电工电子技术与技能期中试卷.doc

电工电子技术与技能期中试卷
学号 姓名
一、填空题
1、物质按导电能力的大小可以分为 ， ， 二极管属于
2、晶体二极管加一定的正向电压时 ，加反向电压时 ,这一导电特性,称为晶体二极管的 。
3、硅管的门坎电压约为 V，锗管约为 V；硅管的导通电压约为 V，锗管约为 V.
4、二极管的正向电阻 ,反向电阻 .
5、PN结的主要特性是 .
6、晶体三极管按半导体材料可分为 管和 管；按PN结的组合方式不同可分为 型和 型。
7、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是：发射结 、集电结 。电流分配关系是 。
8、通常把晶体三极管的输出特性曲线分成三个区域，它们分别是 、和 .
9、晶体三极管集电极输出电流IC=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则输入电流IB= mA。
10、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管 ，所以热稳定性 三极管较好。
二、判断题：
1、晶体三极管具有能量放大作用.( ）
2、当发射结正偏，集电结反偏时，晶体三极管工作在放大状态。（ ）
3、当集电极电流IC值大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管一定损坏.（ )
4、二极管和三极管都属于非线性器件。（ )
5、晶体三极管的集电极和发射极可以对调使用。（ )
6、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位.（ ）
7、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少.（ ）
8、对于NPN型三极管，当VBE 〉0时，VBE >VCE ,则该管工作状态处于饱和状态。（ )
三、选择题
1、在P型半导体中（ ）
A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．空穴的数量略多于电子
C．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 D．没有电子
2、二极管两端加上正向电压时（ ）
A．一定导通 B．超过死区电压才能导通
C．超过0.7伏才导通 D．超过0。3伏才导通
3、用万用表的”R×10”挡和”R×100"挡测量同一个二极管的正向电阻，两次测量得的值分别是R1和R2,则二者相比（ )
A。 R1〉R2 B。 R1=R2 C。R1<R2 D.说不定哪个大
4、如图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线,其中锗二极管的特性曲线是( ）
A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD
5、测得四个NPN型硅管的极间电压如下，则( ）管处于放大状态。
A、VBE=—8V,VCE=6V B、VBE =—0。7V,VCE =0。43V
C、VBE =0。7V，VCE =6V D、 VBE =0。7V，VCE =—2V
6、晶体三极管的两个PN结都反偏时,则晶体三极管所处的状态是（ ）
A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、无法确定
7. 晶体三极管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体三极管工作在什么状态。（ ）
A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、无法确定
8．三极管工作在放大状态下，具有一个 特性。（ ）
A、单向导电性 B、输出特性 C、恒流特性 D、无法确定
四、分析计算题
1、分析图示电路中当开关S闭合后，H1和H2两个指示灯，哪一个可能发光？并简述理由。
2、已知某三极管的IB1=10μA时,ICl=0.88mA，当IB2=40μA时，IC2=2.38mA，求该三极管的β值为多少？
3、锗三极管，β=50，IB=10μA，试求IC = ?
4、如下图所示电路，设VBE =0。7V,求IB=？ IC = ？ VCE= ？