国家火炬计划产业化项目可行性研究报告模板.doc

目 录第一章 概述31.1项目提出背景31.2技术开发情况31.3现有产业规模41.4项目产品关键用途、性能41.5投资必需性41.6预期经济效益51.7本企业实施该项目标优势5第二章 技术可行性分析62.1项目技术路线、工艺设备合理性和成熟性、关键技术优异性62.2产品技术性能水平和中国外同类产品比较102.3项目负担单位在实施本项目中优势11第三章 项目成熟程度123.1产品检测、判定及用户使用情况123.2产品质量、价格、性能等情况123.3关键技术知识产权情况13第四章 市场需求情况和风险分析144.1中国市场需求分析144.2国际市场情况及本项目产品市场占有情况154.3风险原因及对策分析15第五章 投资估算及资金筹措175.1项目投资估算175.2资金筹措方案175.3投资使用计划18第六章 经济和社会效益分析196.1未来五年生产成本、销售收入估算196.2财务分析196.3不确定性分析206.4财务分析结论206.5社会效益分析20第七章 综合实力和产业基础247.1企业职员组成247.2企业责任人情况247.3企业新产品研发能力及内部管理体系257.4企业从事该产品生产条件、产业基础27第八章 项目实施进度计划28第一章 概述1.1项目提出背景砷化镓（GaAs）单晶是一个关键半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料，在国际上其产量仅次于硅。HB工艺是研究开发最早GaAs单晶生长工艺，也是现在生产量最大工艺，HB-GaAs单晶年产量占全世界GaAs单晶年产量50%（全球GaAs单晶产量约140t）。HB-GaAs单晶生长设备及生长过程包含到物理、化学、冶金学、自动控制、机械工艺等多个学科，技术含量高，批量生产工艺难度大，日本、美国等少数厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产，但其所使用生产设备、生产工艺及晶片加工技术对外严格保密。国际上HB-GaAs单晶生产以日本住友电工企业为主，其产量约占全世界产量60%（为62%），所提供晶片以2”，2.5”为主。2”，2.5”水平砷化镓单晶多年来大量用于红外LED和高亮度LED，是现在生产量和需求量最大、增加率最快化合物半导体器件之一。不过因为中国现在还没有生产该产品企业，使中国企业对该产品需求关键依靠进口，造成大量资金流向国外。本项目产品研发工作正是在这一背景下提出并开展。1.2技术开发情况“水平砷化镓单晶材料产业化” 被原国家计委批复为国家高技术产业化示范工程项目，并于经过中国有色金属工业协会组织科技结果判定，判定结果为：该项目标技术、产品质量达成了国际优异水平。本项目产品现在关键技术已经突破，并开始批量生产，产品已成功进入中国外市场。下一步工作中，企业计划在深入综合优化现有工艺技术基础上，使2”HBGaAs单晶成品率由现在75%增加到85%。EPD5103cm2。使2.5”HBGaAs单晶成品率由现在55%增加到70%，EPD5103cm2。以深入提升产品性价比从而增强其竞争力。1.3现有产业规模本产品经过判定后开始进行小规模生产，该产品销售收入达成400万元，产品销售收入达成1000万元，估计销售收入可达成1800万元，净利润达成180万元。1.4项目产品关键用途、性能本项目产品多年来大量用于红外LED（波长800-900nm）和高亮度（High bright-HB）LED即AlGaInP/GaAs高亮度红、橙、黄色LED，是现在生产量和需求量最大、增加率最快化合物半导体器件之一。关键技术和性能指标以下：N型（掺Si）n(cm-3)：（240）1017；n(cm2/v.s)：1400；晶片直径（mm）：50.00.5，63.00.5；EPD(cm-2)：1104。P型(掺Zn)p(cm-3)：（250）1018；P(cm2/v.s)：50（50100）；晶片直径（mm）：50.00.5，63.00.5；EPD(cm-2)：1104。1.5投资必需性本项目产品多年来大量用于红外LED和高亮度LED，市场前景很广。不过现在中国还没有一家进行该项目产品研发生产企业，中国企业对该产品需求关键依靠进口，而进口产品价格昂贵，造成生产成本提升。为缓解这种局面，本企业在原有产品基础上，组织研发人员进行了该产品研究开发工作，现在该产品技术已基础成熟，关键问题已经处理，产品于9月经过了中国有色金属工业协会组织科技结果判定，判定结果为：该项目技术、产品质量均达成国际优异水平，同类商品国际市场拥有率靠近10%。伴随LED在各个应用领域用量大幅度增加，本项目产品市场越来越宽广。为深入满足不停增加中国外市场对该产品需求，本企业计划投资扩大生产规模，增加产量，提升市场拥有率，实现产品产业化。 1.6预期经济效益 本项目达产，达产期年销售收入3300万元，年净利润451万元，上缴利税592万元，利税率达成31.6%。 1.7本企业实施该项目标优势 技术优势：项目负担单位国瑞企业前身是北京有色金属研究总院化合物半导体材料研究室，从1958年就开始水平GaAs单晶研究，已经有40多年研究开发经验，拥有一支由该领域著名教授教授及长久从事该项目研究高工组成研发队伍，这支队伍对该项目产品拥有绝对技术优势。该项目技术路线设计合理，关键技术已经突破，其它技术完全能够实现，项目产品现在已经过权威部门检测和判定，判定结果为国际优异。项目现在已经有部分产品销售中国外，用户中包含日本住友电工企业、韩国Prowtech企业等世界著名企业和中科镓英企业等中国用户，对该产品用户一致反应良好。营销优势：企业在廊坊市经济技术开发区，拥有水平GaAs生产厂房，企业研发基地在北京有研总院。企业在水平GaAs生产技术方面处于国际优异水平，企业是中国唯一批量生产水平GaAs晶片、GaP晶片企业。企业成立了由含有多年水平GaAs研究开发经验专业人员组成销售队伍，这支队伍熟悉本项目产品各项性能指标，了解用户需求，比较利于开展工作。同时，因为本项目产品性价比高于国外同类产品，所以在国际上含有强竞争力。现在产品已经进入国际市场，被日本住友电工集团、韩国Prowtech企业等世界著名企业应用。日本住友电工集团一向对外来产品要求极为严格，本企业产品能够大量进入该集团，说明本产品极具竞争力。管理优势：我企业拥有一支素质高、业务精、专业搭配合理管理队伍，70企业职员含有大专以上学历。管理团体知识层次高，含有高度凝聚力、勇于开拓创新性和丰富管理经验。高素质职员群体、现代科学管理方法、可靠质量确保体系完美结合，使产品质量得到充足确保。企业在日常生产和管理中，重视提升职员质量意识，在职员头脑中筑起了质量确保长城。企业质量控制管理体系严格根据ISO9001施行，企业已于经过该认证。企业根据建立现代企业制度要求，制订了一整套完备管理制度，包含人事管理制度、财务管理制度、销售管理制度、技术开发奖励制度等。实施物质奖励和精神奖励相结合，奖酬激励、人才使用激励和企业文化激励相结合，短期激励和长久激励相结合综合激励方法。自企业成立以来，凭借本身雄厚实力和良好管理体制，在中国外用户中树立了良好形象。这为本项目标顺利实施提供了制度上保障。 第二章 技术可行性分析2.1项目技术路线、工艺设备合理性和成熟性、关键技术优异性2.1.1项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺步骤为：6NGa+6NAs装管、脱氧封管多晶合成（约二十四小时）多晶清洁处理封管（余As掺杂剂、放籽晶）装入单晶炉单晶生长（78天）（熔料、接籽晶、走车生长单晶、降温、出炉）晶体测试2.1.2工艺及设备合理性和成熟性1、自行设计HB-GaAs单晶生长系统 本项目研发生产采取自行设计水平砷化镓单晶生长系统，该生长系统在国际上未见成型产品，本项目单位依据多年工艺、技术积累，选择精密温控仪表（欧陆智能式温控仪）和机械传动系统（双向导轨和同时进电机带动精密丝杠组合），可确保在长达710天单晶生长过程中温控精度0.5，炉体移动速度最低时（2.5/小时）爬行小于4m。采取优质SiC管支撑石英反应管使石英反应管长久处于高温（1300）下时膨胀度不至影响单晶生长（反应管外径扩大不超出10）。2、石英舟预处理技术 HB-GaAs单晶生长是在密封于石英反应管中石英舟中进行，所以首先要处理是石英舟和熔体粘舟问题。只有不粘舟才能确保单晶生长顺利，不出多晶、孪晶。生长完成后，晶体易从舟中取出（脱舟良好）；且生长晶体完整性好（EPD符合产品技术指标）。这个问题曾是困扰HB-GaAs单晶生长一个较严重问题。很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，“碳舟”虽可避免粘接问题，但碳易大量掺入GaAs晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。本项目负担单位国瑞企业经多年研究、实践找到了处理“粘接”问题良好方法，成为本企业一项独特专有技术石英舟预处理技术,该项技术关键是在合适溶剂中进行热处理，它可确保在长达7天单晶连续生长中，熔体和舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。3、纵向温度分布技术 经过中高温热场所理配置，提升晶片纵向均匀性，有利于提升成品率。本项目所设计水平单晶炉是一个多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯度适宜才有可能生长出合格单晶，企业技术人员经过反复试验、比较、不停优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提升单晶生长成品率、实现该工艺产业化发明了又一个有利条件。本项目中，单晶生长采取两步法，即：先合成多晶然后再一次备料生长单晶，备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶（谓之无砷端生长技术）。两温区炉高温区温度为12401260。中温区为11201200。这种加热结构既得到所需温度分布，又可抑制生长过程中Si污染。Si污染是因为舟、石英管全部是石英即SiO2材料、易于使Si并入熔体和单晶中。抑制Si污染机理是：在GaAs合成和晶体生长中，高温区发生熔体中Ga和石英反应4Ga（L）+SiO2(S)=Si(S)+2Ga2O(g) (1)2Ga(L)+ SiO2(S)=SiO(g)+Ga2O(g) (2)Si(S)+SiO2(S)= 2SiO(g) (3)LSg分别表示液、固、气相。反应（1）使Si进入GaAs，反应（3）使部分Si和SiO2反应生成气相SiO逸出，二者差值，造成GaAs中Si并入。高温区气相Ga2O扩散到中温区发生以下反应：3 Ga2O(g)+As4(g)=Ga2O3(S)+4GaAs(S) (4)SiO(g)=SiO(S) (5)反应（4）消耗了Ga2O，使反应（1）向右继续进行，加剧了Si向GaAs中并入。反应（4）和温度关系亲密，如将温度升到1100以上，反应（4）基础停止，从而可抑制反应（1）向右方进行：故将该温区温度维持在1120以上。我们对多段炉设计，各段炉温单独控制及其协调”配合”控制也进行了反复试验研究并不停进行了优化，对提升单晶生长成品率发挥了关键作用。单晶生长速度有时也称为结晶速度（本工艺中视为石英反应管相对于加热炉相对移动速度）是另一个关键技术参数：因为熔体结晶快慢和结晶潜热产生，正常传输亲密相关，结晶速度控制不妥，会严重干扰内加热炉所形成温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采取适宜结晶速度这一关键参数。4、固液界面特种加热炉 可很好调整固液界面形状，这对生长不一样晶向晶体、降低位错密度，提升成品率全部十分关键。单晶生长过程中固液界面形状控制是提升成品率关键技术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求晶向生长，即晶体生长方向和晶片晶向有一定夹角，这造成了水平GaAs单晶切片，通常全部要“斜”切（所以切片技术难度较大），为使所切晶片上电学参数（尤其是载流子浓度）均匀分布，固液界面也必需和生长方向成一定角度。因为杂质（关键是掺杂剂）分凝是以固液界面为“界线”，假如单晶生长过程中固液界面和生长方向之间角度和所切晶片晶向和单晶生长方向之间角度不一致，所切晶片上载流子浓度会形成“浓度梯度”，即得不到均匀分布，这会对在GaAs晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响。角度不一致还有可能在晶体内部出现热应力而造成晶体完整性差，使EPD增大，从而降低成品率。中国外在水平GaAs单晶研究开发中，多年来全部是使用管状加热炉。所以，固液界面只能和生长方向垂直，无法得到所需要偏角。 管状加热炉除了无法得到所需“偏角”以外，还极难调制固液界面本身“平坦度”， 因为砷化镓热导率相对较低，在采取管状加热炉情况下固液界面四面热环境是“固定”，无法变动，加上热辐射和固液界面结晶潜热难以导出，使熔体“边缘”温度低于中心处温度，往往使固液界面凹向熔体。这种界面很轻易出孪晶，或使晶体EPD增大，降低成品率。在单晶生长理论中，理想固液界面形状应为平坦或略为凸向熔体，做到这一点，加热体设计和制造很关键。加热体是单晶生长关键，对单晶生长影响很大，是决定单晶生长成功是否关键原因之一。该产品设计和制造是本企业多年科研结晶。本企业在炉体结构设计；保温层设置和配置；加热区段设置；加热区域设置等方面均取得了很大进步。现在制作加热体，截面区（固液交界面区）有特殊加热结构。高温区各加热段设计合理，中温区有后加热体设置，其它各区设置适宜；在产品试制过程中表明，该加热体很适合水平砷化镓单晶生长。采取这种加热体，能够很好调整固液界面形状及固液界面和生长方向夹角，使其和所切割晶片方向一致，并和单晶生长方向之间夹角一致。同时，采取这特种加热炉，经过高温区、中温区和固液界面区温度分布控制，很轻易“调平”固液界面。当然，这种加热体怎样单独控制又协调配合形成所需温度分布 ，也要经过反复试验、研究、不停优化。经过几年开发，本项目单位已在中国独家掌握了该项技术，该项技术达成世界优异水平。2.1.3关键技术优异性本项目产品9月经过了中国有色金属工业协会组织科技结果判定，判定结论为：该项目利用本单位独创石英舟预处理技术、生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。经过提升单晶单炉产量和成品率，提升晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化，达成了预期目标。该项目标技术达成国际优异水平，产品质量也达成国际优异水平，同类商品国际市场拥有率靠近10%。该产品和日本住友电工相比，各项技术指标均达成或高于其产品。2.2产品技术性能水平和中国外同类产品比较HB-GaAs单晶产品（产品形式有单晶锭和单晶片两种），关键有n型掺Si单晶和P型掺Zn单晶两种，关键用于LED（包含红外LED和高亮度LED）、LD等光电器件衬底，本项目单位国瑞企业生产这两种单晶各项技术指标和国际同类产品一致，完全达成了国际同类产品优异水平，本产品和日本住友电工（SEI）企业各项指标对比以下：北京有研总院（国瑞企业）日本住友电工 产品类型技术指标N型（掺Si）n(cm-3)（240）1017（240）1017n(cm2/v.s)14001400晶片直径（mm）50.00.5，63.00.550.00.363.00.5EPD(cm-2)11041104产品类型技术指标P型(掺Zn)p(cm-3)（250）1018（840）1018P(cm2/v.s)50（50100）50（5090）晶片直径（mm）50.00.5，63.00.550.00.3EPD(cm-2)110411042.3项目负担单位在实施本项目中优势研发能力强是本单位固有优势，企业前身是北京有色金属研究总院化合物半导体材料研究室。成立于1958年，从成立之日起就开始水平GaAs单晶研究，1959年底研制成功中国第一根水平GaAs单晶，前后负担多项国家科技攻关项目和军工配套项目，取得国家及部级科研结果8项，这些结果均达成国际上同类产品技术水平或填补中国空白。1991年原国家计委选定北京有研总院组建国家半导体材料工程研究中心，作为国家半导体材料工程化研发基地，加紧了HB-GaAs单晶材料产业化步伐。1994年在中国首次拉制重5kg，加工直径3英寸晶片HB-GaAs单晶，1996年建成了中国第一个有6台HB-GaAs单晶生长系统生产线，年产单晶500kg，使中国GaAs单晶年产量首次突破300kg，中国GaAs单晶材料研究由长久试验室阶段向产业化迈出了第一大步。国瑞电子材料有限责任企业1999年12月注册成立，由北京有色金属研究总院和有研半导体材料股份共同出资组建。注册资金3500万元，有研总院占95%股份，对该企业有绝对控股权，原有研总院该项目研发人员全部转入国瑞企业继续水平砷化镓项目标研究和开发工作。现在企业拥有HB-GaAs单晶生产系统30台及对应晶片加工（切片机、磨片机、划园机、倒角机、抛光机等）性能检测设备，所以，负担本项目，国瑞企业含有些人员和技术优势。第三章 项目成熟程度3.1产品检测、判定及用户使用情况本项目产品技术成熟，经过了中科镓英半导体质量管理部所做测试汇报，汇报显示：国瑞企业向本企业提供SiN型HB-GaAs单晶和掺ZnP型HB-GaAs单晶和国瑞企业所提供产品全部参数完全一致。10月产品经过了中国有色金属工业协会组织科技结果判定，判定结果为：该项目利用本单位独创石英舟预处理技术、生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。经过提升单晶单炉产量和成品率，提升晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化，达成了预期目标。该项目标技术达成国际优异水平，产品质量也达成国际优异水平，同类商品国际市场拥有率靠近10%。含有深入扩大生产规模技术条件。本项目产品多年来大量用于红外LED和高亮度LED，现在产品成功进入世界上最大水平砷化镓单晶应用厂商日本住友电工企业。国外另一关键用户韩国Prowtech认为该项目产品质量等同于日本住友电工企业产品。中国中科镓英企业大量购置本项目产品经加工后亦成功进入国际市场。3.2产品质量、价格、性能等情况该项目产品质量优良，价格低于国外同类产品，各项性能指标均达成或优于国外同类产品，市场前景宽广。本产品和日本住友电工（SEI）企业各项指标对比以下：北京有研总院（国瑞企业）日本住友电工 产品类型技术指标N型（掺Si）n(cm-3)（240）1017（240）1017n(cm2/v.s)14001400晶片直径（mm）50.00.5，63.00.550.00.363.00.5EPD(cm-2)11041104产品类型技术指标P型(掺Zn)p(cm-3)（250）1018（840）1018P(cm2/v.s)50（50100）50（5090）晶片直径（mm）50.00.5，63.00.550.00.3EPD(cm-2)110411043.3关键技术知识产权情况该项目利用本单位独创石英舟预处理技术、生长系统设计和制造技术、固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了2”和2.5”水平砷化镓单晶生长工艺技术及晶片加工工艺技术。企业对产品生产全部技术拥有独立知识产权，不存在产权纠纷。第四章 市场需求情况和风险分析4.1中国市场需求分析本项目产品多年来大量用于红外LED（波长800-900nm）和高亮度（High bright-HB）LED即AlGaInP/GaAs高亮度红、橙、黄色LED，是现在生产量和需求量最大、增加率最快化合物半导体器件之一。红外LED和高亮度LED是一个应用面广，用量大半导体器件，在各个应用领域其用量全部在大幅度增加，据统计，1994年到整个LED生产和需求量平均年增加率为40%以上。以后仍将保持平均20%年增加率，为18.2亿美元，高亮度LED市场将达成60亿美元。高亮度LED在汽车中应用1985 年LED首次被用于汽车中信号灯，1997年前后高亮度LED开始用于汽车光源（汽车光源种类很多，可分为照明光源和信号光源两大类，照明光源又有车内光源和车外光源之分）。车用高亮度LED市场约3.75亿美元，可望达成9亿美元。高亮度LED越来越受到汽车厂青睐，很多名牌汽车如卡迪拉克、奥迪、本田、三菱、马自达、尼桑等全部越来越多采取高亮度LED光源。以每辆车用200-300支LED计算，全球汽车年产量约为6000万辆，则每十二个月仅汽车用高亮度LED就达120-180亿支。而每1亿支LED需2”GaAs晶片5600片，约需单晶50kg。仅汽车用高亮度LED约需HB-GaAs单晶69t。 固态光源半导体照明中应用高亮度LED或白色LED作为照明光源，已开始逐步替换现行白炽灯和荧光灯，这可能是高亮度LED最有发展前景、用量最大一项应用。现在因为成本较高，它在照明方面应用所占比重还较小，但却是它发展最快应用领域；据估计，间，高亮度LED年复合增加率为21%，而在照明应用方面应用量年复合增加率为44%。现在，中国、美国、加拿大和日本等国全部制订了国家半导体照明工程。现在白光LED虽以GaN基LED磷光体转换为主，但高质量白光LED光源仍应用三基色LED“合成”。这么GaInAlP/ GaAs基高亮度LED也会大量用于白光光源，至于彩色照明、景观装饰照明等更离不开GaAs衬底。所以，仅在半导体照明方面应用，其市场前景就不可限量。现在中国外本项目产品生产厂家比较少，而市场需求量很大，并每十二个月全部有一定增加，所以，本项目产品在市场上供不应求。因为本项目产品各项技术性能指标达成国外同类产品指标，而价格远远低于国外产品，所以本产品自进入市场以来受到用户青睐，现在产品市场拥有率达成10%。4.2国际市场情况及本项目产品市场占有情况 伴随LED广泛应用，国际市场对该产品需求也越来越大，本产品凭借其良好性能指标和低廉产品价格已经占领了中国市场，并逐步进入国际市场。现在产品已经被日本住友电工和韩国Prowtech企业，她们认为该项目产品质量等同于日本住友电工企业产品。中国中科镓英企业大量购置本项目产品经加工后亦成功进入国际市场。估计产品可出口创汇200万美元，伴随项目生产规模扩大，该产品市场拥有率将深入增加，估计五年后本项目产品同类商品市场拥有率将达成15%。4.3风险原因及对策分析项目技术实现关键面临风险有技术风险、人员风险、市场风险等。技术风险应对方法：项目负担单位国瑞企业前身是北京有色金属研究总院化合物半导体材料研究室，从1958年就开始水平GaAs单晶研究，已经有40多年研究开发经验，拥有一支由该领域著名教授教授及长久从事该项目研究高工组成研发队伍，这支队伍对该项目产品拥有绝对技术优势。该项目技术路线设计合理，关键技术已经突破，其它技术完全能够实现，项目产品现在已经过权威部门检测和判定，判定结果为国际优异。项目现在已经有部分产品销售中国外，用户中包含日本住友电工企业、韩国Prowtech企业等世界著名企业和中科镓英企业等中国用户，对该产品用户一致反应良好。所以，该产品在技术上不存在任何风险。人员风险应对方法：企业或项目标成功运作离不开人力资本，尤其是高新技术企业，高科技人才关键性显得更为突出。企业关键技术人才流失是企业巨大损失，不仅影响到研发进度，还会造成关键技术泄漏，影响企业市场竞争力，对经济效益产生直接负面影响。为降低人员流失对企业造成损失，企业采取以下方法： 建立激励型薪酬体系。合理薪酬是留住关键职员关键性原因之一。薪酬从作用上来划分，大致可分为两部分，一部分就是职员劳动价值回报，这一部分关键表现为保障职员及其家眷基础物质生活，关键起保健作用；另一部分就是对职员起激励作用奖励。激励型薪酬体系既能使职员得到合理回报，又能对职员发挥激励作用。 完善企业绩效管理制度，立即开展绩效沟通。建立完善绩效管理制度，有利于对企业职员工作业绩做出一个正确、公正评判，使之对本身有一个客观认识，也有利于企业立即了解职员工作绩效存在问题，帮助其改善工作绩效，提升工作满意度。 在职员群体中导入友好竞争机制。只有竞争才有激励，缺乏了友好竞争，人潜能是极难得到激发。友好竞争机制能够使职员在友好交流和合作中感受到竞争压力，从而不停超越自我，增强工作挑战性。对关键职员开展有针对性培训。培训是企业塑造人才，提升竞争优势关键手段之一。对职员开展培训，能够增强企业关键竞争力，促进企业战略目标达成，也有利于将职员个体目标和企业战略目标进行整合和统一，满足职员个体自我发展需求，提升职员组织归属感，增强企业凝聚力和向心力。市场风险应对方法：本项目产品多年来大量用于红外LED（波长800-900nm）和高亮度（High bright-HB）LED即AlGaInP/GaAs高亮度红、橙、黄色LED，是现在生产量和需求量最大、增加率最快化合物半导体器件之一。红外LED和高亮度LED是一个应用面广，用量大半导体器件，在各个应用领域其用量全部在大幅度增加，据统计，现在中国LED产量约占全球产量12%，1999年平均增加率为29.3%，估计以后仍将以20%以上速度增加，伴随LED不停扩展其应用领域，不停增大应用量，对HB-GaAs衬底需求亦对应增加，在以后相当长时期内，本项目产品需求量越来越大，市场前景很乐观。现在，中国外市场对本项目产品供不应求，而中国只有本项目单位在从事HB-GaAs单晶研究开发生产，并已经有部分产品销售。本项目单位援建新乡542厂也在进行少许试制，但未发展到批量生产。本项目产品含有很强竞争优势。现在本项目产品已牢牢占领中国单晶市场，并成功打入世界最大砷化镓制造和使用商日本住友电工，同时在韩国、美国和台湾全部开发了用户并拥有代理商，形成了稳定中国外销售渠道。所以，本项目产品不存在市场风险。第五章 投资估算及资金筹措5.1项目投资估算该项现在期已完成投资500万元，关键用于设备购置、原辅材料费购置、研发费用、工资福利费、市场调研、培训和其它费用，资金起源全部为企业自筹。本企业计划在项目实施期内新增投资500万元，关键用于部分生产设备购置、研发费用、原辅材料费购置、工资福利费等。5.2资金筹措方案 新增500万元投资中，企业自筹资金400万元，申请国家火炬计划资金支持100万元。自筹资金关键来自企业货币资金。5.3投资使用计划新增投资中，固定资产投资为80万元，关键用作设备购置费、产品研究开发费、培训费用和预备费。流动资金投资420万元，关键用于原辅材料购置、燃料动力费、职员工资福利、咨询、资料等费用。投资使用计划详见下表：新增固定资产投资估算 单位：万元序号资产名称数量单位单价金额（万元）1砷化镓单晶炉（含安装运杂）1台30302产品研究开发费用303培训费104预备费105累计80新增流动资金预算表 单位：万元序号项目金额（万元）1原辅材料费2152燃料动力费203咨询、资料、调研费104工资及福利费1757合 计420第六章 经济和社会效益分析6.1未来五年生产成本、销售收入估算6.1.1 项目产品生产规模及销售量年份生产规模（吨）销售数量（吨）第十二个月()2.82.8第二年44第三年44第四年44第五年44年份总销售收入总成本费用净利润第十二个月（）23101591277第二年33002177451第三年33002177451第四年33002177451第五年330021774516.1.2 项目产品生产规模及销售量 单位：万元 6.2财务分析经过现金流量表分析，财务动态分析结果以下： 项目以后十年累计实现净现值2551万元。 项目内部收益率84%。 投资利润率=年平均利润/项目投资总额=7613/10/1000*100%=76.13%。 投资利税率=年平均利税/项目投资总额=（7613+3211+2512）/10/1000*100%=133% 投资回收期=（累计净现金流量出现正值年份-1）+上十二个月度累计净现金流量/当年净现金流量=（3-1）+147/549=2.27年(含建设期1年)估计在4月即可收回全部投资。本项目内部收益率靠近相关行业基准收益率。该项目投资回收期短，投资收益可观，赢利能力很强。6.3不确定性分析盈亏平衡分析:Q=C/(P-V)Q-盈亏平衡点产量（销量）C-总固定成本P-产品价格V-单位变动成本Q= C/(P-V)=2177/4/（825-386）=1.24（吨）当产量为1.24吨时，达成盈亏平衡。6.4财务分析结论 由以上财务数据可见，本项目投资回收期较短，投资利润率、投资利税率、内部收益率较高，当产品产量为1.24吨时，即达成盈亏平衡。6.5社会效益分析 2”、 2.5”水平砷化镓单晶多年来大量用于红外LED和高亮度LED，是现在生产量和需求量最大、增加率最快化合物半导体器件之一。不过因为中国没有生产该产品企业，使中国企业对该产品需求关键依靠进口。本项目标实施，能够满足中国企业市场需求，替换进口产品，并可出口创汇。同时，本项目标实施，将带动相关产业发展，从而推进中国经济快速发展。总成本费用估算表序号 年份 项目投产期生 产 期累计第十二个月第二年第三年第四年第五年第六年第七年第八年第九年第十年生产负荷70%100%100%100%100%100%100%100%100%100%1原材料及辅助材料1064152015201520152015201520152015201520147442外购燃料和动力202525252525252525252453工资及福利17523023023023023023023023023022454摊销费用2222222222205修理费4444444444406折旧费141414141414141414141407财务费用000000000008管理费用22025025025025025025025025025019739销售费用92.413213213213213213213213213297510总成本费用159121772177217721772177217721772177217721184其中：固定成本5076326326326326326326326326326195可变成本10841545154515451545154515451545154515451498911经营成本157321592159215921592159215921592159215921004损 益 表序号 年份项目投产期生 产 期累计第十二个月第二年第三年第四年第五年第六年第七年第八年第九年第十年生产负荷70%100%100%100%100%100%100%100%100%100%1销售收入2310.003300.003300.003300.003300.003300.003300.003300.003300.003300.003.002销售税金及附加231.35331.17331.17331.17331.17331.17331.17331.17331.17331.173211.863总成本费用1591.402177.002177.002177.002177.002177.002177.002177.002177.002177.0021184.404利润总额487.25791.83791.83791.83791.83791.83791.83791.83791.83791.837613.745所得税（33%）160.79261.30261.30261.30261.30261.30261.30261.30261.30261.302512.536税后利润326.46530.53530.53530.53530.53530.53530.53530.53530.53530.535101.207盈余公积（15%）48.9779.5879.5879.5879.5879.5879.5879.5879.5879.58765.188可供分配利润277.49450.95450.95450.95450.95450.95450.95450.95450.95450.954336.02现 金 流 量 表序号