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电阻导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用代碼R表示,符號為或 单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用、k、M表示。 單位換算:1K=1000 1 M=1000K电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成.T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等.电阻器的分类：1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、 湿敏电阻器。主要特性参数 ：1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。允许误差与精度等级对应关系如下：0.5%-0.05、1%-0.1(或00）、2%-0.2(或0）、5%-级、10%-级、20%-级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为5570的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）： 1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）： 1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。电阻器阻值标示方法: 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为20%。 2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符号文字符号 D F G J K M允许偏差 0.5% 1% 2% 5% 10% 20%3、数码法：在电阻器上用几位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，前几位为有效值，最後一位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。 例如:三位數码表示第一第二位为有效数，第三位为有效数后“0”的个数。阻值為:10*103=10000=10k 誤差為5%以下(包含5%)四位數码表示第一第二第三位为有效数,第四位为有效数后“0”的个数。 阻值為:100*102=10000=10k 誤差為1%以下(包含1%)因尺寸太小無法標示,需要要萬用表測量阻值R為小數點,阻值為: .020 =20m 阻值為:124*102=12400=12.4k 誤差為1%第一第二位碼對照值如下:第三碼對照值為:Y=10-2 X=10-1 A=100 B=101 C=102 D=103 E=104 F=105例如:10=124 C=102 故阻值為124*102=12.4k4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。 当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为乘方数，第四位为偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方数， 第五位为偏差。例如:黑棕黑金棕黑黑金:棕=1, 黑=0, 黑=0, 金=5% 阻值為:10*100=10 誤差為: 5%棕灰黑黑棕棕灰黑黑棕:棕=1, 灰=8, 黑=0, 黑=0,棕=1% 電阻阻值為:180*100=180 誤差為:1%误差常用电阻器：电位器电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成一定关系的输出电压。 合成碳膜电位器电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单， 是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大， 耐潮性以及阻值稳定性差。 有机实心电位器 有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。 金属玻璃铀电位器 用丝网印刷法按照一定图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的电位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。 绕线电位器 绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。 金属膜电位器 金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。导电塑料电位器 用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。 带开关的电位器 有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推式开关电位器预调式电位器 预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。 直滑式电位器 采用直滑方式改变电阻值。 双连电位器 有异轴双连电位器和同轴双连电位器 无触点电位器 无触点电位器消除了机械接触，寿命长、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。 实芯碳质电阻器 用碳质颗粒狀导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。绕线电阻器 用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。 绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。薄膜电阻器 用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要有以下几種： 碳膜电阻器 将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。 金属膜电阻器 用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。金属氧化膜电阻器 在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。合成膜电阻 将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。 由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。 金属玻璃铀电阻器 将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。贴片电阻SMT 片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。 敏感电阻 敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体， 磁场，压力等作用敏感的电阻器。 敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型，如：t. v等。压敏电阻 主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻，氧化锌具有更多的优良特性。湿敏电阻 由感湿层，电极， 绝缘体组成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻，碳湿敏电阻，氧化物湿敏电阻。氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小，缺点为测试范围小，特性重复性不好，受温度影响大。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大，由老化特性， 较少使用。 氧化物湿敏电阻性能较优越，可长期使用，温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系。有氧化锡，镍铁酸盐，等材料。 光敏电阻 光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件，当某种物质受到光照时，载流子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。气敏电阻 利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成，主要成分是金属氧化物，主要品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。 力敏电阻 力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计，半导体话筒，压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言， 合金电阻器具有更高灵敏度。电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF)、皮法拉（pF),1F=106F=1012pF电容器的型号命名方法： 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电容器的分类 按照结构分类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。按电解质分类：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。按用途分类：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。常用电容器 1、铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波 2、钽电解电容器 用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能 得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中. 3、薄膜电容器 结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、 积分、振荡、定时电路.4、瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路.5、独石电容器 (多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路6、纸质电容器 一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.0080.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量一般在低频电路内，通常不能在高于34MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路.7、微调电容器 电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝外电极来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用.8、陶瓷电容器 用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合包括高频在内。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路. 9、玻璃釉电容器 由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tg0.00050.008.电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。精度等级与允许误差对应关系： 00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、 -20%、 -（+20%-10%）、-（+50%-20%）、 -（+50%-30%） 一般电容器常用、级，电解电容器用、级，根据用途选取。2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量大于0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。 5、频率特性 随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。电容器容量标示 1、直标法 用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。2、文字符号法 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.3、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号：+100%0-H、+100%10%-R、+50%10%-T、+30%10%-Q、 +50%20%-S、+80%20%-Z。 电感电感也叫电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH),1H=103mH=106H .电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。电感线圈的主要特性参数 1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2fL3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。常用线圈 1、单层线圈 单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。2、蜂房式线圈 如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周，导线来回弯折的次数，常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制，折点越多，分布电容越小.3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈 线圈的电感量大小与有无磁芯有关。在空芯线圈中插入铁氧体磁芯，可增加电感量和提高线圈的品质因素。4、铜芯线圈 铜芯线圈在超短波范围应用较多，利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量，这种调整比较方便、耐用。5、色码电感器 色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。6、阻流圈（扼流圈） 限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。7、偏转线圈 偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、价格低。晶振晶振也叫晶体振荡器，在电路中作为振荡电路，提供所需工 作频率, 代码：“XTAL“ 或 “X” 符號晶振利用壓電效應工作,所謂壓電效應就是利用外電壓加於晶片的兩側產生電場,由於壓電材料本身機械與電性耦合作用,使晶體本身產生機械變形,由晶體的切割面受到機械應力的作用,晶體的兩相對面又會產生一電位差. 當我們加一交流電壓晶體上,就可以產生循環不已的晶片振盪.晶振的特性频率准确度：在规定条件下，晶振输出频率相对于标称频率 的允许偏离值。常用其相对值表示。 频率稳定度：2.1 时域表征 在规定条件下，晶振内部元件由于老化而引起的输出 频率随时间的漂移。通常用某一时间间隔内的老化频 差的相对值来量度（如日、月或年老化率等）。 日稳定度（或称日波动）：指晶振输出频率在24小时 内的变化情况。通常用其最大变化的相对值来表示。2.2 频域表征 单边相位噪声功率谱密度，晶振输出信号的频谱中， 用偏离载频f Hz处每Hz带宽内单边相位噪声功率与信 号功率之比的分贝（dB）量，可写作 （f）单位 为dB/Hz。 频谱纯度：是量度晶振内部噪声及杂散谱的尺度。 通常用单边噪声功率谱密度来表示。 3、输出波形：有正弦波和方波两种。4、输出幅度：在接入额定负载的规定条件下，晶振输出的 均方根值电压。5、频率温度特性：当环境温度在规定范围内按预定方式变 化时，晶振的输出频率产生的相对变化特性6、压控线性度：指压控晶振输出频率与压控电压曲线偏离线性 的程度。常用震盪器的種類:石英震盪器(xtal)石英震盪組件(OSC)陶瓷震盪器(Ceramic Resonator)Osc内部结构Xtal 内部结构晶振的频率基本上是与石英芯片的厚度倒数成比例,石英芯片愈薄其振荡频率愈高,石英芯片的切割方式一般有两种:AT切割(用于高频)和XY切割(用于低频).HC-49UHC-49SSMD-49SDT-38(圆筒状3*8) DT-26(圆筒状2*6)SMD造型的 CRYSTAL 外型和OSC几乎一模一样晶振的频率一般直接标注在晶振的表面,每一种型号都不同.变压器额定功率 变压器代碼為:T,符號位: , 是变换交流电压、电流和阻抗的器件，当初级线圈中通有交流电流时，铁芯（或磁芯）中便产生交流磁通，使次级线圈中感应出电压（或电流）。变压器由铁芯（或磁芯）和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫次级线圈。分类按冷却方式分类： 干式（自冷）变压器、油浸（自冷）变压器、氟化物（蒸发冷却）变压器 按防潮方式分类： 开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。按铁芯或线圈结构分类： 芯式变压器（插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯）、壳式变压器（插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯）、环型变压器、金属箔变压器。按内芯材质分类： 铁芯变压器(用于低频电压的变换)和磁芯变压器(用于高频电路).按电源相数分类： 单相变压器、三相变压器、多相变压器。 按用途分类： 电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器。 电源变压器的特性参数工作频率变压器铁芯损耗与频率关系很大，故应根据使用频率来设计和使用，这种频率称工作频率。额定功率 在规定的频率和电压下，变压器能长期工作，而不超过规定温升的输出功率。 额定电压指在变压器的线圈上所允许施加的电压，工作时不得大于规定值。 电压比 指变压器初级电压和次级电压的比值，有空载电压比和负载电压比的区别。空载电流 变压器次级开路时，初级仍有一定的电流，这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化电流（产生磁通）和铁损电流（由铁芯损耗引起）组成。对于50Hz电源变压器而言，空载电流基本上等于磁化电流。空载损耗 指变压器次级开路时，在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗，其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗（铜损），这部分损耗很小。效率指次级功率P2与初级功率P1比值的百分比。通常变压器的额定功率愈大，效率就愈高。 绝缘电阻 表示变压器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能。绝缘电阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。音频变压器和高频变压器特性参数 频率响应 变压器次级输出电压随工作频率变化的特性。通频带 如果变压器在中间频率的输出电压为U0，当输出电压（输入电压保持不变）下降到0.707U0时的频率范围，称为变压器的通频带B。 初、次级阻抗比 变压器初、次级接入适当的阻抗Ro和Ri,使变压器初、次级阻抗匹配，则Ro和Ri的比值称为初、次级阻抗比。在阻抗匹配的情况下，变压器工作在最佳状态，传输效率最高。變壓器有方向性,插件時要分清腳位標誌,初級繞組和次級繞組插反會燒壞變壓器.半导体器件中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc3MHz,Pc1W)、D-低频大功率管（f1W)、A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号.第五部分：用汉语拼音字母表示规格号.例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。二極管二極管的代碼為:D 符號為: 二极管分正负极，圆柱状在表面用一道白色或黑色色环标示负端，通常二极管的型号也标示在表面， 片状SMD二极管常用白色或压痕标示在负端SMD元件上不标参数。在作业时一定要分清极性，按要求装于PCB上。二极管的特性 二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如下图所示: 正向特性当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。反向特性 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。频率特性由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 二极管的主要参数 正向电流IF 在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF 二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM 在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值. 正向反向峰值电压VRM 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 反向电流IR 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值. 结电容C 结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率fm 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 常用晶体二极管 整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。检波二极管 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。 开关二极管 在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装. 稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管（简称稳压管）. 稳压二极管的图形符号 稳压管的伏安特性曲线如下图所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。 硅稳压管伏安特性曲线 变容二极管 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。容二极管的结构与普通二极管相似，其符号如下图所示， 变容二极管图形符号 下图(a)是利用变容管的变容特性来调谐本机振荡的频率（电视接收机调谐器中作本机振荡）。(b）是一个调谐信号源，用变容管和单结晶体管与恒流二极管组成的锯齿振荡器，利用输出信号进行调频，由于变容管大多数在反偏压下工作，所以应加恒流保护，以防止击穿。 变容二极管的容压特性及等效电路 阶跃恢复二极管 阶跃恢复二极管是一种特殊的变容管，也称作电荷储存二极管，简称阶跃管，它具有高度非线性的电抗，应用于倍频器时代独有的特点，利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波，可获得高效率的高次倍频，它是微波领域中优良的倍频元件。 阶跃管的特性是：建立在PN结杂质的特殊分布上，和变容管相似，阶跃管的符号如下图所示，它的直流伏安特性与一般PN结构相同。 阶跃恢复二极管的图形符号 阶段管的特点是：当处于导通状态的二极管突然加上反向电压时，瞬间反向电流立即达到最值IR，并维持一定的时间ts，接差又立即恢复到零，电流和时间的关系见下图所示. 阶跃管电流与时间的关系 阶跃管主要用于倍频电路和超高速脉冲整形和发生电路，下图(a)是一个曲型的高次频器，利用阶跃管，很容易做到高达20次倍频而仍保持高效率。下图（b）是利用阶跃管的脉冲整形电路，下图(c）是整形前后的波形比较。 阶跃恢复二极管的典型应用 發光二极管 发光二极管代碼為LED，符號為 它能发出有颜色的光，可以发单色光，如红色，绿色，橙色等，也可以一个二极管发出二种不同颜色的光，叫双色LED。發光二極管主要分為PTH LED和SMD LED兩大類.PTH LED鏡片顏色鏡片顏色主要有四種: 霧狀(Diffused),透明(Transparent),水色(Water clear),白色霧狀(White diffused)霧狀透明水色白色霧狀大小型狀PTH LED最常見的型狀有圓形及方形兩種我們常說的3mm或5mm的LED是指圓形的LEDPTH LED極性PTH LED的極性主要有三種方式判斷:1.未整腳的LED兩只腳有長短之分,短腳為負極:負極未整腳的PTH LED2.LED鏡片的末端有一非圓形之處為負極:負極3.發光處鐵片比較大的為負極: 負極晶体三极