黑影Shadow镀铜流程图专业版样本.doc

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黑影( Shadow) 、 镀铜工段工艺流程
制定人: Brus
入料
L10、 G7

L11、 G8
水洗
W12
L13、 G10
電镀铜
水洗
去外层线路
硫酸铜、 硫酸、 铜球

W14
水洗
W11
L7、 G4
中和
高锰酸钾
氢氧化钠
中和剂
水洗
水洗
膨松剂

高锰酸钾
水洗
L3
W4
L4
W5
L5、 G3
W6
L6
水洗
W7
W3
膨松
整孔
碱性整孔剂
石墨胶体
干燥
微蚀
过硫酸钠、 硫酸
酸洗
硫酸
吹干

去毛刺

水洗
W8

硫酸
L8、 G5
黑影

定影

水洗
W9

图3-5 镀通孔工段工艺流程及节点产污图

镀通孔工段主要包括去毛刺、 除胶渣、 PTH镀通孔以及一次铜, 工艺流程简述为:
1) 去毛刺: 由于钻孔后的PC板孔的边缘会产生毛刺, 会影响金属化孔的质量, 利用刷磨及高压水冲洗去除毛刺。该步骤产生清洗废水W3。
2) 除胶渣: 钻孔时产生的高温可使半固化片熔化, 形成胶渣, 采用高锰酸钾法去除胶渣。除胶渣工序主要包括膨松、 高锰酸钾、 中和三个步骤。
①膨松: 采用有机溶剂, 使环氧树脂溶胀、 膨松。该步骤产生膨松废液L3、 有机废水W4。
②高锰酸钾氧化处理: 在高温高碱环境下, 利用高锰酸钾氧化去除膨松的环氧树脂。该步骤产生高锰酸钾废液L4、 制程清洗水W5。
③中和处理: 用来还原多层板带出的高锰酸根, 并完全去除孔内残留的二氧化锰、 锰酸根、 高锰酸根等。该步骤产生硫酸雾G3、 酸性废液L5、 制程清洗水W6。
3) 黑影( Shadow) : 其目的在于使钻孔后形成的非导体通孔壁上沉积一层密实牢固并具导电性的石墨胶体, 作为后续电镀铜的底材, 以便下一步的电镀铜。
①整孔: 清除铜面及孔壁上之微尘杂质, 而且让原本带负电性之孔壁因整孔剂之吸附而转变成带正电荷。以利黑影之吸附。
整孔步骤产生整孔剂废液L6、 有机废水W7。
②黑影( Shadow) : 使孔壁附着一层半导电膜。
该步骤产生氨气G4。
③定影: 定影剂为弱酸, 可提供质子以中和未与整孔剂作用黑影剂表面之负电荷, 电性中和作用能够去除孔中多余的石墨胶体 (未与整孔剂反应形成薄膜层之石墨颗粒), 并促进留下来、 已紧紧吸附于孔壁上之黑影剂薄层有更好之吸着力。
该步骤产生硫酸酸雾G5、 制程清洗水W9。
④微蚀: 藉由侧蚀机制( undercutting) 去除铜面( 面铜及内层铜) 上之黑影剂。
Na2S2O8 + Cu ® CuSO4 + Na2SO4
该步骤产生硫酸酸雾G6、 制程清洗水W10。
⑤酸洗: 去除銅面氧化物。
该步骤产生酸性废液L10、 制程清洗水W11。
4) 预浸酸: 该步骤产生硫酸雾G9、 酸性废液L12、 制程清洗水W13。
5) 电镀铜
非导体的孔壁经黑影( Shadow) 吸附半导电膜后, 立即进行电镀铜工序, 其目的是镀上200～500微英寸的铜以实现孔壁导通之作用。
该步骤产生硫酸雾G10、 镀铜废液L13、 制程清洗水W14。