GaN和SiC一维纳米结构物性的原子尺度模拟的开题报告.docx

GaN和SiC一维纳米结构物性的原子尺度模拟的开题报告
一、选题背景
GaN和SiC是当前应用十分广泛的半导体材料，其性能优异。纳米结构化能够进一步优化其性能，例如提高载流子迁移率、降低电阻等。因此，对于这两种材料的纳米结构物性研究具有重要意义。
二、研究内容及意义
本项目主要研究GaN和SiC一维纳米结构物性的原子尺度模拟。采用量子力学计算方法，结合密度泛函理论和分子动力学方法，对于不同尺寸和结构的纳米线进行计算，探究其性质和性能变化的规律，包括电子结构、热力学性质、机械性质等。其研究成果可为材料表征和纳米电子学器件设计提供理论基础。
三、研究方法
本项目将采用量子力学计算方法，结合密度泛函理论和分子动力学方法，开展材料模拟计算。利用软件包实验室平台搭建计算模型，对不同尺寸和结构的纳米线进行计算，探究其性质和性能变化的规律。
四、进度计划
第一阶段：文献综述，了解材料的基础性质和研究现状，熟悉量子力学计算方法等。时间：2周。
第二阶段：搭建计算模型，进行验证计算。时间：3周。
第三阶段：进行不同尺寸和结构的纳米线计算，分析结果。时间：6周。
第四阶段：撰写论文，准备课程报告。时间：3周。
五、预期成果
本项目预期能够深入了解GaN和SiC一维纳米结构的物性，并且探究其性能变化规律，为材料表征和纳米电子学器件设计提供理论基础。此外，预期能够在相关领域发表高水平的科研论文（EI检索）。