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模拟电路试题及答案
一、判断题（每题1分，共50分）
1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。（√）
2、漂移电流是正向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。（×）
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷大，等效成断开；（√）
4、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（×）
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结反偏，集电结正偏。（×）
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增加，发射结压降减小。（√）
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射极、共集电极、共基极放大电路。（√）
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电流负反馈，为了稳定交流输出电流采用直流负反馈。（×）
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=A/1+AF，对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= 1/F 。（√）
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=1+AFBW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。（√）
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。（√）
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。（√）
13、OCL电路是单电源互补功率放大电路；（×）
14、OTL电路是双电源互补功率放大电路。（×）
15、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1。（√）
16、共集电极放大电路输入电阻小，输出电阻大。（×）
17、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。（√）
18、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。（√）
　 　19、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy。（√）
20、P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。（×）
21、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（× ）
22、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。（√）
23、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（×）
24、当温度升高时，三极管的等电极电流I减少，发射结压降UBE增加。（×）
25、晶体三极管具有放大作用时，发射结反偏，集电结正偏。（×）
26、三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。（√）
27、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用直流负反馈，为了减小输出电阻采用电压负反馈。（√）
28、差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号 。（√）
29、共模信号是大小相等，极性不同的两个信号。（×）
30、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （ × ）
31、用低频信号去改变高频信号的频率称为调频，低频信号称为调制信号，高频信号称高频载波。（√）
32、共基极放大电路的高频特性比共射极电路 差 ，fa=1+βfβ。（×）
33、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有正反馈网络。（√）
34、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是√2U2。（√）
35、场效应管的漏极电流ID=gmugs,所以它是电压控制文件。（√）
36、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO增加所以Ic减少（×）
37、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷大，等效成开断。（√）
38、P型半导体中空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。（√）
39、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。（√）
40、共模信号是大小不等，极性相同的两个信号。（√）
41、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而升高。共基极电路比共射极电路高频特性好。（×）
42、负反馈使放大电路增益下降，但提高增益稳定性。（√）
43、差模信号是大小相等，极性相同，差分电路不抑制温度漂移。（×）
44、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（×）
45、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最低反压是√2U2。（×）
46、双端输出的差分放大电路主要利用电路的对称性来抑制零点飘移（×）
47、PN结正偏时截止，反偏时导通，所以PN结具有单向导电性。（×）
48、乙类互补功放存在交越失真，可以利用甲乙类互补功放来克服。（√）
49、振荡电路的平衡条件是AF=1，负反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。（×）
50、扩展运动形成的电流是正向电流，漂移运动形成的电流是反向。（√）

评卷人
得分

二、选择题（每题1分，共50分）
1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（ A ）
A 5v B 9v C 12v
2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）。
A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)
3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ A ）失真。
A 饱和 B 截止 C交越 D频率
4、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移
5、对功率放大器的主要要求有（ B ） （ C ） （ E ）
A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真
6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ B ）变化。
A 0-20 B 20 -200 C 200-1000
7、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( C )U2。
A 0.45 B 0.9 C 1.2
8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ A ）（ B ）。
A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1
9、对功率放大器的主要要求有（ B ）（ C ）（ E ）。
A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真
10、振荡器的输出信号最初是由（ C ）而来的。
A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号
11、三端集成稳压器 CW7906的输出电压是（ A ）
A -6V B -9v C -12v
12、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（ C ），该管是（ E ）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)
13、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ A ）失真。
A 饱和 B 截止 C交越 D频率
14、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移
15、KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。
A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C输出电阻低
16、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ B ）变化。
A 0-20 B 20 -200 C 200-1000
17、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( C )U2。
A 0.45 B 0.9 C 1.2
18、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ A ）（ B ）。
A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1
19、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为12V，3.7V，3V，则它是（ A ）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管
20、振荡器的输出信号最初是由（ C ）而来的。
A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声
21、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。
A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止
22、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）型。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）
23、对功率放大器的要求主要是（ B ）、（ C ）、（ E ）。
A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真
24、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ），此时应该（ E ）偏置电阻。
A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小
25、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。
A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移
26、共集电极放大电路的负反馈组态是（ A ）。
A、压串负 B、流串负 C、压并负
27、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ B ）倍。
A、1 B、2 C、3
28、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ A ）负反馈。
A、电压 B、电流 C、串联
29、分析运放的两个依据是（ A ）、（ B ）。
A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1
30、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（A）。
A、12V B、5V C、9V
31、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ E）型。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN）
32、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B ）失真，下半周失真时为（ A ）失真。
A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率
33、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。
A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移
34、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。
A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低
35、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（B）之间变化。
A、0~20 B、20~200 C、200~1000
36、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ C ）Uz
A、0.45 B、0.9 C、1.2
37、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（A ）（B）。
A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1
38、对功率放大器的主要要求有（B ）（C ）（E ）。
A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真
39、振荡器的输出信号最初由（ C ）而来的。
A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号
40、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（A）
A 5v B 9v C 12v
41、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（C），该管是（D）。
A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)
42、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（A）失真。
0

5、月球在圆缺变化过程中出现的各种形状叫作月相。月相变化是由于月球公转而发生的。它其实是人们从地球上看到的月球被太阳照亮的部分。iD/mA

5、垃圾的回收利用有哪些好处？-4
uGS/V

2、你知道哪些昆虫？5
A 饱和 B 截止 C交越 D频率
43、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

11、显微镜的发明，是人类认识世界的一大飞跃，把有类带入了一个崭新的微观世界。为了看到更小的物体，人们又研制出了电子显微镜和扫描隧道显微镜。电子显微镜可把物体放大到200万倍。A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管

答：①尽可能地不使用一次性用品；②延长物品的使用寿命；③包装盒纸在垃圾中比例很大，购物时减少对它们的使用。C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管
44、工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12μA 增大到 22μA 时，IC 从 1mA 变为 2mA，那么它的β约为[ C ]。
A 83 B 91 C 100 D 80
45、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（B）变化。

6、二氧化碳气体有什么特点？A 0-20 B 20 -200 C 200-1000
46、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=(C)U2。
A 0.45 B 0.9 C 1.2

答：放大镜的中间厚，边缘薄，光线在透过放大镜时会产生折射，因此会把物图像放大。47、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（A）（B）。

25、意大利的科学家伽利略发明了望远镜，天文学家的“第三只眼”是天文望远镜，可以分为光学望远镜和射电望远镜两种。A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1

第三单元 宇 宙48、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是[ C ]
A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性
C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响

答：当月球运行到地球和太阳的中间，如果月球挡住了太阳射向地球的光，便发生日食。49、振荡器的输出信号最初是由（C）而来的。
A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号
50．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（B）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小
C．β和uBE减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加