材料物理240109F.pptx

MSEMSE2008 Fall01z8109-Bi自发磁化理论自发磁化理论 原原子子之之间间相相互互接接近近形形成成分分子子时时，电电子子云云相相互互重叠，产生相互作用。重叠，产生相互作用。对对于于过过渡渡族族元元素素，原原子子的的 3d 状状态态与与 s 态态能能量量相相差差不不大大。它它们们的的电电子子云云相相互互重重叠叠，使使 s、d 态态电电子子再再分分配配，这这种种作作用用便便产产生生一一种种交交换换能能 Eex。由由量量子力学得到子力学得到 A：交换积分常数：交换积分常数：相邻原子磁矩夹角：相邻原子磁矩夹角MSEMSE2008 Fall01z8109-Bi交换积分常数交换积分常数A 0：相邻原子磁矩排列相同，相邻原子磁矩排列相同，从而实现自发磁化；从而实现自发磁化；A0：相邻原子磁矩排列紊乱，相邻原子磁矩排列紊乱，为顺磁；为顺磁；A 103的庞磁电阻。的庞磁电阻。MSEMSE2008 Fall01z8109-Bi磁头材料磁头材料高饱和软磁材料；高饱和软磁材料；磁电阻材料。磁电阻材料。MSEMSE2008 Fall01z8109-Bi感应式磁头材料种类感应式磁头材料种类 磁性合金磁性合金 铁氧体铁氧体 非晶态磁性合金非晶态磁性合金 纳米晶磁性合金纳米晶磁性合金 高饱和磁化强度材料高饱和磁化强度材料MSEMSE2008 Fall01z8109-Bi磁阻磁头磁阻磁头(MRH)在外电磁场的影响下，它的电阻率将下降。这在外电磁场的影响下，它的电阻率将下降。这个外磁场可来自磁带的记录过渡区，特别是其个外磁场可来自磁带的记录过渡区，特别是其垂直分量。垂直分量。该磁场引起磁电阻元件的电阻变化为该磁场引起磁电阻元件的电阻变化为R，通过，通过该磁电阻的恒电流是该磁电阻的恒电流是 i，那么，外磁场垂直分，那么，外磁场垂直分量在磁电阻元件引起的电压变化为量在磁电阻元件引起的电压变化为iR。这个电。这个电压变化，恰是复制了磁带记录的信号变化，因压变化，恰是复制了磁带记录的信号变化，因此，利用磁电阻做的磁头此，利用磁电阻做的磁头(MRH)就读出了磁带就读出了磁带中的信号。中的信号。薄且灵敏度很高。薄且灵敏度很高。