的压电系数，因为石英轴对称，故,d,12,=,d,11,；,a,和,b,分别为晶体切片的长度和厚度。电荷,q,x,和,q,y,的符号由所受力的性质（拉力或压力）决定。,q,x,的大小与晶片的几何尺寸无关，而,q,y,的大小与晶片的几何尺寸有关。图,3-23,所示为晶体切片在,x,轴和,y,轴方向受拉力和压力的具体情况。,学习单元三 压电式传感器,图,3-23,晶体切片在,x,轴和,y,轴方向受拉力和压力的具体情况,如果在片状压电晶体材料的两个电极面上加以交流电压，那么石英晶体片将产生机械振动，即晶体片在电极方向有伸长和缩短现象，这种电致伸缩现象即为逆压电效应。,学习单元三 压电式传感器,石英晶体的上述特性与其内部分子结构有关。在每个晶体单元中有三个硅离子和六个氧离子，在垂直于,z,轴的,xy,平面上的投影，等效为一个正六边形排列，如图,3-24,所示。图中，,“,+,”,表示,Si,4+,，,“,”,表示,O,2-,。,当不受外力时，正负六个离子（,Si,4+,和,O,2-,）分布在正六边形的六个顶点上，形成三个,120,夹角的电偶极矩,p,1,、,p,2,、,p,3,。此时正负电荷重心重合，电偶极矩的矢量和等于零，即,p,1,+p,2,+p,3,=0,（,3-29,）,晶体表面不带电荷，呈电中性，如图,3-24,（,a,）所示。,学习单元三 压电式传感器,当受到沿,x,轴方向的压力作用时，晶体受压缩而产生形变，正负离子相对位置发生改变，电偶极矩在,y,轴、,z,轴方向上的分量都为零，因此无电荷出现，如图,3-24,（,b,）所示。因此无电荷出现，如图,3-24,（,c,）所示。,图,3-24,石英晶体压电效应示意图,学习单元三 压电式传感器,2,）压电陶瓷,压电陶瓷是一类具有压电特性的电子陶瓷材料。它与典型的不包含铁电成分的压电石英晶体的主要区别是：构成其主要成分的晶相都是具有铁电性的晶粒。由于陶瓷是晶粒随机取向的多晶聚集体，因此其中各个铁电晶粒的自发极化矢量也是混乱取向的。为了使陶瓷能表现出宏观的压电特性，就必须在压电陶瓷烧成之后，将其置于强直流电场下进行极化处理，以使原来混乱取向的各自发极化矢量沿电场方向择优取向。经过极化处理后的压电陶瓷，在电场撤销之后，会保留一定的宏观剩余极化强度，从而使陶瓷具有了一定的压电性质。,学习单元三 压电式传感器,石英晶体元件,1.,常用压电元器件,二、,1,）石英晶体元件的分类,石英晶体俗称水晶，成分是,SiO,2,，是一种重要的压电材料，可用于制造压电元器件，如石英晶体谐振器、石英晶体滤波器、石英晶体振荡器、石英晶体传感器等。图,3-25,所示为晶振与石英晶片。石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动，当交变电场的频率与石英晶体的固有频率相同时，振动便变得很强烈，这就是晶体谐振特性的反映。,学习单元三 压电式传感器,图,3-25,晶振与石英晶片,学习单元三 压电式传感器,石英晶体谐振器俗称晶体或无源晶振，它由石英晶体片、外壳、引线等材料密封而成。它是一种提供稳定频率的元器件，其频率调整和封闭方式，根据不同的技术要求和不同的振动方式而有所不同。它广泛应用于测量设备、计算机、家电、通信、军事等领域。石英晶体滤波器由石英晶体谐振器、外壳、电子电路等封装而成，是一种频率选择器件，与其他类型的滤波器相比，它具有选择性好、温度稳定性高的优点。石英晶体滤波器包括体声波滤波器和声表面滤波器，它应用于无线电通信、载波机、雷达、导航设备等领域。,学习单元三 压电式传感器,石英晶体振荡器简称晶振或晶体振荡器，俗称有源晶振。石英晶体振荡器由石英晶体谐振器、外壳、电子控制电路系统组成，它是一种把直流电能转变为交流电能的装置。它采用了,Q,值极高的石英晶体谐振器，因此比,LC,振荡器更稳定。石英晶体振荡器按其用途和特点可分为普通晶体振荡器（,PXO,）、温度补偿晶体振荡器（,TCXO,）、电压控制晶体振荡器（,VCXO,）、温度控制晶体振荡器（,OCXO,）和电压温度控制晶体振荡器（,VCOCXO,）。石英晶体振荡器广泛应用于高端无线电通信设备、发射基站、数字程控交换机、接入网、,SDH,等通信设备，主要作为时基信号源。,学习单元三 压电式传感器,2,）石英晶体振荡器的发展趋势,（,1,）小型化、薄片化和片式化。为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求，石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如，,TCXO,器件的体积缩小了,30100,倍。采用,SMD,封装的,TCXO,厚度不足,2 mm,，目前，,2.5 mm,2.0 mm,尺寸的器件已经上市。,（,2,）高精度与高稳定度。目前，无补偿式晶体振荡器的总精度也能达到,25 ppm,，,VCXO,的频率稳定度在,-107,范围内一般可达,20100 ppm,，而,OCXO,在同一温度范围内频率稳定度一般为,0.000 15 ppm,，,VCXO,控制在,25 ppm,以下。,学习单元三 压电式传感器,（,3,）低噪声，高频化。在,GPS,通信系统中是不允许频率颤抖的，相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。目前，,OCXO,主流产品的相位噪声性能有很大改善。除,VCXO,外，其他类型的晶体振荡器的最高输出频率不超过,200 MHz,。例如，用于,GSM,等移动电话的,UCV4,系列压控振荡器，其频率为,650,1 700 MHz,，电源电压为,2.23.3 V,，工作电流为,810 mA,。,学习单元三 压电式传感器,（,4,）低功能，快速启动，低电压工作。低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为,3.3 V,。目前许多,TCXO,和,VCXO,产品，电流损耗不超过,2 mA,。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。例如，日本精工公司生产的,VG,2320SC,型,VCXO,，在,0.1 ppm,规定值范围条件下，频率稳定时间小于,4 ms,。日本京瓷公司生产的,SMD TCXO,，在振荡启动,4 ms,后则可达到额定值的,90%,。广州天马电讯公司的,OCXO,产品，在预热,5 min,后，则能达到,0.01 ppm,的稳定度。,学习单元三 压电式传感器,（,5,）数字化技术应用。以往都是采取通过调整变容二极管的参数来改变晶体的振荡参数，达到高稳定频率输出。随着单片机技术的应用，实际上可以通过数字化来取代变容二极管的应用技术，从而实现高稳定频率输出。现在市面上已经出现很多数字温补晶振（,DCXO,），如天马电讯的,DX2116,等产品已成功上市。由于采用了先进的数字化补偿技术，所生产出来的数字温补晶振已达到中精度,OCXO,（俗称三级钟）的技术水平。,学习单元三 压电式传感器,压电陶瓷元件,2.,压电陶瓷是一种经过极化处理的人工多晶铁电体。多晶是指它由无数细微的单晶组成，铁电体是指它具有类似铁磁材料磁畴的电畴结构。每个单晶形成单个电畴，这种自发极化的电畴在极化处理之前，各晶粒内的电畴按任意方向排列，自发极化的作用相互抵消，陶瓷的极化强度为零。因此，原始的压电陶瓷呈现而不具有压电性。为使其具有压电性，就必须在一定温度下做极化处理。,学习单元三 压电式传感器,所谓极化处理，是指在一定温度下，以强直流电场迫使电畴自发极化的方向转到与外加电场方向一致，做规则排列，此时压电陶瓷具有一定的极化强度，再使其冷却，撤去电场，电畴方向基本保持不变，余下很强的剩余极化电场，从而呈现压电性，即陶瓷片的两端出现束缚电荷，一端为正，另一端为负，如图,3-26,所示。,图,3-26,陶瓷极化过程示意图,学习单元三 压电式传感器,由于束缚电荷的作用，在陶瓷片的极化两端很快吸附一层来自外界的自由电荷，这时束缚电荷与自由电荷数值相等、极性相反，故此陶瓷片对外不呈现极性如图,3-27,所示。,图,3-27,束缚电荷与自由电荷排列示意图,学习单元三 压电式传感器,如果在压电陶瓷片上加一个与极化方向平行的外力，陶瓷片产生压缩变形，片内的束缚电荷之间距离变小，电畴发生偏转，极化强度变小，因此吸附在其表面的自由电荷，有一部分被释放而呈现放电现象。当撤销压力时，陶瓷片恢复原状，极化强度增大，因此又吸附一部分自由电荷而出现充电现象。这种因受力而产生的机械效应转变为电效应，将机械能转变为电能，就是压电陶瓷的正压电效应。放电电荷的多少与外力成正比，即,q=d,33,F,（,3-30,）,式中，,d,33,为压电陶瓷的压电系数；,F,为作用力。,学习单元三 压电式传感器,压电陶瓷在极化方向上的压电效应最明显。我们把极化方向称为,z,轴，垂直于,z,轴平面上的任何直线都可作为,x,轴（或,y,轴）。,压电陶瓷的压电系数比石英晶体的压电系数大得多，所以采用压电陶瓷制作的压电式传感器的灵敏度较高，但剩余极化强度和特性受温度影响较大。,最早使用的压电陶瓷材料是钛酸钡（,BaTiO,3,），它是由,BaCO,3,和,TiO,2,按一定比例混合后烧结而成的。它的压电系数约为石英的,50,倍，但使用温度较低，最高只有,70,，温度稳定性和机械强度都不如石英。,学习单元三 压电式传感器,目前，使用较多的压电陶瓷是锆钛酸铅,Pb,（,ZrTi,）,O,3,，,PZT,系列，它是由钛酸钡（,BaTiO,3,）和锆酸铅（,PbZrO,3,）组成的。它有较高的压电系数和较高的工作温度。,铌镁酸铅是,20,世纪,60,年代发展起来的压电陶瓷。它是由铌镁酸铅,PbMg1/3,Nb2/3O,3,、锆酸铅和钛酸铅按不同比例配成的不同性能的压电陶瓷，具有较高的压电系数和较高的工作温度，而且能承受较高的压力。,学习单元三 压电式传感器,压电式传感器的应用,三、,压电式加速度传感器,1.,压电式