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模拟电子技术试卷及答案.doc

上传人:天**** 文档编号:3143185 上传时间:2024-06-19 格式:DOC 页数:10 大小:168KB
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1、-精品word文档 值得下载 值得拥有-模拟电子技术试卷一.填空题(每空1分,共30分)1P型半导体掺入 三 价元素,多子是 自由电子 ,少子是 空穴 。2PN结主要特性是具有单向导电性 ,即正 导通,反向 截止 。3三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结 反向偏置 。4在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的 放大 区;在数字电路中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区,此时也称它工作在 开关 状态。5幅度失真和相位失真统称为 频率 失真,它属于 线性 失真。6功率放大电路的主要作用是 向负载上提供足够大的输出功率 , 乙类 功率放大电路的效率最高。7放大电路中为了稳定静

2、态工作点,应引入 a (a.直流负反馈,b.交流负反馈)。8三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。9分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用,其原理是构成 电压串联 负反馈。10集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输出端 同相 ;后者的极性同输出端 反相 。11根据MOS管导电沟道的类型,可分为 PMOS 和 NMOS 型。二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)12345678910CDAB1常温下,硅二极管的开启电压约_V,导通后在较大电流下的正向

3、压降约_V;锗二极管的开启电压约_V,导通后在较大电流下的正向压降约_V。CA) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.22下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D ) A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET; N沟道结型3在共射基本放大电路中,当

4、一定时,在一定范围内增大IE,电压放大倍数将( A)A) 增加 B) 减小C) 不变 D) 不能确定4如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路C) 减小工作点电流 D) 加大RC窗体顶端5功率放大电路按( A )原则分为甲类,甲乙类和乙类三种类型。A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同6理想集成运算放大器的放大倍数Au,输入电阻Ri,输出电阻Ro分别为( C )A) ,0, B) 0, C) ,0 D) 0,07正弦波振荡电路的起振

5、条件是( B )。A) ; B); C) ; D) ;8共模抑制比KCMR是( D )A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值 C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值 D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值9下列说法中正确的是( D )A) 任何放大电路都有功率放大作用B) 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真C) 若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈D) 若放大电路引入电压负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变10放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B )。A) 耦合电容和旁路电容的存在B) 半

6、导体管极间电容和分布电容的存在C) 半导体管的非线性特性D) 静态工作点不合适三(8分)计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数,已知Ucc=12V,Rb1=20K,Rb2=10K,Re=2K ,Rc=2K,RL=6K,=40,rbe=1K。 四(6分)设硅稳压管D1和D2的稳定电压分别为5V和10V,正向压降均为0.7V,求:稳压管接法如图,求输出电压。若两只稳压管方向均相反,求。若D1方向不变,D2方向相反,求。 UO = 5+10 = 15V UO = 0.7+0.7=1.4V UO = 5+0.7=5.7V五(9分)下图中三极管均为硅管,RB和RC的电阻值选取合适,从偏置情况分析判断下

7、图中各三极管的工作状态。(1) (2) (3)(1)UBE=1-0.5=0.5V0.7V,发射结反偏,所以三极管工作在截止状态(2)发射结正偏,集电结反偏,所以三极管工作在放大状态 (3)发射结正偏,集电结正偏,所以三极管工作在饱和状态六、(9分)设图中的运算放大器都是理想的,试写出uo1、uo2和uo的表达式。七(10分)计算下图二级放大器的电压放大倍数,输入、输出电阻。已知:Rb1 = Rb2 = 280K,Rc1 = Rc2 = 3K,RL = 3K,UCC = 12V,= 50,rbe1 = rbe2 = 950。 八(8分)在图示的单相桥式整流电路中,分析:如果VD3接反,则会出现什

8、么现象? 如果VD3被开路, 则会出现什么现象? 在电源负半周将出现电源短路,电源烧坏 只能在电源负半周整流,出现半波整流现象。模拟电子技术试卷答案一.填空题(每空1分,共30分)1P型半导体掺入 3 价元素,多子是 自由电子 ,少子是 空穴 。2PN结主要特性是 单向导电性 ,即正向 导通 ,反向 截止 。3三极管工作在放大状态的外部条件是发射结 正偏 ,集电结 反偏 。4在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的 放大 区;在数字电路中三极管一般工作在 饱和 区或 截止 区,此时也称它工作在 开关 状态。5幅度失真和相位失真统称为 频率 失真,它属于 线性 失真。6功率放大电路的主要作用

9、是 向负载提供足够大的输出功率 , 乙类 功率放大电路的效率最高。7放大电路中为了稳定静态工作点,应引入 a (a.直流负反馈,b.交流负反馈)。8三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电压 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。9分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用,其原理是构成 电流串联 负反馈。10集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输出端 同相 ;后者的极性同输出端 反相 。11根据MOS管导电沟道的类型,可分为 NMOS 和 PMOS 型。二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)12345678910CDABACBDDB三(8分) 四(6分) UO = 5+10 = 15V UO = 0.7+0.7=1.4V UO = 5+0.7=5.7V五(9分)(1)UBE=1-0.5=0.5V0.7V,发射结反偏,所以三极管工作在截止状态(2)发射结正偏,集电结反偏,所以三极管工作在放大状态 (3)发射结正偏,集电结正偏,所以三极管工作在饱和状态六、(9分)七(10分) 八(8分) 在电源负半周将出现电源短路,电源烧坏 只能在电源负半周整流,出现半波整流现象。-精品word文档 值得下载 值得拥有-

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