半导体物理载流子的输运现象.pptx

第四章第四章 载流子的输运现象载流子的输运现象书书 第五章第五章在半导体中电子和空穴的净流动产生电流，把载流子的在半导体中电子和空穴的净流动产生电流，把载流子的这种运动称为这种运动称为输运输运。本章介绍半导体晶体中本章介绍半导体晶体中两种基本输运机制两种基本输运机制：1、漂移运动：、漂移运动：由由电场引起电场引起的载流子运动的载流子运动。2、扩散运动：、扩散运动：由由浓度梯度引起浓度梯度引起的载流子运动。的载流子运动。此外半导体的此外半导体的温度梯度也引起温度梯度也引起载流子的运动，但是由于载流子的运动，但是由于半导体器件尺寸越来越小，这一效应半导体器件尺寸越来越小，这一效应可以忽略。可以忽略。学习的目的：学习的目的：最终确定最终确定半导体器件半导体器件I-V特性特性的基础。的基础。本章所作的假设：虽然输运过程中电子和空穴净流动，本章所作的假设：虽然输运过程中电子和空穴净流动，但是但是热平衡状态不受到干扰。热平衡状态不受到干扰。4.1 4.1 载流子的漂移运动载流子的漂移运动一、电导微观理论（刘恩科书一、电导微观理论（刘恩科书p106）单位单位:西门子西门子/米米 1S=1A/V=1/1S=1A/V=1/二、半导体的电导率和迁移率二、半导体的电导率和迁移率一、一、4.2 4.2 载流子的散射载流子的散射1、二、二、小结：小结：4.3 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系迁移率与杂质浓度和温度的关系一、一、二、二、4.4 4.4 强电场下的输运强电场下的输运一、欧姆定律的偏离和热载流子一、欧姆定律的偏离和热载流子