AP8022HNE-A1 10W-12W电磁炉常用电源芯片-ap8022中文资料_骊微电子.pdf

AP8022H Chipown 低待机功耗离线式开关电源IC低待机功耗离线式开关电源IC概述概述AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。应用领域应用领域 电磁炉电源 小家电辅助电源机顶盒电源封装封装/订购信息订购信息订购代码封装特征特征 内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET 满足85265V宽AC输入工作电压 全电压半封闭式稳态输出功率10W 抖频技术改善EMI特性 间歇工作模式 软启动 内置高压启动电路 保护功能?过流保护（OCP）?过温保护（OTP）?VDD过压保护 AP8022HNEC-T1C DIP-8 典型应用典型应用GNDGNDCOMPCOMPSnubberAC85265VDC OutputAC85265VDC OutputFB BlockControl BlockOTPBlockHV Start BlockPWM Switch&Gate DriverSUPPLY&UVLOVDDSWVDDSWAP8022HAP8022H深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司AP8022H 管脚定义管脚定义 表表 1.管脚定义管脚定义 管脚标号管脚名管脚功能描述1,2GND 功率MOS以及控制电路的参考地 3COMP 反馈输入脚，用以确定功率MOS的峰值电流 4VDD控制电路的供电电源，启动时由高压启动管对VDD电容进行充电，当达到UVLO启动电压时，启动过程结束 5NC 空脚(可接SW)6,7,8SW 功率MOS的漏极 典型功率典型功率表表 2.典型功率典型功率 封装封装输入电压输入电压稳态功率稳态功率(1)峰值功率峰值功率(2)DIP-885-265 VAC10W(12V800mA)12W(12V1A)备注：1.稳态功率在半封闭式 75C 环境下测试，持续时间大于 2 小时。2.峰值功率在半封闭式 75C 环境下测试，持续时间大于 1min。极限工作范围极限工作范围VDD 脚耐压.-0.345V SW 脚耐压.-0.3750V COMP 脚耐压.-0.37V 结工作温度范围.-40150 存储温度范围.-55150 管脚焊接温度（10秒）.260 封装热阻（DIP-8）.40/W 人体模式 ESD 能力(1)（HBM,ESDA/JEDEC JDS-001-2014）.4kV 空气模式ESD 能力(2)（静电测试仪对芯片引脚直接放电）.8kV 漏极脉冲电流（Tpulse=100us）.3A 备注：1.产品委托第三方严格按照芯片级ESD标准(ESDA/JEDEC JDS-001-2014)中的测试方式和流程进行测试。2.此项测试为企业内部标准，结果仅供参考。深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司AP8022H 电气特性电气特性(TJ=25C,VDD=15 V；特殊情况另行说明)表表 3.功率部分功率部分 表表 4.控制部分控制部分 符号符号参数参数测试条件测试条件最小最小典型典型最大最大单位单位欠压保护部分欠压保护部分VSTART 欠压保护启动电压VCOMP=0V 1314.516V VSTOP 欠压保护关断电压VCOMP=0V789VVHYS 欠压保护回差6.5 VVRST VDD 重新启动电压 5.566.5V振荡器部分振荡器部分FOSC 开关频率TA=25C 54 60 66 kHz FD 抖频范围6kHzFM 调制频率250HzDMAX 最大占空比65 80 90%反馈部分反馈部分ICOMP COMP关断电流 1.2 mARCOMP COMP脚输入阻抗 1.15k 限流部分限流部分ILIM 峰值电流TA=25C 0.6 0.75 0.9 A TLEB 最小导通时间LEB time 650 ns tSS 软启动时间7.5 msID_BM 间歇工作模式工作电流150 mA 符号符号参数参数测试条件测试条件最小最小典型典型最大最大单位单位BVDSS 功率管耐压ISW=250uA 750 800 V IOFF 关态漏电流VSW=550V 100 uA RDSON 功率管导通电阻ISW=400mA,TJ=25C10 深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司AP8022H 过温保护部分过温保护部分TSD 过温保护温度140 170-CTHYST 过温保护回差30C工作电流部分工作电流部分ICH 启动管充电电流（SW 脚）VDRAIN=105 V,VCOMP=GND,VDD=12 V-1.25mAIDD 工作电流VDD=16 V,VCOMP=0 V 4mAVDD 工作电压范围After turn-on 10 35VVOVP VDD过压保护 37 40 43 VIDD_OFFVDD=6 V 100 400 uA 典型应用典型应用图 1.应用典型线路深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司AP8022H 典型参数曲线典型参数曲线-50-2502550751001251500 0612182430RDS(on)()Junction Temperture()-50-250255075100125150750800850900950BVDSS(V)Junction Temperture()(a)RDS(on)vs Tj(b)BVDSS vs Tj-50-25025507510012515013.013.514.014.515.015.516.0VSTART(V)Junction Temperture()-50-2502550751001251507.07.58.08.59.0VSTOP(V)Junction Temperture()(c)VSTART vs Tj(d)VSTOP vs Tj-50-25025507510012515037383940414243VOVP(V)Junction Temperture()-50-2502550751001251505560657075FOSC(kHz)Junction Temperture()(e)VOVP vs Tj(f)FOSC vs Tj深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司