RoHS豁免条款2013年.docx

附件I
　　本指令管理的EEE类别：
　　1、大家电；
　　2、小家电；
　　3、IT和通讯设备；
　　4、消费类设备；
　　5、照明设备；
　　6、电气和电子工具；
　　7、玩具、休闲和运动器械；
　　8、医疗设备；
　　9、包括工业用监测和控制仪器的监控仪表；
　　10、自动售货机；
　　11. 其它任何不在上述类别范围内的EEE。
　附件II
　　第4（1）条款禁止的物质及其在均质材料中的最高含量（重量百分比）：
　　铅Pb（0.1 %）；
　　汞Hg（0.1 %）；
　　镉Cd（0.01 %）；读音[gé]
　　六价铬Cr6+（0.1 %）；读音[gè]
　　多溴联苯（PBBs）（0.1 %）；
　　多溴二苯醚（PBDEs）（0.1 %）。
附件III
　　不受第4（1）条款限制的应用

豁免
范围和到期日
1
单端紧凑荧光灯每灯管中的汞含量不得超过

1（a）
一般用途照明，<30 W：5 mg
到期日为2011年12月31日；单管含量不超过3.5 mg的灯可使用到2012年12月31日；2012年12月31日之后单管含量不得超过2.5 mg。
1（b）
一般用途照明，≥30W，<50 W：5 mg
到期日为2011年12月31日；单管含量不超过3.5 mg的灯可在2012年12月31日之后使用。
1（c）
一般用途照明，≥50W，<150 W：5 mg

1（d）
一般用途照明，≥150W：15 mg

1（e）
一般用途照明，具有圆形或方形结构，灯管直径≤17 mm
在2011年12月31日前无限制；在2011年12月31日之后每灯管不得超过7 mg。
1（f）
特殊用途：5 mg

2（a）
一般用途双端直式荧光灯每灯汞含量不超过：

2（a）（1）
正常使用寿命的三基色荧光灯，灯管直径<9mm（例如 T2）：5mg
可使用至2011年12月31日；2011年12月31日之后不得超过4 mg每灯；
2（a）（2）
正常使用寿命的三基色荧光灯，9 mm≤灯管直径≤17 mm（例如T5）：5mg
可使用至2011年12月31日；2011年12月31日之后不得超过3 mg每灯；
2（a）（3）
正常使用寿命的三基色荧光灯，17 mm<灯管直径≤28 mm（例如T8）：5mg
可使用至2011年12月31日；2011年12月31日之后不得超过3.5 mg每灯；
2（a）（4）
正常使用寿命的三基色荧光灯，28 mm<灯管直径（例如T12）：5mg
可使用至2012年12月31日；2012年12月31日之后不得超过3.5 mg每灯；
2（a）（5）
长寿命的三基色荧光灯（寿命≥25000 h）：8mg
可使用至2011年12月31日；2011年12月31日之后不得超过5 mg每灯；
2（b）
其它荧光灯中的汞含量不超过（每灯）：

2（b）（1）
直线型卤磷酸盐灯管直径>28 mm（例如T10和T12）：10 mg
使用到2012年4月13日
2（b）（2）
非直线型卤磷酸盐灯（所有直径）：15 mg
使用到2016年4月13日
2（b）（3）
非直线型三基色荧光灯，灯管直径>17 mm（例如T9）
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过15 mg。
2（b）（4）
其它一般用途照明和特殊用途的灯（例如感应灯）
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过15 mg。
3
特殊用途的冷阴极荧光灯和外置电极荧光灯（CCFL和EEFL）中汞含量不超过（每灯）：

3（a）
短尺寸（≤500 mm）
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过3.5 mg
3（b）
中等长度（>500 mm但是≤ 1500 mm）
2011年12月31日前无限制；2011年1 2月31日后不得超过5 mg
3（c）
长的（>1500 mm）
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过13 mg
4（a）
其它低压放电灯中的汞含量（每灯）：
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过15 mg
4（b）
一般用途经过改良的彩色再现指数Ra>60的高压钠灯（蒸气）中汞含量（每灯管）不超过：

4（b）-I
P≤155 W
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过30 mg
4（b）-II
155W<P≤405W
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过40 mg
4（b）-III
P>405W
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过40 mg
4（c）
其它一般用途高压钠灯（蒸气）中汞含量（每灯管）不超过：

4（c）-I
P≤155 W
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过25 mg
4（c）-II
155W<P≤405W
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过30 mg
4（c）-III
P>405W
2011年12月31日前无限制；2011年12月31日后不得超过40 mg
4（d）
高压汞灯（蒸气）中（HPMV）的汞
到期日2015年4月13日
4（e）
金属卤化物灯（MH）中的汞

4（f）
其它本附件没有特别说明的特殊用途的放电灯中的汞

5（a）
阴极射线管玻璃中的铅

5（b）
荧光管玻璃中铅的含量不超过0.2 %（Wt）

6（a）
铅作为一种合金元素，在用于加工的钢和镀锌钢中铅含量不超过0.35 %（Wt）。

6（b）
铅作为一种合金元素，在铝合金中铅含量不超过0.4 %。

6（c）
在铜合金中铅含量不超过4 %；

7（a）
高熔融温度型焊料中的铅（例如：铅基合金中铅含量≥85 %）；

7（b）
用于服务器、存储器和存储阵列系统的焊料中的铅含量；用于交换、信号生成和传输，以及电信网络管理的网络基础设施设备内的焊料中的铅含量；

7（c）-I
电子电气器件的玻璃或陶瓷（电容中介电陶瓷除外）中的铅，或玻璃或陶瓷复合材料中的铅（例如：压电陶瓷器件）；

7（c）-II
额定交流电压125V以上或直流电压250V以上的电容中介电陶瓷中的铅；

7（c）-III
额定交流电压125V以下或直流电压250V以下的电容中介电陶瓷中的铅；
到期日2013年1月1日，之后，只能用于2013年1月1日以前投放市场的电子电气产品的备件；
8（a）
一次性的球型热熔断体中的镉及其化合物；
到期日2012年1月1日，之后，只能用于2012年1月1日以前投放市场的电子电气产品的备件；
8（b）
用于电子触点中的镉及其化合物

9
在吸收式电冰箱中作为碳钢冷却系统防腐剂的六价铬，冷却液中六价铬的含量最高为0.75 %

9（b）
冷暖空调（HVACR）设备压缩机轴瓦和轴承衬中的铅；

11（a）
C-press顺应针连接系统中所使用的铅；
只能用于2010年9月24日以前投放市场的电子电气产品的备件；
11（b）
除了C-press之外的顺应针连接系统中所使用的铅；
到期日2013年1月1日，之后，只能用于2013年1月1日以前投放市场的电子电气产品的备件；
12
用于导热模块中C-环的镀层材料中的铅
只能用于2010年9月24日以前投放市场的电子电气产品的备件；
13（a）
白色光学玻璃中所用的铅

13（b）
滤光玻璃及用来作反射率标准片的玻璃中所用的铅及镉

14
微处理器针脚及封装联接所使用的含有两种以上组分的焊料中的铅（铅含量在80 %与85 %之间）。
到期日2011年1月1日，之后，只能用于2011年1月1日以前投放市场的电子电气产品的备件；
15
集成电路倒装芯中片封装中半导体芯片及载体之间形成可靠联接所用焊料中的铅

16
带硅酸盐套管的线性白炽灯中使用的铅
到期日2013年9月1日
17
用于专业复印设备用的高强度放电灯的发光剂的铅卤化物

18（a）
特殊用途的放电灯，例如用于重氮复印、平板印刷、捕虫器、光化学和食物加工过程的含有磷光物质（如SMS（（Sr，Ba）2MgSi2O7:Pb））的特种灯，铅作为荧光触媒剂（其中铅含量在其重量的1 %或以下）。
到期日2011年1月1日
18（b）
用于仿日晒灯的放电灯，其中含有磷光物质（如BSP（BaSi2O5：Pb）），铅作为荧光触媒剂（其中铅含量在其重量的1 %或以下）。

19
超小型节能灯（ESL）主汞齐组分PbBiSn-Hg和PbInSn-Hg，以及辅助汞齐组分PbSn-Hg中的铅含量。
到期日2011年6月1日
20
液晶显示器中连接前后平板荧光灯基质的玻璃中的氧化铅
到期日2011年6月1日
21
用于硼硅酸盐和钠钙硅酸盐玻璃瓷釉的印刷油墨中所含的铅和镉。

23
引线框架的引脚间距不大于0.65 mm的细间距元器件（不包括连接器类）的表面处理中的铅。
仅用于2010年9月24日以前投放市场的电子电气产品的备件；
24
通孔盘状及平面阵列陶瓷多层电容器焊料所含的铅。

25
表面传导式电子发射显示器（SED）的构件所用的氧化铅，特别是密封玻璃料以及环状玻璃。

26
蓝黑灯玻璃外罩所含的氧化铅。
到期日2011年6月1日
27
用作大功率扬声器（特指连续几小时运转在声功率125分贝以上）中传感器的焊料的铅合金。
到期日2010年9月24日
29
欧盟指令69/493/EEC附件Ⅰ（第1、2、3、4类）限定的水晶玻璃中的铅含量

30
用于位于声压强度（SPL）大于或等于100分贝的大功率扬声器音圈上的电导体的电气/机械焊点的镉合金。

31
无汞平板荧光灯（例如用于液晶屏、设计或工业照明）中的焊料的铅

32
用于氩和氪激光管防护窗组合件的封装玻璃料里的铅的氧化物。

33
用以焊接电源变压器中直径100微米及以下的细铜线的焊料中的铅

34
金属陶瓷微调电位器中的铅

36
直流等离子体显示器中作为阴极溅射抑制剂中的汞含量最高为30 mg
到期日2010年7月1日
37
以硼酸锌玻璃体为基础的高压二极管的电镀层的铅

38
用氧化铍与铝键合制成的厚膜涂料中镉和氧化镉

39
应用于固态照明或显示系统中的彩色转换II-VI的半导体照明（LEDs）内所含的镉（镉含量<10微克/平方毫米的发光面积）
到期日：2014年7月1日
　　附件IV
　　医疗设备和监测/控制设备中不受第4（1）条款规定限制的应用。
　　利用或检测电离辐射的设备。
　　1、电离辐射检测器中的铅、镉和汞；
　　2、X射线管中的铅轴承；
　　3、电磁辐射放大器（微通道板和毛细板）中的铅；
　　4、X射线管和图像增强器的玻璃粉中的铅，气体激光器和真空电子管中将电磁辐射转换为电子的部件所用的玻璃粉粘合剂中的铅；
　　5、电离辐射防护装置中的铅；
　　6、X射线测试物中的铅；
　　7、硬脂酸铅X射线衍射晶体；
　　8、便携式X射线荧光光谱仪传感器、检测器和电极的镉放射性同位素源，以及以下应用；
　　1a、离子选择电极以及pH电极玻璃中的铅和镉；
　　1b、电化学氧传感器中的铅阳极；
　　1c、红外线检测器中的铅、镉和汞；
　　1d、参考电极中的汞：低氯离子氯化汞、硫酸汞和氧化汞；
　　其它应用；
　　9、氦镉激光器中的镉；
　　10、原子吸收光谱仪（阴极射线）灯中的铅和镉；
　　11、核磁共振成像（MRI）中作为超导和热传导体合金中的铅；
　　12、核磁共振仪（MRI）和超导量子干涉仪（SQUID）检测器中与超导材料连接的金属线中的铅和镉；
　　13、砝码中的铅；
　　14、用于超声换能器单晶压电材料中的铅；
　　15、用于与超声换能器焊接的焊料中的铅；
　　16、很高容量电容和损害测定电桥中的汞；检测和控制装置中高频射频（RF）开关和继电器中的汞含量不超过20 mg每开关或继电器；
　　17、用于便携式紧急去纤颤器的焊料中的铅；
　　18、用于高性能红外图像模块（检测范围8-14 μm）的焊料中的铅；
　　19、硅基液晶（LCoS）显示器中的铅；
　　20、X射线测量滤波器中的镉。