资源描述
一、 选取题
6、欲使放大器净输入信号削弱,应采用反馈类型是(D)
A.串联反馈;B并联反馈;C.正反馈;D.负反馈。
7、由一种三极管构成基本门电路是(B)
A.与门;B.非门;C.或门;D.异或门。
8、在脉冲门电路中,应选取(B)三极管。
A.放大能力强;B.开关速度快;C.价格便宜;D.集电极最大耗散功率高。
9、数字集成门电路中,当前生产最多且应用最普遍门电路是(D)
A.与门;B.非门;C.或门;D.与非门。
24、对半导体而言,其对的说法是(C)
A.P型半导体多数载流子为空穴,因此它带正电;B.N型半导体多数载流子为自由电子,因此它带负电;C.P型半导体和N型半导体自身都不带电; D.在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子
25、在放大电路中,若测得某晶体管3个极电位分别为9V、4V、3.7V,则这3 个极分别为(A)
A. C、B、E; B.C、E、B; C.E、C、B。
26、在放大电路中,若测得某晶体管3个极电位分别为-6V、-2.3V、-2V,则这-2.3 V那个极为(B)
A.集电极;B.基极;C.发射极。
27、在放大电路中,若测得某晶体管3个极电位分别为6V、1.2V、1V,则该管为(C)
A.NPN型硅管;B. PNP型锗管; C.NPN型锗管;D. PNP型硅管。
28、对某电路中一种NPN型硅管测试,测得UBE>0,UBC>0,UCE>0, 则此管工作在(B)
A.放大区;B.饱和区;C.截止区。
29、对某电路中一种NPN型硅管测试,测得UBE<0,UBC<0,UCE>0, 则此管工作在(C)
A.放大区;B.饱和区;C.截止区。
30、对某电路中一种NPN型硅管测试,测得UBE>0,UBC<0,UCE>0, 则此管工作在(A)
A.放大区;B.饱和区;C.截止区。
31、晶体三极管控制方式为(B)
A.输入电流控制输出电压;B.输入电流控制输出电流;C.输入电压控制输出电压。
32、场效晶体管控制方式为(C)
A.输入电流控制输出电压;B.输入电压控制输出电压;C.输入电压控制输出电流。
33、射极输出器(A)
A.有电流放大作用,没有电压放大作用;B.有电流放大作用,也有电压放大作用;
C.没有电流放大作用,也没有电压放大作用。
34、某测量放大电路,规定输入电阻高,输出电流稳定,应引入(B)
A.并联电流负反馈;B.串联电流负反馈;C.串联电压负反馈;D.并联电压负反馈。
35、与相等为(C)
A.;B.;C.。
36、与相等为(B)
A.A+B;B.A+BC;C.。
37、若,则(C)
A.ABC=001;B.ABC=110;C.ABC=100。
38、已知函数,则它“与非—与非”表达式为( B )。
A. B. C.AB BC
39、组合逻辑电路分析是指(C)。
A.已知逻辑图,求解逻辑表达式过程;B.已知真值表,求解逻辑功能过程;C.已知逻辑图,求解逻辑功能过程。
③
②
①
(图 4)
46、如图4所示晶体管,测得三电极电位分别是,,,则该晶体管类型及各电极名称为:( A )
A.NPN型,①是集电极、②是基极、③发射极
B.PNP型,①是发射极、②是基极、③集电极
C.NPN型,①是集电极、②发射极、③基极
D.PNP型,①是集电极、②发射极、③基极
47、PNP型晶体三极管处在放大状态时,各极电位关系必要满足:( B )
A.UC>UB>UE; B.UC<UB<UE ; C.UC> UE > UB;
50、共集电极放大电路电压放大倍数Au( B )
A.不不大于1; B.不大于并接近1 ; C.等于1 ; D.远不不大于1.
51、下列哪一种不是逻辑函数表达办法( C )。
A.真值表; B.逻辑图; C.波形图; D.逻辑表达式.
53、P型半导体中多数载流子是( B )
A.自由电子; B.空穴; C.正离子。
三、填空题
6.最惯用半导体材料有 硅 和 锗 两种。
7.晶体二极管导通时正向压降:硅管约为 0.6~0.7 V,锗管约为 0.2~0.3 V。普通硅二极管死区电压约为 0.5 V,锗二极管死区电压约为 0.1 V。
=1
A
B
8.逻辑代数三种最基本运算关系有 与 、或 、 非 ;写出异或逻辑函数表达式Y=(其输入变量为A、B),其逻辑符号为:
9.晶体二极管是由一种 PN结 作为管芯,其最重要电特性是 单向导电性 :加正向电压时PN结处在 导通 状态,加反向电压PN结处在 截止 状态。
10.晶体三极管有两个PN结,即 发射 结和 集电 结;要具备电流放大作用必要具备外部条件是: 发射结正偏 和 集电结反偏 。
11.晶体三极管有三种工作状态: 放大 状态、 饱和 状态和 截止 状态。
12.某放大电路中正常工作三极管各极对地电位分别是:U1=2V,U2=2.7V,U3=10V,则该管1脚是 E 极,2脚是
B 极,3脚是 C 极,该管采用 硅 材料,类型是 NPN 型。
13、在本征半导体内掺入微量3价元素,可形成 P 型杂质半导体。其中多子是 空穴 。
14、射极输出器特点是输入电阻 高(大) ,输出电阻 低(小) 。
19.依照晶体管构造特点, 基 区掺杂浓度最低。 发射 区掺杂浓度最高。
20.就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过低(基极电流I B过小)时,输出波形易发生
截止 失真。
21.就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过高(基极电流I B过大)时,输出波形易发生
饱和 失真。
22.整流电路是直流稳压电源重要构成某些,整流电路作用是 将正弦交流信号转变为脉动直流信号 ,该电路由 二极管 元件构成。
23.逻辑函数表达办法有三种: 逻辑状态表(真值表) 、 逻辑函数表达式 和逻辑图。
26.电子电路涉及 模仿电路 和 数字电路 两大某些。
27.低频功放电路普通有三种工作状态: 甲 类、 乙 类和 甲乙 类。
28.抱负运放工作在线性区时两个重要结论是:(1)u+ =u—,这种状况称为 “ 虚短 ”;(2)i+ =i—=0,这种状况称为“ 虚断 ”。
五、简答题
7、二极管伏安特性上有一种死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管死区电压典型值约为多少?
答:当外加正向电压很低时,正向电流很小,几乎为零。当正向电压超过一定数值后,电流增大不久。这个一定数值正向电压称为死区电压。普通,硅管死区电压约为0.5V,锗管死区电压约为0.5V。
8、为什么稳压二极管动态电阻愈小,稳压效果愈好?
答:由稳压二极管伏安特性可见,动态电阻愈小,即愈小,随电流变化产生电压波动愈小,因此稳压效果愈好。
9、晶体管发射极和集电极与否可以调换使用,为什么?
答:不可以。晶体管发射区掺杂浓度高而面积小,而集电区掺杂浓度低而面积大。若调换使用,则扩散到基区载流子数量将严重局限性,致使集电极电流和电流放大系数大为减小。
10、有两个晶体管,一种管子;另一种管子。如果其他参数同样,选用哪个管子较好?为什么?
答:两管穿透电流分别为
;
可见,选用第一种管子较好,由于其穿透电流小,温度稳定性好。
11、发现输出波形失真,与否阐明静态工作点一定不适当?
答:不一定,若工作点适当而信号幅度过大,也会产生波形失真。
12、在放大电路中,静态工作点不稳定对放大电路工作有何影响?
答:静态工作点不稳定将引起波形失真,如工作点升高则产生饱和失真,工作点下移则产生截止失真。
13、什么叫“虚地”?在反相比例运算放大器电路中,同相输入端接“地”,反相输入端电位接近“地”电位。既然这样,就把两个输入端直接连起来,与否会影响运算放大器工作?
答:由于运算放大器开环放大倍数很大,而输出电压为有限值,因而实际容许输入电压很小,可以忽视不计,但并非为零。当同相输入端接“地”时,,则,反相输入端电位接近“地”电位,故称“虚地”。若将两个输入端直接连接,则,无输出,运算放大器便不能工作。
14、逻辑运算中1和0与否表达两个数字?
答:逻辑运算中1和0只是表达两个相反逻辑状态,如高和低、开和关、通和断、是和非等,不是算术运算中两个数字。
15、逻辑代数和普通代数有什么区别?
答:逻辑代数或称布尔代数是分析与设计逻辑电路数学工具。它虽然和普通代数同样也用字母(A、B、C等)表达变量,但变量取值只有1和0两种,所谓逻辑1和逻辑0,它们不是数字符号,而是代表两种相反逻辑状态。逻辑代数所示是逻辑关系,不是数量关系,这是它与普通代数本质上区别。在逻辑代数中只有逻辑乘(与运算)、逻辑加(或运算)和求反(非运算)三种基本运算。而在普通代数中有加、减、乘、除等各种运算。
六、作图题
1、图示电路:已知ui=10V,E= 5 V,二极管D为抱负二极管(正向导通时电压为零),试绘制 uo 波形。
2、已知下图中E=5V,ui=10V,二极管为抱负二极管(正向导通时电压为零),画出输出电压uo波形。
3、A、B波形如图所示,请绘制Y波形
七、证明题:
1、 证明图中(a)及(b)所示两电路具备相似逻辑功能,并写出逻辑状态表。
(a))实现
(b)实现
A
B
Y
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
逻辑状态表:
2.证明
证明:
八、计算题
+UCC
uS
RS
C1
C2
RB
RC
RL
4.单管共射放大电路如图所示,已知UCC=12V,RB=300kΩ,RC=RL= 3kΩ,三极管为硅管,其电流放大系数β=50。(1)画出该电路直流通路;(2)估算静态工作点值IBQ、ICQ、UCEQ;(3)估算晶体管输入电阻rbe;(4)画出该电路微变等效电路;(5)计算其该电路动态指标(电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro)。
解:(1)画直流通路
(2)求静态工作点
IC
IB
UCC
RC
RB
(3)估算晶体管输入电阻rbe
(4)画微变等效电路
(5)计算放大电路动态指标
评分原则:本小题共18分。对的画出直流通路得2分,求出IBQ、ICQ、UCEQ各得2分;对的画出微变等效电路得2分,求出rbe、Au、Ri、Ro各得2分。
别解:(2)求静态工作点
(3)估算晶体管输入电阻rbe
5、分压式偏置交流电压放大电路如下图所示,设晶体管电流放大系数β=40。求:
(1) 放大电路静态值
(2) 画出微变等效电路
(3) 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻
解:(1)放大电路静态值VB≈RB2/(RB1+RB2)*UCC=3V
IE=(VB-UBE)/RE≈VB/RE=2mA
IC≈IE=2mA
IB=IC/β=40μA
UCE=UCC-ICRC-IERE=3V
(2)微变等效电路
(3)动态指标:
Au=-βRC//RL/rbe=-69.5
ri=RB1//RB2//rbe≈rbe=0.863kΩ
ro≈RC=3kΩ
RF
6、在图示电路中,已知R1=13kΩ,RF=52kΩ,试计算该电路闭环电压放大倍数和平衡电阻R2。如果uI = 0.2V,则输出电压uo为多少伏?
解:这是一种同相比例运算电路,属于电压串联负反馈,因此
R2ˊR2
uo
uI
RL
R1
∞
–
+
当uI=0.2V时,
RF
RL
R2
R1
∞
–
+O
7、在图示电路中,已知R1=10kΩ,RF=50kΩ,试判断该电路类型并计算该电路闭环电压放大倍数。如果ui = 0.5V,则输出电压uo为多少伏?
解:这是一种反相比例运算电路,属于电压并联负反馈,因此
uI
uOP
当uI=0.5V时,
评分原则:本小题共6分。判断电路类型得2分,求出Auf得2分,
求出uO得2分。用其他办法求解按环节酌情给分.
九、设计题:
1、用两个运放设计一种实现运算电路。画出电路图,计算出各电阻值,设RF1=RF2= R4=100kΩ。
解:完毕运算关系,可先将uI1和uI2作为反相加法电路输入信号,其输出信号u01与uI2再作为另一种反相加法电路输入信号进行相加。电路如图所示。
uO
uO1
uI3
uI2
uI1
R4
R2
R2ˊ
R1ˊ
RF2
RF1
R3
R1
A
–
+
A
–
+
与规定比较得:
,,
由于RF1=RF2= R4=100kΩ,因此R2=20kΩ, R1=33.3kΩ,R3=12.5kΩ。
平衡电阻为:
评分原则:本大题共12分。画出电路图得5分;列出关系式uO1、uO各得1分;求出五个电阻值R1、R2、R3、、各得1分。
2、试用与非门设计一逻辑电路供三人(A,B,C)表决使用。每人有一电键,如果她赞成,就按电键表达1;如果不赞成,不按电键表达0。表决成果用批示灯来表达,如果多数赞成,则批示灯亮,F=1;反之则不亮,F=0。
解:依照题意,有三人表决,因此输入逻辑变量有三个,设为A、B、C。输出量控制批示灯,用F表达。
(1)依照少数服从多数原则列出真值表如下表所示。
A
B
C
F
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
1
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
(2)由真值表写出逻辑表达式:
取F=1写出逻辑式
(3)变换和化简逻辑式
对上述应用逻辑代数运算法则进行变换和化简
如果按此表达式构成电路图,需三个二输入与门和一种三输入或门。
如果全用与非门则要转换,则由反演律得:
可用一片74LS00和一片74LS11构成此电路。
(4)画逻辑图:
3、某产品有A,B,C三项质量指标。规定:A必要满足规定,其她两项中只要有一项满足规定,产品就算合格。试设计一种用“与非门”完毕该逻辑功能电路
解:,依照题意有三项质量指标,因此输入逻辑变量有三个,即为A、B、C:满足规定为“1”,不满足规定为“0”;输出量用Y表达:产品合格Y=“1”, 产品不合格Y=“0”
(1)依照题意列出真值表如下表所示。
A
B
C
Y
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
(2)由真值表写出逻辑表达式:
取Y=1写出逻辑式
(3)画逻辑图:如果按此表达式构成电路图,则需要用三个二输入与非门。
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