刘旭文-234-235-C15.doc

翻译如下：

图6.12 在n -型半导体和金属的电荷分布和对半导体能带 （a）：Vg <0； （b）: Vg <0; （c）: Vg=Vt<0； （d）: ︱Vg ︱〉︱Vt︱。
半导体：半导体处于热平衡的状态时，并且费米能级一致。对于正压触发电压来说，电子累积层在与氧气毗连的半导体中产生。正因为如此，导电带能量在表面上移动得更接近费米能级。
图6.12a(ii)显示电荷分布通过金属氧化物半导体电容器发生的偏离
图6.12b表明当负极触发电压应用时的情形。一个空间电荷区在半导体中受感应。而图6.12c显示了当一个更强的负极触发电压应用时的状况。这样说来，现在其本身在表面上的费米超出了费米能级。这一结果说明了与氧气毗连的半导体的表面现在是p型了。其表面已由n型转为p型。这时表面生成了小孔的反型层。图6.12d表明当一个更强的负极电压应用且更大的反转电荷的生成时的情形。
6.22 耗尽层厚度
我们可以算出与氧化物半导体界面毗连的受感应的空间电荷区的宽度，图6.13显示出空间电荷区在p型半导体的底层。FP的潜势与EF和EFI之间的是不同的，并且由以下公式得出：

或

Na是掺杂浓度的接受者，而ni是浓度本身的装载者。
氧化物 p型半导体

图6.13 能带图在p型半导体，显示的潜力FP和曲面的潜力S。